이 앞전에도 3.6G짜리에 설치하는 걸 한번 쓴적이 있는데, 3.6G로 툴체인 등을 설치하기엔 좀 적은것 같다는 판단 하에, 7.8G짜리 SD 메모리카드에 다시 설치하게 되었습니다.

USB 메모리로는 물론 나쁘지 않지만, SD 리더기가 있으니 그걸 사용해 보도록 합니다..

4G짜리는 데이터 옮기는 용도로 사용하게 될듯 합니다..

여담입니다만, 디스켓들(저는 USB메모리나 SD카드, CF카드, microSD카드 등을 디스켓이라고 부릅니다) 용량도 커지고 가격도 저렴해서 몇개 구입하다 보니 다 합치면 약 40G 정도 되겠군요..

옛날 쓰던 하드디스크를 재활용해서 쓰기도 했었는데, 그녀석들은 이제.. 전혀 손이 가질 않는군요..

제가 어렸을때, 누군가 360KB짜리 2D 디스켓 한장을 다 쓰려면 평생 써도 못 쓸것이다.. 라고 얘기했었던 기억이 나네요..

듀얼코어 기술이 나온 이후로, 빠른 컴퓨터에 대한 사람들의 열망이 많이 줄어든것 같습니다..

지금 컴퓨터의 변화는, 모바일쪽에 집중되어 있다고 해도 과언이 아닐겁니다..

그 모바일 변화의 중심에는 소프트웨어 기술이 자리잡고 있습니다..

그리고 그 중심에는 애플과 구글이 있지요..

IT강국 대한민국이라고 말로만 외치기 전에 우리는 또라이짓을 많이 해야 합니다..

애플과 구글이라는 이 두 회사는 또라이짓으로 흥한 두개의 회사입니다..


사설이 길어졌군요.. 뭐 어쨌건 시대를 역행하는 cli 컴퓨팅을 위해 다시 설치합니다..

전에 pendrivelinux로 만들어놓았던 인스톨러 디스켓을 재활용합니다..


역시 무선랜부터 잡아봤습니다..

wpa_passphrase로 키정보 만들고..

요걸 /etc/wpa_supplicant.conf 로 옮기고..

/etc/init.d/wpa-startup 이라는 스크립트를 만들었습니다..


#!/bin/sh

wpa_supplicant -iwlan0 -c/etc/wpa_supplicant.conf &

dhclient wlan0


요렇게 만들고 나서


# chmod +x wpa-startup

# update-rc.d wpa-startup defaults


재부팅을 해봤습니다..

잘 됩니다..

Review

An overview of graphene in energy production and storage applications

 

1. Introduction

Current energy related devices are plagued with issues of poor performance and many are known to be extremely damaging to the environment [1-3]. With this in mind, energy is currently a vital global issue given the likely depletion of current resources (fos­sil fuels) coupled with the demand for higher-performance energy systems [4]. Such systems require the advantages of portability and energy efficiency whilst being environmentally friendly [5,6]; this area of research is no doubt under constant strain, where advances and interest concerning the applicability of new, novel materials is required.

Attempts have been made at rectifying the current prob­lems through the utilisation of electrochemical applications, and since the isolation of graphene in 2004 [7] there has been widespread excitement among scientists due to its exceptional physical attributes. Graphene is ideally suited for implementation in electrochemical applications due to its reported large electri­cal conductivity, vast surface area, unique heterogeneous electron transfer and charge carrier rates, widely applicable electro-catalytic
activity, and low production costs [8-12]. Consequently graphene has been utilised beneficially as a promising alternate electrode material in many applications for enhancing specific technological fields and particularly the issues surrounding energy storage and generation - graphene is at the centre of future prospects where its unique attributes have begun to be utilised with astonishing outcomes when contrasted to current devices, that until now have dominated the field. Thus the utilisation of graphene in future appli­cations to aid with technological advances within energy related fields holds great promise, where the years of research based upon various other carbon forms can be readily tailored to graphene. Utilising graphene to build on the existing wealth of knowledge and current techniques available, ground-breaking performance is expected to surpass that already achieved whilst at the same time proving to be a greener and more energy efficient alternative.

In this review we highlight the importance of graphene and present an overview of energy orientated literature. Note that there are many reviews exploring graphene's application within sen­sors and other selected applications [10-16], but there is distinct lack of reviews focusing specifically on energy storage/generation as a whole. This review fills this potential gap focusing solely on energy storage/generation with comprehensive tables provided. We first explore the unique properties of graphene whilst contrast­ing these to other electrode materials such as graphite and carbon nanotubes (CNTs), before detailing the application of graphene as a super-capacitor and noting the recent and exciting advance­ments reported in battery applications and other interesting areas of energy storage, after which we extend our overview into the subject area of energy generation and the utilisation of fuel cells.

1.1. Graphene: an introduction

Graphene is a two-dimensional one-atom-thick planar sheet of sp[2] bonded carbon atoms [8-10,17,18], which is considered as the fundamental foundation for all fullerene allotropic dimen­sionalities, as shown in Fig. 1 [11]. In addition to its planar state graphene can be 'wrapped' into zero-dimensional spherical bucky- balls, 'rolled' into one-dimensional CNTs - further categorised into single- or multi- walled depending on the number of graphene lay­ers present (SWCNTs/MWCNTs respectively), or can be 'stacked' into three-dimensional graphite - generally consisting of more than ten graphene layers [8,10,11,19]. Consequently graphene can be considered the 'mother of all carbon forms' - as a building block. A variation on graphene are nano-platelets which are characterised by stacks consisting of between two and ten graphene sheets, with another graphene existing in the form of graphene oxide (GO) - where the graphene has been oxidised within the employed fab­rication process or spontaneously by contact with air, however, this form is usually chemically or electrochemically reduced before use [11]. It is important to clarify that a single graphene nanosheet (GNS) refers to graphene as its standard form - that is a single layer of graphene.

The fabrication process by which graphene is synthesised defines its properties and as a result its application, and there­fore graphene fabrication is currently a heavily researched topic [10]. The vast array of current synthesis methodologies used for graphene manufacture include; exfoliation (either physi­cal/mechanical or chemical) [20,21], epitaxial growth via Chemical Vapour Deposition (CVD) [22], the unzipping of CNTs (via elec­trochemical, chemical, or physical methods), and the reduction of sugars (such as glucose or sucrose) [23] to name just a few. Note however, there is no single method of graphene synthesis that yields graphene exhibiting the optimum properties for all potential applications [10].

1.2. Graphene: a unique array of properties

It is well known that graphene possesses unique physical, chem­ical and thermal properties [8-12], and with the applications of electrochemistry spanning far afield it is the properties of the elec­trode material itself that are most significant to the performance of the fabricated device.

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Fig. 1. Schematic representation of graphene, which is the fundamental starting material for a variety of fullerene materials; buckyballs, carbon nanotubes, and graphite. Re-modelled from Ref. [8].

An essential characteristic of an electrode material, partic­ularly important in energy production and storage, is surface area. The theoretical surface area of graphene is reported to be ~2630 m2 g-1, surpassing that of both SWCNTs and graphite which are reported to be ~1315m2 g-1 and ~10m2 g-1 respectively [10]. Additional cause for the excitement concerning graphene arises when examining the electrical conductivity of graphene, resulting from its extensive conjugated sp2 carbon network, reported to be ~64mScm-1 which is approximately ~60 times more than that of SWCNTs [24,25] and which remains stable over a vast range of temperatures [8]; essential for reliability in many energy related applications. Of further importance to energy related devices and an additional indication of the extreme electronic quality that graphene possesses, is the fact that even at room temperature graphene displays the half-integer quantum Hall effect, with the effective speed of light as its Fermi velocity vF ~ 106 ms-1 [26-28]; and more interestingly graphene is distinguished from its counter­parts by its unusual band structure, rendering the quasiparticles in it formally identical to the massless Dirac Fermions. The charge density of graphene can be controlled by means of a gate electrode [27]; charge carriers can be tuned continuously between elec­trons and holes where electron mobility remains high even at high concentrations in both electrically and chemically doped devices, which translates to ballistic transport on the sub-micrometre scale [11]. For example, ultra-high electron mobility has been achieved in graphene by suspending a single GNS ~ 150 nm above a Si/SiO2 gate electrode [29]. Here mobilities in excess of 200,000 cm2 V-1 s-1 at electron densities of ~2 x 1011 cm-2 are obtainable, in comparison the mobility of an electron in silicon is around ~1000cm2 V-1 s-1 indicating that the electron mobility in graphene is ~200 times higher. The fast charge carrier properties of graphene have been found not only to be continuous, but to exhibit high crystal quality [8], meaning charge carriers can travel thousands of inter-atomic distances without scattering - even with the presence of metallic impurities. This fact suggests that if graphene is used as a chan­nel material, a transistor allowing extremely high-speed operation and with low electric power consumption could be obtained [8]. Furthermore, a pronounced ambipolar electric field effect is evi­dent in graphene [11], and due to its unique credentials it has even been speculated that graphene can carry a super-current [11,28]. Further on this topic, GNSs offer a unique two-dimensional envi­ronment for electron transport and we have recently shown that the electron transfer of graphene resides from its edge rather than its side, where the former acts electrochemically akin to that of edge plane- and the latter to that of basal plane-like-sites/defects of highly ordered pyrolytic graphite, meaning that electron trans­fer at the edge is many orders of magnitude faster than at its side [30,31].

A significant advantage graphene has over CNTs is that it gener­ally does not possess the same disadvantages that have plagued them, such as residual metallic impurities that are inherent to the CVD fabrication process and have hindered their exploita­tion, for example in the manufacture of reliable energy devices [32,33]. Graphene has largely precluded this problem because methods of graphene synthesis that involve CVD [22,34] generally use non-metallic catalysts, note however, in cases where graphene is synthesised in this manner, control experiments may still need to be performed [11], and as with CNTs the control of defects and reproducibility of fabrication are likely to be issues common to graphene [11]. Further advantageous characteristics of graphene for their application in energy related devices emerge when com­paring graphene to graphite - note that GNSs are flexible which is beneficial for use in flexible electronic and energy storage devices, as opposed to the brittle nature of graphite [10].

Another major advantage of graphene, greatly influencing its electrochemical performance in terms of the heterogeneous elec­tron transfer rate, is the presence of oxygen-containing groups at its edges or surface [11]. When controlled attachment of functional elements are required, such oxygen-containing groups may pro­vide convenient attachment sites, which are expected to be similar to that observed for CNTs [16], thus specific groups can be intro­duced that play vital roles in electrochemical battery and fuel cell applications [10]; for example, oxygenated species can be used as 'anchoring' sites for the attachment of glucose oxidase (GOx) for use in a range of energy generation applications [35]. It is noteworthy that the electrochemical properties of graphene-based electrodes can hence be modified or tuned by chemical modification, and tai­lored to suit its application [19]. It is heavily debatable however, whether the presence of oxides upon graphene's surface, in addi­tion to the defect sites within graphene, may change its electronic and chemical properties beneficially or detrimentally [11].

Having considered each of graphenes inimitable electrochemi­cal properties in turn, it is clear that graphene exhibits the largest surface area, fastest electron mobilities, highest conductivity, and the most exceptional electronic qualities when contrasted against other possible electrode materials (graphite, CNTs, and traditional noble metals), and its subtle electronic characteristics (attractive tc-tc interactions, and its strong absorptive capability) [36] sug­gest a long and viable future in energy production and storage; thus 'theoretically' in many applications graphene's performance has the potential to be far superior than its counterparts.

2. Graphene in energy storage devices

Current electrochemical energy storage devices are becoming less appropriate forthe ever increasing range of high demand appli­cations utilising them today, as technology becomes increasingly more advanced and powerful the requirements of energy storage systems increase, thus in order to produce energy storage devices that can sufficiently meet the mounting demands of consumers, the exploration and exploitation of new electrode materials must occur. Graphene is extremely attractive for energy storage applica­tions due to its unique reported properties (see above) [15].

2.1. Graphene as a super-capacitor

Sal?!■ ARTICLE IN PRESS

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Electrochemical super-capacitors are passive and static electri­cal energy storage devices, utilised in applications such as portable electronics (mobile phones), memory back-up systems, and hybrid cars, where extremely fast charging is a valuable feature [15,37]. Super-capacitors have high power capabilities, fast charge propa­gation and charge-discharge processes (within seconds), long cyclic life (usually greater than 100,000 cycles), require low maintenance, and exhibit low self-discharging [15]; they have larger energy densities when compared to conventional capacitors, although, energy densities are lower than batteries and fuel cells [15]. A super-capacitor unit cell is usually comprised of two porous carbon electrodes that are isolated from electrical contact by a porous sep­arator, the current collectors of metal foil or carbon impregnated polymers are used to conduct electrical current from each electrode [38]. The separator and the electrodes are impregnated with an electrolyte, this allows ionic current to flow between the electrodes whilst preventing electronic current from discharging the cell [38]. In super-capacitors, energy is stored due to the formation of an elec­trical double layer at the interface of the electrode (electrical double layer capacitors) [39] or due to electron transfer between the elec­trolyte and the electrode through fast Faradiac redox reactions (pseudo-capacitors) [40], often the capacitance of a super-capacitor is dependent on its ability to utilise both of the previous energy stor­age capabilities with high efficiency, where these two mechanisms can function simultaneously depending on the nature of the elec­trode material [15]. To develop a super-capacitor device, an active electrode material with high capacity performance is indispensable
[41], however, all of the components are important factors. Current research on electrochemical capacitors is aimed at increasing both power and energy densities as well as lowering fabrication costs - whilst using environmentally friendly materials. The core materials studied for super-capacitor electrodes are carbons, metal oxides, and conducting polymers [1], with recent advancements having focused on CNTs. However, graphene based materials have shown immense theoretical and practical advantages, such as a high sur­face area, excellent conductivity and capacitance, and relatively low production costs (mass production).

The use of graphene as a super-capacitor material has been widely reported, with many studies reporting graphene as a far superior super-capacitor material than existing carbon and poly­mer based materials; Table 1 overviews a selection of recent literature reports where graphene has been utilised as a super- capacitor material in comparison to existing materials, for example graphite and CNTs.

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Table 1

Overview of specific capacitance and power outputs of a range of graphene based materials and various other comparable materials for use as super-capacitors. Electrode material Performance parameter Cyclic ability Comments Ref.

Specific Power density

capacitance (Fg-1) (kWkg-1)

CNT/PANI

780

NT

After 1000 cycles the capacitance decreased by 67%

Obtained from CV measurement at a SR of 1mVs-1

[37]

GNS

150

NT

Specific capacitance was maintained with the specific current of 0.1 Ag-1 for 500 cycles of charge/discharge

N/A

[39]

GNS

38.9

2.5

NT

Synthesised using a screen-printing approach and ultrasonic spray pyrolysis. Data obtained from CV measurement at a SRof50mVs-1

[45]

GNS-cobalt (II) hydroxide

972.5

NT

NT

N/A

[48]

nano-composite

         

GNS/CNT/PANI

1035

NT

After 1000 cycles the capacitance decreased by only 6% of the initial

Obtained from CV measurement at a SR of 1mVs-1

[37]

GNS/PANI

1046

70 @

39Whkg-1

NT

Synthesised using in situ polymerisation. Capacitance obtained from CV measurement at a SR of1 mVs-1

[41]

GNS-nickel foam

164

NT

Specific capacitance remains 61% of the maximum capacitance after 700 cycles

Obtained from CV measurement at a SR of 10mVs-1

[43]

GNS-SnO2

42.7

3.9

NT

Synthesised using a screen-printing approach and ultrasonic spray pyrolysis. Data obtained from CV measurement at a SRof50mVs-1

[45]

GNS-ZnO

61.7

4.8

NT

Synthesised using a screen-printing approach and ultrasonic spray pyrolysis. Data obtained from CV measurement at a SRof50mVs-1

[45]

Graphene

205

10@

28.5Whkg-1

~90% specific capacitance remaining after 1200 cycles

Graphene was prepared from graphite oxide

[42]

MWCNT/PANI

463

NT

NT

Synthesised using in situ polymerisation. Capacitance obtained from CV measurement at a SR of1 mVs-1

[41]

Nickel (II) hydroxide nano-

1335

NT

NT

Obtained at a charge/discharge density of

[46]

crystals deposited on GNS

     

2.8Ag-1

 

PANI

115

NT

NT

Synthesised using in situ polymerisation. Capacitance obtained from CV measurement at a SR of1 mVs-1

[41]

PANI/GOS

531

NT

NT

Nanocomposite with a mass ratio of PANI/graphene, 100:1. Capacitance obtained by charge-discharge analysis

[1]

RuO2/GNS

570

10@

20.1Whkg-1

~97.9% specific capacitance remaining after 1000 cycles

N/A

[47]

Key: CNT - carbon nanotube; CV - cyclic voltammetry; GNS - graphene nano-sheet; GOS - graphene oxide sheets; MWCNT - multi-walled carbon nanotube; N/A - not applicable; NT - not tested; PANI - polyaniline; RuO2 - hydrous ruthenium oxide; SR - scan rate.

According to the energy-storage mechanisms noted above, the key to enhancing specific capacitance is to enlarge the specific sur­face area and control the pore size, layer stacking, and distribution of the electrode material, thus Du et al. [39] investigated graphene as a potential electrode material. The authors mass-produced

GNSs with a narrow mesopore distribution of ~4nm from natural graphite via oxidation and rapid heating processes, and found the GNSs to maintain a stable specific capacitance of 150 Fg-1 under the specific current of 0.1 Ag-1 for 500 cycles of charge/discharge [39]. Wang et al. [42] also investigated graphene as a potential super-capacitor electrode material, where a maximum specific capacitance of 205Fg-1 was measured with a power density of 10kWkg-1 at a energy density of 28.5 Whkg-1, excellent cyclic ability was obtained also with ~90% specific capacitance remain­ing after 1200 cycles. Interestingly, other work [43] has shown that using an electrophoretic deposition method to deposit GNSs onto nickel foams with three-dimensional porous structures, the high specific capacitance of 164Fg-1 is obtained from cyclic voltam- metric (CV) measurement at a scan rate of 10mVs-1, and it was noted that after 700 cycles the specific capacitance remains 61% of the maximum capacitance; FESEM images of their modified nickel foam are shown in Fig. 2. Furthermore, work encompassing the deposition of silver nanoparticles onto graphene sheets has shown that increased specific capacitance and improved charge transfer occurs with evidence of a reduced resistance [44]. Yet further excit­ing prospects emerge when considering work by Vivekchand et al. [40] who have shown graphene prepared via graphitic oxide
whilst utilising an ionic liquid, thus enabling the operating volt­age to be extended up to 3.5 V, exhibits a specific capacitance and energy density of ~75Fg-1 and31.9Whkg-1 respectively, surpass­ing those of both SW- and MWCNTs, 64 and 14 F g-1 respectively; the authors claim that the energy density is one of the highest val­ues reported to-date of this kind, inferring that the performance characteristics of graphene are directly related to its quality in terms of numbers of graphene layers and the inherent surface area. It is likely however that the 'highest energy value' claimed in this case will most probably be surpassed in coming months given the intense research in this area. These comparable results suggest potential for GNS based electrochemical capacitors to be fabricated, but scalability might be an issue.

However, it is evident that the general specific capacitance of graphene is not as high as expected, and thus it is notable that many researchers have turned to the incorporation and fabrication of graphene based hybrid materials in the pursuit for improved capac­itance performance. In one notable example Wang et al. [1] report a novel high performance electrode material based upon fibrillar polyaniline (PANI) doped with graphene oxide sheets. The authors obtained a nanocomposite with a mass ratio of PANI/graphene, 100:1, which exhibited a high specific capacitance of 531 Fg-1, obtained by charge-discharge analysis, and when compared to indi­vidual PANI (216Fg-1) it was clear that doping (and the ratio of graphene oxide) has a profound effect on the electrochemical capacitance performance of nanocomposites; graphene exhibits great potential for application in super-capacitors and other power source systems of the future.

Further work was conducted by Yan et al. [41] reporting that a GNS/PANI composite synthesised using in situ polymerisation could obtain a high specific capacitance of 1046Fg-1 (examined using CV and galvanostatic charge/discharge analysis), which com­pared to 115 Fg-1 for pure PANI, 463 Fg-1 for SWCNT/PANI, and 500Fg-1 for MWCNT/PANI; additionally, the energy density of the GNS/PANI composite could reach 39Whkg-1 at a power density of 70kWkg-1. It is apparent that GNS/PANI modifications offer a highly conductive support material where the well-dispersed depositions ofnanoscale PANI particles are attributable to the GNSs large surface area and flexibility. Other work on this topic [37] has investigated the effect of a GNS/CNT/PANI composite, claim­ing responses similar to the composites mentioned above, and that after 1000 cycles the capacitance decreased by only 6% of the initial (compared to 52 and 67% for GNS/PANI and CNT/PANI respectively); demonstrating that a hybrid-graphene material may exhibit the ultimately desired properties required for superior energy related devices to be realised [4,37].

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In addition to these reports, further work has indicated that graphene has the potential to outperform its counterparts as a capacitor material; for example it has been highlighted that a graphene-ZnO composite exhibits enhanced capacitance when compared to CNTs, as well as an enhanced reversible charge/discharging ability [2,42,45]. One notable example [45] concerns the fabrication of GNS-ZnO and GNS-SnO2 electrode materials, where a screen-printing approach was employed to fabricate the graphene film onto a graphite substrate whilst the ZnO or SnO2 was deposited onto the graphene film via ultra­sonic spray pyrolysis. The performances of these electrodes were then tested through electrochemical impedance spectroscopy, CV, and chronopotentiometry. Results demonstrated that the inclu­sion of either ZnO or SnO2 improved the capacitive performance of the graphene electrode. The GNS-ZnO composite electrode exhib­ited a higher capacitance value, 61.7 Fg-1, and maximum power density, 4.8kWkg-1, when compared to the GNS-SnO2 and pure graphene electrodes, exhibiting capacitances of 42.7 and 38.9 Fg-1 and power densities of 3.9 and 2.5 kW kg-1 respectively. In another notable example Zhang et al. [2] prepared a graphene-ZnO compos­ite film and investigated its electrochemical characteristics. Their results showed that the composite exhibited enhanced capacitance behaviour/values with better reversible charging/discharging abil­ity by comparison to pure graphene and pure ZnO electrodes. One
explanation for this, in addition to graphene's enhanced surface area (and other qualities discussed earlier), has been ascribed to the increase in lattice defect density exhibited by graphene (such as the fracture of graphene layers and the ratio of edge to basal carbon surface), where it is believed that increased edge plane increases the capacitance of a material [39]. However, work by Stoller et al. [38] stated that on chemically modified graphene electrodes the super-capacitor performance does not depend on a rigid porous structure to deliver its large surface area but on graphenes flexi­bility, where graphene sheets adjust their position depending on the electrolyte used. Stoller and co-workers [38] found the weight specific capacitance of chemically modified graphene to be up to 135 Fg-1 [38].

Other work has been explored where inorganic nanomate- rials have been anchored onto graphene's surface, resulting in high performance super-capacitors [46-48]. Wang et al. [46] have grown nickel (II) hydroxide nano-crystals on graphene sheets, finding that the resultant material exhibits a high specific capac­itance of ~1335Fg-1 atacharge/dischargedensityof2.8Ag-1 and ~953Fg-1 at45.7Ag-1 respectively, as well as exhibiting excellent cyclic ability; the authors demonstrated that their graphene based nano-composite outperformed the utilisation of small nickel (II) hydroxide nano-particles grown on graphite oxide [46]. For com­parison, a physical mixture ofpre-synthesized nickel (II) hydroxide nano-plates and graphene exhibited lower specific capacitance, highlighting the importance of direct growth of these nanomate- rials on graphene to enhance the intimate interactions and charge transport between the active nanomaterials and the conducting underlying network [46]. Such results suggest the importance of rational design and synthesis of graphene-based nano-composite materials for high-performance energy applications where high specific capacitance and remarkable rate capability are promis­ing for applications in supercapacitors with both high energy and power densities [46]. Further work by Wu et al. [47] has demonstrated that hydrous ruthenium oxide/graphene composites exhibit a high specific capacitance of ~570Fg-1 (for 38.3% ruthe­nium weight loading) with enhanced rate capability and excellent electrochemical stability (~97.9% retention after 1000 cycles), in addition to a high energy density of 20.1 Wh kg-1 at a low oper­ation rate of 100mAg-1 or a power density of 10,000Wkg-1 at a reasonable energy density of 4.3 Whkg-1. Interestingly, it was found that the total specific capacitance of the composite mate­rial was higher than the sum of specific capacitances of pure graphene and pure ruthenium oxide in their relative ratios, which was ascribed to be indicative of a positive synergistic effect of graphene and ruthenium oxide on the improvement of the elec­trochemical performance [47]. Moreover, Chen et al. [48] have reported on the utilisation of a graphene-cobalt (II) hydroxide nano-composite and shown the electrochemical specific capaci­tance of the graphene composite to reach 972.5 Fg-1, leading to a significant improvement in relation to each individual component (137.6 and 726.1 Fg-1 for graphene and cobalt hydroxide respec­tively). These findings again demonstrate the importance and great potential of graphene-based composites in the development of high-performance energy-storage systems [46-48].

Considering the data presented above however, it is impor­tant to note that elegant work by Pumera et al. [49] has shown that it is not always beneficial to exfoliate graphitic structures to single layer graphene, GNS, to achieve maximum electrochemi­cal performance and capacitance. Pumera has demonstrated, using electrochemical impedance spectroscopy, that multilayer (>10 lay­ers) graphene nanoribbons with cross sections of 100 x 100 nm provide a larger capacitance (15.6 F g-1) than few-layer (3-9 layers) graphene nanoribbons (14.9Fg-1) and a far greater capacitance than single layer GNSs (10.9Fg-1) with the same cross section, likely caused by graphene layers laying flat on top of one another blocking/concealing the edge plane as has been shown previously where basal plane based electrodes have greatly reduced charge storage when compared to edge plane surfaces, thus vertically ori­entated GNSs are believed to be a near-ideal structure [49,50], likely due to a higher edge plane content available and larger inter-layer spaces allowing for improved capacitance due to the complete util­isation of available space [49,50]. This of course does not account for the use of hybrid materials however, where the combination of graphene with various other materials could possibly lead to the increased availability ofthe graphene's edge-plane sites and surface area, as well as influencing other factors such as inter-layer spacing leading to an improved capacitance performance; this argument is also relevant for graphene within the fabrication of lithium ion (Li-ion) batteries - see below. Furthermore, when considering this argument it is interesting to observe that few layer graphene sam­ples have been shown to exhibit superior characteristics when they are disordered in nature. For example, Pan et al. [20] have reported the fabrication of highly disordered graphene nanosheets which exhibit promising possibilities in high-capacity Li-ion batteries because of their high reversible capacity (1054 mAhg-1) and good cyclic performance, exhibiting a far superior performance when compared to highly ordered GNSs (540 mAhg-1) [5] and graphite samples (372mAhg-1) [5], thus in addition to being attributed to larger inter-layer spacing by Pan and colleagues, these findings con­cur with the above suggestion that increased edge plane and surface area availability results in enhanced performance [20]. The disor­der of GNSs can be achieved via a variety of methods including the introduction of hybrid materials or for example by electron- beam irradiation as utilised in the work by Pan and co-workers [20]; there is a strong possibility that increasing the inter-planar spaces between graphene sheets in addition to the edge plane sites avail­able could lead to numerous advantageous prospects in capacitance and energy storage applications.

Having overviewed the application of graphene as a super- capacitor, it is clear that it has already made a significant impact and revealed itself to be a promising material for future research within this area. With the possibility of hybrid graphene materi­als emerging in the near future, we may witness the fabrication of a super-capacitor composite that is able to acquire currently unachievable capacitance levels and greatly improved cyclic abili­ties; of course a major limitation is the current cost of graphene, reproducibility, scalability, and characterisation, where drawing from the latter many reports are emerging where claims of the utilisation of graphene are made without adequate characterisation being performed and in such cases perhaps graphene is not present, rather multiple layer or greater - thus appropriate control experi­ments need to be performed where results are compared to other appropriate carbon forms such as graphite or activated carbons. This is an issue evident throughout each aspect of graphene's utili­sation within energy related applications, and consequently should be borne-in-mind when considering each topic covered below.

2.2. Graphene as a battery/Li-ion storage

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Lithium (Li) based rechargeable batteries are a further class of energy storage devices where graphene has been employed due to its reported superior physical attributes. As with super- capacitors, there is an increasing worldwide demand for advanced Li-ion batteries with higher energy capacities and longer cycle life­times, which are promising with regards to their application within electric vehicles [20,51,52]. Li-ion batteries can store and supply electricity over a long period of time, where electrode materi­als (i.e. anode/cathode) play dominant roles in the performance, although each component of the battery is essential to its perfor­mance capabilities [12,53]. Currently the anode material employed for lithium based batteries is usually graphite because of its high

Coulombic efficiency (the ratio of the extracted Li to the inserted Li) [12] where it can be reversibly charged and discharged under intercalation potentials with a reasonable specific capacity [5]. However, to improve battery performance the relatively low the­oretical capacity associated with graphite batteries (372 mA hg-1) and the long diffusion distances of the Li-ions need to be overcome [12]. Graphene has already shown itself as a beneficial replacement, for example papers have emerged boasting graphene based elec­trodes to have higher specific capacities than many other electrode materials (including graphite), and in addition to this many theo­retical papers have emerged [5,10,20,51,54]. One particular report states that graphene's two-dimensional edge plane sites should aid Li-ion adsorption and diffusion, consequently reducing charg­ing times and increasing power outputs. An overview of various graphene based electrode materials reported in the literature for use as a lithium based battery are listed and compared to other electrode materials, namely graphite and CNTs, in Table 2.

In one interesting example Yoo and colleagues [55] fabricated a graphene based electrode using CNTs as spacers to prevent the restacking of the graphene sheets. The modified electrode was demonstrated to possess a specific capacitance towards lithium of 730mAhg-1 [55], which is greatly improved when compared to the existing graphite (372 mAh g-1) [10] and an alternate graphene modified electrode without the use of spacers (540 mA h g-1). Note that the use of graphene without spacers exhibits a largely superior response over that of comparable graphite. When Yoo et al. utilised C60 molecules in addition to spacers between graphene sheets, the capacitance increased to 784mAhg-1 [55]. Moreover, graphene's advantageous application in lithium storage devices was partly explained by Takamura et al. [56] whom linked the high rate dis­charge capability of Li-ion batteries to nano-sized holes identified within the graphene sheets. However, this is not the only issue when looking at the performance of batteries, as discharge rates and cyclic abilities also need to be considered.

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Table 2

Overview of the specific capacitance and cyclic stabilities of a range of graphene based materials and various other comparable materials for the application of graphene as a Lithium-ion battery electrode.

Compound

Specific capacitance (mAhg-1)

Cyclic stability

Comments

Ref.

GNS

540

300 after 30 cycles at 50 mAg-1

N/A

[5,55]

GNS

1264

848 after 40 cycles at 100 mAg-1

GNSs in coin-type cells versus metallic lithium

[51]

GNS

1233

502 after 30 cycles at the current density of 0.2 mA cm-2

GNSs were prepared from artificial graphite by oxidation, rapid expansion and ultrasonic treatment

[52]

GNS/Fe3O4

1026

580 after 100 cycles at 700 mAg-1

N/A

[53]

GNS/SnO2

860

570 after 30 cycles at 50 mAg-1

GNSs were homogeneously distributed between the loosely packed SnO2 nanoparticles in such a way that a nanoporous structure with a large amount of void spaces could be prepared

[5]

GNS/SnO2

840

590 after 50 cycles at the current density of 400 mAg-1

The optimum molar ratio of SnO2/graphene was 3.2:1

[62]

GNS/with C60 spacer molecules

784

NT

N/A

[55]

GNS/with CNT spacer

730

NT

N/A

[55]

Graphite

372

240 after 30 cycles at 50 mAg-1

N/A

[5,55]

Mn3O4/RGO

-900

-730 after 40 cycles at 400 mAg-1

N/A

[60]

Ox-GNSs

-1400

Cyclic stability within the range of 800

Capacity loss per cycle of-3% for early cycles; this decreasing for subsequent cycles

[57]

Key: C60 - carbon 60; CNT - carbon nanotube; GNS - graphene nanosheet; N/A - not applicable; NT - not tested; Ox - oxidised; RGO - reduced graphene oxide.

Bhardwaj and co-workers [57] have reported upon the electro­chemical Li intake capacity of carbonaceous one-dimensional GNSs obtained by unzipping pristine MWCNTs.The authors showed that oxidised-GNSs (ox-GNSs) outperformed all other materials tested (GNSs and MWCNTs) in terms of energy density, obtaining a first charge capacity of ~1400 mA h g-1 with a low Coulombic efficiency for the first cycle, ~53%, and ~95% for subsequent cycles, which was shown to be notably superior to MWCNTs and GNSs and similar to that of graphite. The cyclic capacity of the ox-GNSs was within the range of 800mAhg-1, with an early capacity loss per cycle of ~3% (decreasing upon subsequent cycles) [57]. The cyclability is the capacity loss per cycle, and is a useful parameter to evaluate bat­tery performance, where here, MWCNTs and GNSs perform better than the proposed ox-GNSs (capacity losses of ~1.4% and ~2.6% respectively), however, due to the higher initial capacitance of the ox-GNSs the performance of this material can still be regarded as superior, as can be observed in Fig. 3 [57].

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In another interesting example Lian et al. [51] evaluated the electrochemical performance of GNSs in coin-type cells versus metallic lithium. The authors reported a large reversible capac­ity where high quality graphene sheets were used as an anode material for Li-ion batteries, showing that the GNSs possess a curled morphology with a large specific surface area. The first reversible specific capacity of the prepared GNS was as high as 1264mAhg-1 at a current density of 100mAg-1, where even at high current densities of 500mAg-1 the reversible capacity remained at 718mAhg-1. After 40 cycles the reversible capac­ity remained at 848mAhg-1 at a current density of 100mAg-1.

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Fig. 3. Cyclability of three different carbonaceous electrodes materials; oxidised graphene (ox-GNR); graphene (GNR); and multi-walled carbon nanotubes (MWC- NTs). Symbols represent experimental measurements, whilst bold lines represent values extrapolated at the indicated loss rate. Reproduced with permission from Ref. [57]. Copyright (2010) American Chemical Society.

These results indicate that the GNSs possess electrochemical per­formances suitable for their application within lithium storage devices [51].

One notable study [58] was performed where non-annealed graphene paper, prepared via reduction of prefabricated graphene oxide paper with hydrazine hydrate, was employed as the sole com­ponent of a binder-free Li-ion battery anode. The fabricated anode possessed excellent cyclic ability, whilst exhibiting a voltage versus capacity profile similar to that of a polymer-bound graphene pow­der anode (the reversible capacity was 84mAhg-1 ata50mAg-1 current rate). However, it must be stated that the overall capacity of this and other examples using graphene paper [59] as the electrode material are poor when contrast to the emerging hybrid graphene materials is sought (see below) [5,53,60].

As is the case for super-capacitor devices, it is emerging that current research regarding Li-ion batteries is focused towards the fabrication of hybrid graphene composite materials when look­ing for improved battery performance. For example, previous work by Paek et al. [5] has demonstrated that a graphene/SnO2 based nano-porous electrode exhibited a higher reversible capac­ity when compared to bare SnO2, bare graphene, and bare graphite electrodes, and in addition to this, the graphene/SnO2 electrode exhibited a much improved cyclic performance when compared to the same electrodes [5]. The graphene/SnO2 based nano-porous electrode was synthesised and shown to exhibit a reversible capacity of 810mAhg-1 [5]. Furthermore, its cyclic performance was drastically enhanced in comparison to bare SnO2 nanoparticles, where after 30 cycles the charge capacity of the graphene/SnO2 based electrode remained at 570 mAhg-1 (70% retention of the reversibility capacity), whereas the bare SnO2 nanoparticles first charge capacity was 550 mAhg-1 which dropped rapidly to 60 mAhg-1 after only 15 cycles at 50mAg-1. Paek and co-workers [5] also reported superior cyclic perfor­mances over graphite modified nanoparticles, where the initial capacitance was ~500mAhg-1, which dropped slightly during cycling - the bare graphene electrode resides only slightly above this level; Fig. 4 demonstrates the capacities and cyclic abilities of the mentioned composites along with a schematic represen­tation of the fabricated graphene electrodes [5]. Other work on SnO2-graphene hybrid based Li-ion batteries has yielded similar results with regards to capacitance and obtained good cyclic abili­ties (retaining 520 mAhg-1 after 100 cycles) [61,62].

Wang et al. [60] have reported Mn3O4-graphene hybrid mate­rials as a suitable high-capacity anode material for utilisation in Li-ion batteries. Wang and co-workers [60] have developed a two-step solution-phase reaction to form Mn3O4 nanoparti­cles on reduced graphene oxide (RGO) sheets. The authors claim that their selective growth of Mn3O4 nanoparticles onto the RGO sheets (in contrast to free particle growth in solution) allowed for the electrically insulating Mn3O4 nanoparticles to be 'wired- up' to a current collector through the underlying conducting graphene network. The Mn3O4/RGO hybrid material demonstrated a high specific capacity up to ~900mAhg-1, near the theoretical capacity of Mn3O4 (~936mAhg-1), with a good rate capability and cycling stability (a capacity of ~730mAhg-1 at 400mAg-1 was retained after 40 cycles), owing to the intimate interactions between the graphene substrates and the Mn3O4 nanoparticles [60]. Even at a high current density of 1600mAg-1 the specific capacity was ~390mAhg-1, which is higher than the theoretical capacity of graphite - commonly utilised within Li-ion batteries (372mAhg-1). Control experiments were performed utilising the synthesis of free Mn3O4 nanoparticles by the same process, how­ever without the presence of graphene, where the performance was much worse; at a low current density of 40 mAg-1 the free Mn3O4 nanoparticles exhibited a capacity lower than 300 mAhg-1, which further decreased to ~115mAhg-1 after only 10 cycles. Conse-

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Fig. 4. (A) Schematic representation for the synthesis and structure of SnO2 on graphene nanosheets (GNS). (B) Cyclic performances for(a) bare SnO2 nanoparticle, (b) graphite, (c) GNS, and (d) SnO2/GNS. Reproduced with permission from Ref. [5] Copyright (2009) American Chemical Society.

quently Wang et al. claim that the above hybrid material could be a promising candidate for high-capacity, low-cost, and environmen­tally friendly anode materials for Li-ion batteries of the future, since the observed performance surpasses that of graphite [60].

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Whilst on the theme of hybrid materials, Fe3O4 exhibits great potential for use as an anode material with high capacity, low cost, eco-friendliness, and natural abundance. However because of the problem of rapid capacity fading during cycling, it has attracted the attention of scientists for use in the creation of hybrid materials [53]. Cause for excitement comes from elegant work by Zhou et al. [53] who fabricated a well-organised flexible interleaved compos­ite of GNSs decorated with Fe3O4 particles through in situ reduction of iron hydroxide between GNSs; the interleaved network of GNSs produce a pathway for electron transport as shown in Fig. 5. The GNS/Fe3O4 composite exhibits a reversible specific capacity approaching 1026mAhg-1 after 30 cycles at 35 mAg-1 and 580 mAhg-1 after 100 cycles at 700mAg-1, as well as improved cyclic stability and an excellent rate capability [53]. When comparison is sought towards the capacities of bare Fe2O3 and commercial Fe2O4 particles after 30 cycles at 35 mAg-1 (the cyclic abilities are also highlighted in Fig. 5) a decrease from 770 and 760mAhg-1 to 475 and 359mAhg-1 occur respectively, thus demonstrating poor cyclic abilities [53]. The authors inferred the multifunctional features of the GNS/Fe3O4 composite to be as follows: (i) GNSs play a "flexible confinement" function to enwrap Fe3O4 particles, which can compensate for the volume change of Fe3O4 and pre­vent the detachment and agglomeration of pulverized Fe3O4, thus extending the cycling life of the electrode; (ii) GNSs provide a large contact surface for individual dispersion of well-adhered Fe3O4 particles and act as an excellent conductive agent to provide a highway for electron transport, improving the accessible capac­
ity; (iii) Fe3O4 particles separate GNSs and prevent their restacking thus improving the adsorption and immersion of electrolyte on the surface of electro-active material; and (iv) the porosity formed by lateral GNSs and Fe3O4 particles facilitates ion transporta­tion [53]. As a result, this unique laterally confined GNS/Fe3O4 composite can dramatically improve the cycling stability and the rate capability of Fe3O4 as an anode material for lithium ion batteries [53].

More intriguingly graphene composites have been utilised as both anode and cathode materials, such as in the case of graphene/LiFePO4 [63], and graphene/Li4Ti5O12 [64], where their application is promising for Li-ion secondary batteries, however, such outputs are not as high as previous reports, questioning their suitability into this field.

In light of the literature discussed above current research regarding graphene as a Li-ion storage device indicates it to be ben­eficial over graphite based electrodes, exhibiting improved cyclic performances and higher capacitance for applications within Li-ion batteries. Again, exciting future developments within this area are expected and there is no doubt that among the greatest perform­ers to materialise within the near future, a hybrid graphene based material will reside.

2.3. Miscellaneous energy storage devices (solar power)

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Fig. 5. (A) Schematic of a flexible interleaved structure consisting of graphene nanosheets (GNS) and Fe3O4 particles. (B) (a) SEM image of the cross-section of GNS/Fe3O4 composite, and (b) TEM. (C) Cycling performance of commercial Fe3O4 particles, GNS/Fe3O4 composite, and bare Fe3O3 particles at a current density of 35 mAg-1 - solid symbols, discharge; hollow symbols, charge. Reproduced with permission from Ref. [53]. Copyright (2010) American Chemical Society.

Of further interest and significant importance in the develop­ment of clean and renewable energy is the application of graphene in solar power based devices, where photoelectrochemical solar
energy conversion plays an important role in generating electrical energy [65,66].

Recently Chang et al. [66] developed a novel photoelectro- chemical cell (PEC) based on a graphene/poly(3-octyl-thiophene) (POT) nanocomposite for use within photovoltaic energy conver­sion where their composite provides a general platform for next generation solar energy conversion, photoconductivity, and pho- todetectors. Chang et al. [66] have demonstrated that the doping of graphene in the POT film significantly improves the photocurrent generation rate as well as the photovoltaic conversion efficiency of the PECs by over 10 folds than that of pure POT [66]. Moreover, the electron transfer resistance of the graphene/POT nanocomposite decreased significantly and was only 10% of pure POT, suggesting that the graphene composite may serve as a promising platform for solar energy conversion within the future. It was noted that the performances of the PECs were largely dependent on the graphene content and morphology, with the highest efficiencies obtained at a graphene content of 5wt% in the nanocomposite [66], and the greatly improved responses being attributed to graphene's high capability as an electron acceptor in addition to its large surface area and high electron mobility; all of which are essential to the performance of higher energy conversion solar cells.

Some reports have criticised the use of graphene use as a trans­parent conductor stating that its conductivity ratio is too small, but it has been suggested that substrate-induced doping can potentially increase the two-dimensional direct-current conductivity enough to make graphene a viable transparent conductor [67]. For exam­ple, Valentini et al. [68] have reported a facile method to use GNSs as part of a transparent electrode for the preparation of polymer solar cells. It is claimed that the application of GNSs in a polymer solar cell is plausible where functionalised graphene is cheap and easily prepared, and graphene is expected to be used as a hole acceptor material in polymer photovoltaic applications because the ideal monolayer of graphene has a transparency of 98% and a sheet resistance of 6k^ sq-1, making it suitable for transparent and conducting electrodes that are essential to many areas of mod­ern electronics and commonly found in touch-panels and solar cells [68].

3. Graphene in energy generation devices

In addition to the tremendous impact that graphene has undoubtedly had when utilised in the field of energy storage, graphene has also made a significant impact in the fabrication and application of energy generation devices. With the World's climate on the conscience of many and the depletion of non-renewable energy sources ever-nearing, the search for replacements has resulted in great interest in fuel cell applications and consequen­tially the examination and development of new electrode materials. Graphene is attractive as an electrode material for use within fuel cells because of its large surface area, improved enzymatic binding ability, unique electrical conductivity, widely applica­ble electro-catalytic activity, and low production costs [8-12]. Table 3 summarises the various applications of graphene in fuel cell devices.

3.1. Fuel cells

One notable contribution has been from Dai and co-workers [3] who explored graphene and nitrogen doped graphene formed via CVD towards the electrochemical reduction of oxygen (oxygen reduction reaction (ORR)), comparing it with commercially avail­able platinum (Pt) loaded carbon. Platinum has long been regarded as one of the best catalysts for the electrochemical ORR, and is consequently utilised in fuel cells, but has the drawback of being expensive and exhibiting time-dependent drift due to the poison- ing/deactivation of the Pt surface with carbon monoxide [3]. As depicted in Fig. 6, Dai et al. have reported that nitrogen-doped graphene acts as a metal-free electrode with a greatly enhanced electro-catalytic activity, long-term operation stability, and tol­erance to crossover effect than Pt for oxygen reduction via a four-electron pathway in alkaline solutions producing water as a product [3]. However, note that the over-potential is less on the Pt surface, and therefore the observed high current density in Fig. 6 might be due to incorrect normalisation of surface area [11].

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Fig. 6. Digital photo image of transparent nitrogen doped graphene film floating on water. Rotating disc voltammograms for electrochemical reduction of oxygen in air- saturate 0.1 M KOH. Rotation speed 1000 rpm, scan rate 0.01 Vs-1, all masses of the material the same = 7.5 |xg. Reproduced with permission from Ref. [3]. Copyright (2010) American Chemical Society.

In proton exchange membrane fuel cells (PEMFCs) Pt based electro-catalysts are widely used as anode and cathode electro- catalysts for hydrogen oxidation and for ORRs respectively. In recent workJafri et al. [69] utilised GNS and nitrogen doped-GNSs as the catalyst support for Pt nanoparticles for ORRs in PEMFCs. The authors constructed a fuel cell with Pt loaded GNS where the power densities 440 and 390 mW cm-2 were obtained for nitrogen doped-GNS-Pt and GNS-Pt respectively [69].Jafri and co-workers comment on the improved performance inferring that the nitrogen doping process creates pyrrolic nitrogen defects acting as anchor­ing sites for the deposition of Pt nanoparticles, and is also likely due to increased electrical conductivity or improved carbon-catalyst binding [69]. Contrasting earlier work by Zhang et al. [70] has demonstrated that the fabrication of low-cost graphite submicron- particles (GSP) can be employed as a possible support for polymer electrolyte membrane (PEM) fuel cells, where Pt nanoparticles were deposited on GSP in addition to carbon black and CNTs via a ethylene glycol reduction method. Zhang and colleagues report that the Pt/GSP showed the highest electro-catalytic activity towards the ORRs and that a durability study indicated the Pt/GSP was 2-3 times more durable than the CNT and carbon black alternatives [70]. However, recently [71] the dispersion of Pt on GO has been shown to be useful for achieving relatively enhanced performance in fuel cells, essentially the use of GO as a support material for the distribution of Pt nanoparticles provides new ways to develop advanced electro-catalyst materials for hydrogen fuel cells; here a partially reduced GO-Pt based fuel cell delivered a maximum power of 161 mWcm-2 compared to 96 mWcm-2 for an unsupported Pt based fuel cell.

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Table 3

Overview of the power and current densities obtained by the utilisation of a range of graphene based materials and various other comparable materials as an electrode material in fuel cells.

Type of substrate

Fuel/oxidant Current/power density at maximum power

Power density vs. time

Comments

Ref.

Au/GNS/GOx

Glucose 156.6 ± 25 |xAcm-2

24.3 ± 4 |xW at 0.38 V (load 15 kQ)

Tested every day with a 15 kQ external load. After the first 24 h, it had lost 6.2% of its original power output. Later, the power output was found to decay slowly and became 50% of the original value after 7 days

[24]

Au/SWCNT/GOx

Glucose 86.8 ± 13 |xAcm-2

7.8 ± 1.1 |xW at 0.25 V (load 15 kQ)

N/A

[24]

GNS-Pt

H2/O2 390 mWcm-2

NT

PEMFC

[69]

GO-Pt

H2/O2 161 mWcm-2

NT

N/A

[71]

Nitrogen doped-GNS-Pt

H2/O2 440 mWcm-2

NT

PEMFC

[69]

Pt

H2/O2 96 mWcm-2

NT

N/A

[71]

Key: Au - gold; GNS - graphene nanosheet; GO - graphene oxide; GOx - glucose oxidase; N/A - not applicable; NT - not tested; PEMFC - proton exchange membrane fuel cell; Pt - platinum; SWCNT - single walled carbon nanotube.

Direct methanol fuel cells have drawn great attention recently due to their high energy density, low pollutant emission, ease of handling the liquid, and low operating temperatures (60-100 °C), however, low electro-catalytic activity towards methanol oxida­tion is hindering exploitation [72]. Graphene has been linked to the enhanced electro-catalytic activity of catalysts for fuel cell applica­tions, in-particularly Xin et al. [72] have recently demonstrated that the utilisation of a platinum/GNS (Pt/GNS) catalyst revealed a high catalytic activity for both methanol oxidation and the ORR when compared to Pt supported on carbon black (C). Xin and co-workers deposited Pt nanoparticles onto GNS via synchronous reduction of H2PtCl6 and GO suspension using NaBH4; Their results, CV profiles, are depicted in Fig. 7 where the peak current towards methanol electro-oxidation is shown and it is apparent that the current density of the Pt/GNS catalyst (182.6 mAmg-1) outperforms the response of Pt/C (77.9 mAmg-1). However, it is noted that the prior

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Fig. 7. Cyclic voltammograms of methanol oxidation on (a) Pt/carbon black, (b) Pt/graphene, and (c) Pt/graphene-heat treated modified composites. Scan rate: 20 mVs-1,0.5 M H2SO4 and 0.5 M CH3OH. Reprinted from Ref. [72] with permission from Elsevier.

heat treatment of the Pt/GNS catalyst improved the performance further by ~3.5 times over that of the Pt/C response; a response supported by previous literature [72,73]. Moreover, chronoam- perometric analysis was performed to analyse the stability of the fabricated catalysis towards methanol oxidation, and it was depicted that all of the catalysts decayed rapidly in the initial stages, gradually reaching a steady state where it was clear that the great­est activity and stability was achieved by the heat treated Pt/GNS with an ending current of 55.5 mAmg-1, followed by Pt/GNS and Pt/C respectively - suggesting that the heat treatment of a Pt/GNS catalyst provides greatly improved methanol oxidation than cur­rent materials [72]. Other similar work [74] has demonstrated that using a GNS supported Pt-Ruthenium (Ru) nano-composite, improved catalytic activity is achievable towards the oxidation of methanol when contrasted to a Pt-Ru/Vulcan base alternative. Moreover, work by Dong et al. [6] has demonstrated that Pt and Pt-Ru nanoparticles synthesised onto GNSs exhibit high electro- catalytic activity towards methanol and ethanol when contrasted against graphite alternatives, leading to a greatly reduced over- potential and increased reversibility, thus these findings favour the use of graphene sheets as catalyst supports for both direct methanol and ethanol fuel cells [6]. Additionally, Shang et al. [75] have investigated the application of uniform and porous GNSs as a support for catalytic Pt nanoclusters in direct-methanol electro- oxidation, where again, as observed throughout the energy related field, it appears that hybrid materials exhibit distinctly supe­rior electrochemical characteristics than the standard components, particularly in the fabrication of fuel cells, as this novel graphene supported Pt based nanostructure has the potential to serve as a low-cost and highly efficient electrode material for methanol fuel cells.

As demonstrated in the above examples, GNSs pose as a good candidate for use as a supporting material in high-loading metal catalysts for potential applications in the fabrication ofhigh-energy 'greener' solutions to current issues surrounding fuel cells; we expect the fundamental processes to be determined for metal immobilisation onto graphene, which is currently still not fully understood.

3.2. Microbial bio-fuel cells

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Microbial fuel cells (MFCs) have emerged within recent years offering great opportunities for cleaner more sustainable energy whilst at the same time utilising waste products and meeting increasing energy needs [76]. MFCs are essentially bioreactors that generate electricity from the degradation of organic substances with the aid of the metabolic activity of microorganisms (bacteria) [76,77]. As with other low-temperature fuel cells the slow kinetics of the ORR at the cathode has limited the performance and energy

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production of the MFC, thus in order to improve the cathodic per­formance the development of catalysts is essential [77]. Recently Wu and colleagues [77] identified the need to investigate the cat­alytic activity of graphene upon the ORR in neutral media for its potential application in MFCs. Wu and co-workers demonstrated that reduced graphene sheets (RGSs), prepared via chemical reduc­tion of graphite oxide, are an excellent potential electrode material for MFCs, showing that the modification of a glassy carbon elec­trode (GCE) with RGSs (using the electrolyte 3.5% NaCl) resulted in an obvious positive shift of the peak potential (lowering the overpotential) and a larger current density [77].

It is clear that graphene has not yet been fully explored within this area, but we expect many more examples and applications within this field to appear in the not so distant future, building on the already vibrant examples available utilising graphite and CNTs, for instance in the treatment of domestic and industrial wastewater for the generation of energy [76].

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Fig. 8. Graphene based membraneless EBFC components employing GOx/FM and BOD/ABTS functionalised electrodes as biocatalytic anode and cathode, respectively. Reprinted from Ref. [24] with permission from Elsevier.

3.3. Enzymatic bio-fuel cells


 

Recently, there has been substantial interest towards the development of enzymatic biofuel cells (EBFCs) as they possess the potential to be employed as an 'in-vivo' power source for implantable medical devices such as pacemakers [24]. The most striking feature of the EBFC is that they can utilise glucose or other carbohydrates copiously present in the human body as a fuel. However, EBFCs have major issues to be rectified including low power densities and poor stability. The low power density of the EBFC in comparison with conventional inorganic fuel cells is due to the location of the active site of the enzyme buried deep under the protein shell; hindering the electron transfer pathway between the enzyme's active site and the electrode. Previously CNTs have been employed to improve electron transfer to sites 'buried' deep within the enzyme and other approaches involve the covalent binding of the enzyme, for example, GOx for use in bio- fuel cells with glucose as a fuel - however, a complex chemical treatment process of CNTs has to be performed in order to create active binding sites on the edge of the CNTs. Such a process how­ever, likely hinders mass production [24]. Furthermore, a number of redox mediators are widely used to boost electron transfer rates between the species involved. Due to graphene's excellent conduc­tivity, ballistic electron mobilities at room temperature [24], large surface area, and other unique properties (as discussed above) it is thought of as an optimal replacement and starting platform for fur­ther research, where high performance EBFCs are expected soon. It is also worth mentioning that graphene can be synthesised to possesses a number of surface active functional moieties; such as carboxylic, ketonic, quinonic and C=C. Of these, the carboxylic and ketonic groups are reactive and can easily bind covalently with, for example, GOx. The presence of extended C=C conjugation in graphene is also expected to shuttle electrons [24].

Although this is a relatively new area of graphene research and consequentially there is limited literature available, one of the few papers currently available is highly exciting. The most compelling advancement within this area of electrochemistry concerns the use of GNSs within the construction of membraneless EBFCs, as reported by Liu et al. [24] who employed graphene to fabricate the anode and cathode in a biofuel cell; Fig. 8 depicts their experimental set-up. The anode of the biofuel cell consisted of a gold electrode on which the authors co-immobilised graphene with GOx using a silica sol-gel matrix whilst the cathode was constructed in the same manner except they employed bilirubin oxidase (BOD) as the cathodic enzyme. Voltammetric measurements were conducted to quantitatively evaluate the suitability and power output of employ­ing a GNS as an electrode dopant and its performance was compared with a similar EBFC system constructed using SWCNTs. Upon com­parison, the graphene based biofuel cell exhibited a maximum power density of 24.3 ± 4 |W at 0.38 V (load 15 k^), which is nearly two times greater than that of the SWCNTs EBFC (7.8 ± 1.1 |W at 0.25 V (load 15 k^)). The maximum current density of the graphene based EBFC was found to be 156.6 ± 25 |A cm-2, and for the SWCNT based EBFC 86.8± 13 |Acm-2. Therefore, it is evident that the graphene based electrode is better suited for applications in EBFCs. To evaluate the stability of the graphene based EBFC, the system was stored in pH 7.4 phosphate buffer solution at 4°C and tested every day with a 15 k^ external load. After the first 24 h, it had lost 6.2% of its original power output. Later, the power output was found to decay slowly and became 50% of the original value after 7 days; which is substantially longer than other EBFC devices, and outperforms the SWCNT based EBFC [24]. The authors stated that the enhanced performance was based upon; (i) the larger surface area of graphene in comparison to SWCNTs; (ii) graphenes greater sp2 character than other materials within its field (responsible for shuttling the electrons and assisting in the better performance of the EBFC); (iii) and the larger number of dislocations and electro- active functional groups present in graphene.

4. Conclusions

Research concerning the search for elevated energy permitting devices and cleaner alternatives for energy generation has jour­neyed down an interesting path. The investigation of graphene within the context of energy thus far has led to the development of devices with great potential for utilisation and exploitation within the near-future, where perhaps the emergence of hybrid materi­als or the utilisation of nano-architectonics will be of paramount importance to aid in the development of state-of-the-art nanotech- nology and its utilisation within energy related themes. It must be noted where the utilisation of graphene is inferred, adequate characterisation of the graphene must be performed and is of great importance when ensuring that inaccurate claims are not boasted where graphene is absent and rather another derivative of carbon such as 'multi-layer graphene' viz graphite is the true origin; and in light of this we suggest that appropriate control experiments in the form of various other carbon based materials such as graphite and activated carbons are performed. Having summarised the current literature regarding the use of graphene in various energy related applications including batteries, super-capacitors, and fuel cells, it is clear that although graphene is still a relatively new material it has already made a wide and diverse impact, and with the contribu­tion of current literature portraying graphene as far-superior than its rival materials, much more is expected from this novel material
within the near future - graphene looks to be a likely candidate for utilisation in energy storage/generation applications through frantic and intense interest. For such applications to be adopted into commercial entities there are still many hurdles to overcome such as; scalability, reproducibility, continuity of energy outputs and storage capabilities, the reproducibility and characterisation of graphene itself, and its inherent cost.

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Contents

1. Introduction...................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 00

1.1. Graphene: an introduction.......................................................................................................................................................................................................................................................... 00

1.2. Graphene: a unique array of properties.................................................................................................................................................................................................................................. ..... 00

3. Graphene in energy generation devices................................................................................................................................................................................................................................................. 00

3.1. Fuel cells.......................................................................................................................................................................................................................................................................................... ..... 00

3.2. Microbial bio-fuel cells............................................................................................................................................................................................................................................................... ..... 00

3.3. Enzymatic bio-fuel cells............................................................................................................................................................................................................................................................. ..... 00

4. Conclusions.................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 00

References........................................................................................................................................................................................................................................................................................................ ...... 00


[1] Corresponding author. Tel.: +44 1612471196; fax: +44 1612476831. E-mail address: c.banks@mmu.ac.uk (C.E. Banks).

0378-7753/$ - see front matter ? 2011 Elsevier B.V. All rights reserved. doi:10.1016/j.jpowsour.2011.02.022

[2] Graphene in energy storage devices........................................................................................................................................................................................................................................................ ..... 00

2.1. Graphene as a super-capacitor................................................................................................................................................................................................................................................... ..... 00

2.2. Graphene as a battery/Li-ion storage..................................................................................................................................................................................................................................... 00

2.3. Miscellaneous energy storage devices (solar power)........................................................................................................................................................................................................ ..... 00

Source : http://dcinside.com/webdc/lecture/study_list.php?id=3922&code1=20&code2=30

 

배드섹터란
배드섹터를 알기 위해서는 먼저 하드디스크 내부에 대해서 알아야겠지요? 하드디스크 내부에는 데이터를 실질적으로 정하는 플래터와 그 위를 오가며 데이터를 쓰거나 입력해주는 헤더로 구성되어 있습니다. 이 플래터와 헤더 사이의 간격은 사람의 머리카락보다 얇은 공간으로 띄어져있어 외부 충격에 굉장히 민감하게 반응합니다. 이렇게 제조된 원인은 더욱 빠르게 데이터를 읽고 쓰기 위해서입니다. 헤더가 플래터에 데이터를 기록할 때는 트랙을 돌면서 일정한 간격으로 선을 긋고 데이터를 기록할 수 있도록 나누는데 이것을 바로 섹터라 말합니다. 이 섹터가 외부 충격에 의해 사용하지 못하는 경우를 배드섹터라 말합니다.
앞서 말한 바와 같이 하드디스크 내부의 헤드와 플래터는 매우 미세한 간격으로 벌어져 있어 충격에 굉장히 민감합니다. 일반적인 상식으로 하드디스크를 사용할 때 움직이면 충격에 의해 헤드가 플래터 부분을 긁는 현상이 발생해 베드섹터가 생기고, 이와 반대로 하드디스크 전원이 꺼진 상태에서는 어중간한 충격에도 쉽게 고장나지 않는다고 생각하는 유저가 많습니다. 하지만, 이는 옳지 못한 생각입니다.

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하드디스크는 전원이 꺼진 상태에서 동작하지 않더라도 작은 충격이 가해지면 헤드가 움직이면서 베드섹터를 발생시킬 수 있습니다. 예를 들어 하드디스크를 개인용 컴퓨터에 설치할 때, 베이에 밀어넣는 도중 케이스와의 충격에 의해서 베드섹터가 생성될 수 있으며, 베이가 나사를 이용해 고정할 때도 이와같은 현상이 발생할 수도 있습니다. 이런 현상을 "하드 슬랩(Hard Slap)"이라 말하는데, 근래 출시된 하드디스크는"충격 보호 시스템(SPS: Shock Protection System)"이란 기술을 통해 헤드를 고정시켜 주는 암(Arm)을 단단하게 고정하기 때문에 많이 줄어들었습니다. 하지만, 완벽함이란 있을 수 없으므로, 하드디스크 취급시 항상 주의를 기울여야합니다.
하드디스크에게 배드 섹터는 암세포만큼 치명적입니다. 특히, 한번 생긴 배드 섹터는 시간이 지날수록 그 범위가 점점 커져서 나중에는 아예 복구 불능 상태로 만들어 버리기 때문에 빨리 발견하여 복구하는 것이 좋습니다.
  1. 논리적 배드섹터
논리적 배드섹터는 하드디스크 포맷 과정을 거치면 없어지는 배드섹터를 말합니다. 한마디로 소프트웨어상 충돌에 의해 발생된 오류로 하드디스크 자체내에 문제는 없어 포맷이나 디스크 검사등을 통해 손쉽게 치료할 수 있습니다. 때문에 논리적 배드섹터는 치명적인 오류를 발생하지 않습니다.
  2. 물리적 배드섹터
물리적 배드섹터는 외부 충격을 받아 플래터의 일부분이 파손되는 것을 의미합니다. 이렇게 파손되서 발생한 배드섹터는 데이터의 읽기, 쓰기가 불가능할 뿐만 아니라, 파손된 파편이 플래터 표면에 남아 데이터를 기록하는 헤드에 변형을 일으켜 결국 다른 플래터에서 배드섹터를 점점 증가시키는 원인을 제공합니다. 때문에 이런 배드섹터는 논리 배드섹터와 달리 디스크 검사는 포맷으로는 절대 복구할 수 없어 하드디스크를 제작한 해당 제조사의 A/S 센터를 방문해야 합니다.
간혹 하드디스크를 공장 출시당시로 돌려주는 로우포맷을 통해 고칠 수 있다고 생각하는 유저가 있는데 이는 매우 위험한 상상입니다. 앞서 말한 바와 같이 파손된 찌꺼기가 헤드와 플래터 사이에서 헤드를 변형시키커나 플래터를 파손할 수 있어 오히려 더 많은 배드섹터의 증가를 초래할 수 있기 때문입니다.

배드섹터 예방법

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배드섹터를 최소화하고 하드디스크를 고장 없이 오래 사용하려면 디스크와 저장된 파일을 정기적으로 검사하는 것이 좋습니다. 간혹, 디스크 검사를 자주해주면 하드디스크 수명이 단축된다 믿는 사용자들이 있는데 이 프로그램을 수명과는 아무런 관계가 없으므로 크게 걱정하지 않아도 됩니다. 예전에는 노턴 유틸리티를 이용해 이런 검사를 많이 했지만, 현재 윈도우에서는 이런 디스크 검사를 기본으로 제공하고 있기 때문에 프로그램을 별도 구입하지 않아도 됩니다.

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만약, 이 방법을 사용해도 베드섹터가 발생한다면, 데이터를 백업하고 전체포맷하는 것도 좋은 방법중 하나입니다. 하지만, 이마저 안된다면, 해당 하드디스크를 제조사 A/S 센터에 가서 수리를 받거나 무상 서비스 기간에 따라 제품을 교환받을 수도 있습니다. 간혹 로우레벨 포맷으로 해당 원인을 혼자 고치려는 사용자들이 있으나 이는 오히려 베드섹터를 악화시기커나 하드디시크 수명을 단축시키는 일이므로 본인이 잘 알지 못한다면, 시도하지 않는게 좋습니다.

Source : http://www.breezer.pe.kr/bbs/zboard.php?id=greeting&page=16&sn1=on&divpage=1&sn=on&ss=off&sc=off&keyword=%BE%C8%B5%BF%C8%F1&select_arrange=headnum&desc=asc&no=2125&PHPSESSID=26b50fc5221886d4d4d4b9da6167fe62

 

 

직경 1cm, 높이 3mm의 초소형 발전기가 휴대전화의 전원으로서 충분한 1와트 이상의 전력을 생산하는 데 성공했다. 이 시험 제작기는 미국 육군 연구소로부터 자금 지원을 받아 수행되고 있는 '대체 배터리 프로젝트'의 일환으로서 미 조지아공대의 연구자 등에 의해 개발되었다. 이 시험제작기는 다양한 전자장치에의 응용이 기대된다. 연구원인 데이비드 아놀드는 “초소형 장치로 대용량 전력을 공급할 수 있게 된다.”고 말했다.
같은 대학의 연구자 등은 마이크로 엔진으로 불리는 시스템이 최종적으로 완성되면 종래의 배터리보다 발전량이 많고, 10배나 오래 가는 것이 실현될 가능성이 높다고 전망했다.
시험 제작기에서는 치과의사가 이용하는 드릴과 같은 압축 공기 시스템이 동력원으로 되어 있다. 설계자들은 연구 종료시까지 같은 크기의 마이크로 터빈과 제트를 이용한 발전기로 랩탑을 구동하기에 충분한 20~50와트의 전력을 생산할 수 있도록 한다는 계획이다.
이와 유사한 연구 개발이 각처에서 행해지고 있다. 작년에 영국의 버밍함 대학이 조지아 공대의 발전기와 동등한 크기의 세 종류의 디자인을 공개한 바 있다. 이 발전기에서는 각각 싱글 피스톤형, 프리 피스톤형, 마이크로 로터리형의 엔진이 채용되며, 연료로서 액체 CO2가 사용되고 있는데 향후에는 가솔린이나 프로판 등의 탄화수소 연료를 사용할 예정이라고 한다.
이 발전기는 코일 위에 동전(coin)형 자석을 회전시킴으로써 전기를 발생시키며, 회전 속도가 올라가면 발전량도 올라가는 구조다. 시험 제작기에서는 자석이 10만 RPM(회전/분)으로 회전한다. 이것은 자동차 교류발전기(alternator) 최고 속도의 5배 이상이다. 이 시스템에서 고성능 자석은 망가지기 쉽기 때문에, 이 문제를 극복하기 위해 자석 크기를 최적화시키고, 원심력의 영향을 최소화시키는 형태로 만들며 강도를 증가시키기 위해 티타늄 커버가 씌워져 있다.
이 프로젝트에도 참가하는 마크 알렌 교수는 “이것은 MEMS(미소전기 기계 시스템)를 기초로 한 마이크로 발전 시스템을 개발하는 데 중요한 한 걸음이 될 것이다.”라고 말했다.
한편, 초소형 연료전지를 개발하고 있는 미국의 MTI MicroFuel Cells사도 지난 6월 하순 노트북 PC나 휴대용 단말기에 탑재 가능한 제품의 개발에 성공했다고 발표한 바 있다. 이 회사는 '모비온(Mobion)'이라는 배터리의 원형(prototype)을 발표했다. 이 제품은 종래의 배터리보다 장시간 가동할 수 있고, 다른 연료전지와 비교하여 간단하게 생산할 수 있다.
직접 메탄올(direct methanol)을 이용하는 이 연료전지는 메탄올을 분해하여 전기를 생산하는데, 메탄올은 촉매막과 반응해 전기를 발생시킬 때 부산물로서 이산화탄소와 물도 발생한다. 이 기술은 컴퓨터 메이커 각사로부터 주목을 끌고 있으며, 특히 PDA와 휴대 전화, 노트북 PC의 메이커 등은 이것이 리튬 이온 배터리를 보완 또는 대체할 것으로 기대하고 있다. MTI Micro에 따르면, 이 기술에서는 물을 메탄올 탱크에 주입할 필요가 없다는 점이 타 경쟁사의 기술과 다른 점이라고 한다.
출처 : kisti
The Little Engine That Could Be
Louise Knapp  

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The micro turbine rotor
The development of a fuel-powered miniature engine, touted as a more efficient and longer lasting alternative for the battery, may push the Energizer Bunny to the unemployment lines.
No bigger than a regular shirt button, the micro gas turbine engine uses the same process for producing electricity as its big brother electricity stations -- burning fuel and running it through a power plant.
"Fuel and air in, and electricity out," said Luc Frechette, one of the Microengine Project team members at Massachusetts Institute of Technology.
Frechette is currently assistant professor of mechanical engineering at Columbia University.
At about one thousandth the size of a regular power station, the engine-on-a-chip will create about 1 millionth the power level, producing 20 watts of power at 2.4 million rpm from its cubic centimeter-sized package.
"It will give 10 times the amount of power that is generated by the best lithium battery," Frechette said.
And when the engine runs out of juice you just fill 'er up again. There's no need to wait to recharge or run out to the store for new batteries.
"If you take a laptop battery for instance, it's just a bit bigger than a deck of cards. The engine would take up the space of, say, a quarter. The rest of the space would be for the fuel tank," Frechette said.
"This fuel could last you for 24 hours and then, when empty, you can just refill the tank."
Weighing less than a gram, the engine is constructed from eight wafers of diffusion-bonded silicon and consists of a combustion chamber that ignites hydrogen and shoots hot gas past a spinning turbine that powers the compressor to drive the machinery.
The engine's tiny components -? the bearings, chambers and turbine -- are precision etched onto the silicon.
"We use the same miniaturizing technology that is used in the microchip industry," Frechette said.
Building a complex 3-dimensional engine on such a microscopic scale is no mean feat.
"We're pushing micro-fabrication to a new standard," Frechette said.
One complication in developing components whose dimensions are measured in hundreds of microns is the difficulty in finding the right tools for the job.
High speed rotating machinery requires high precision manufacturing to maintain tight clearance and good balance.
To ensure that the millimeter-sized machines have the required fractional precision, the tools used to create them have to be made with the same exact precision -? one micron off and the resulting engine will be a non-starter.
There's also the issue of stress.
"The engine is a spinning man-made machine that goes at 2 million revolutions per minute. We don't know yet what kind of stress or problems this may have on the moving parts," Frechette said.
These aren't the only challenges in building the engine.
"When you scale things down you also create more friction, which results in more heat," Frechette said.
This means that using a micro gas engine to power, say, your cell phone may mean you will feel your ears burn -? literally.
"The engine generates a lot of heat. Burning fuel produces heat that needs to be evacuated -- this means it won't replace the battery in all applications," Frechette said.
Once the problems of fabrication have been addressed, Frechette is confident that a complete system, with all the components in place, will be ready within the next year.
Frechette believes the first buyers will be from the military.
"The military are very interested in these. The small robots sent into the WTC rubble, for instance, had to be connected with cables to power them because their batteries are too heavy to carry," Frechette said.
The micro engine would eradicate these problems.
The commercial market will follow.
"For commercial use, the first application will probably be a battery charger -- if not actually in a laptop it could sit beside it," Frechette said. "Instead of having to get to an AC outlet, you can carry your power supply along with you."
Representatives from battery manufacturers Duracell, Rayovac and Energizer were unavailable for comment.
⊙ 전지보다 효율이 좋고 오래 가는 전지 대체품으로서 화석연료로 구동하는 초소형 발전기가 개발됐다. 이로 인해 건전지 메이커인 미국 에너자이저(Energizer)의 이미지 마스코트인 토끼도 실업자의 대열에 참가할지도 모른다.
⊙ 이 초소형 가스터빈 발전기는 홈페이지 http://www.wired.com/news/photo/0,1860,48400,00.html에 게재되어 있으며 크기는 보통 셔츠의 버튼 정도로 작지만 발전하는 방식은 화력발전소와 같이 화석연료를 태워 발전용의 터빈을 회전시킨다. 발전기 개발팀의 일원인 콜롬비아 대학(http://www.columbia.edu/ )의 색 후레시트 조교수(기계공학)는 "연료와 공기를 수중에 넣어 전기를 출력한다"고 설명했다.
⊙ 집적회로 수준의 이 극소 발전기는 일반 발전소에 비해 크기는 약 1,000분의 1이고, 발전 능력은 약 100만 분의 1이다. 1입방 센치의 유니트가 매분 240만 회전으로 20와트의 전력을 생산한다.
⊙ "가장 성능이 우수한 리튬 전지의 10배의 전력을 공급할 수 있다"고 후레시트 조교수는 말했다. "예를 들어, 노트 PC 배터리의 크기는 트럼프 1조보다 조금 크지만 발전기의 부분에 필요한 용적은 약 4분의 1 정도이고, 나머지 공간은 연료 탱크가 된다"고 후레시트 교수는 말하고 "이 정도의 연료 탱크라면 24시간 유지가 가능하다. 텅 비게 되면 탱크에 연료를 보충하면 되며 재충전될 때까지 가만히 기다려 있거나 새로운 전지를 사러 가게에 달려갈 필요는 없다"고 덧붙였다.
⊙ 무게가 1그램에도 못 미치는 엔진부는 확산 접합[가열 가압에 의해 재료간 원자의 확산 현상을 이용해 접합하는 방법]된 실리콘제의 얇은 판자 8매로 되어 있다. 연소실 내에서 수소로 점화해 고온 가스를 터빈에 분사함으로써 터빈으로부터 압축기에 에너지가 전달되어 발전장치를 구동하게 된다. 베어링, 연소실, 터빈 등 발전기의 소형 부품은 정밀한 에칭에 의해 실리콘의 표면에 형성된다.
⊙ "우리는 마이크로칩 산업이 사용하고 있는 것과 같은 소형화 기술을 채용하고 있다"고 후레시트 교수는 말하고 "이와 같이 미소한 규모로 복잡한 입체의 발전기를 제작한다는 것은 상당한 기술이며 이에 의해 초정밀 가공의 새로운 기준이 확립될 것"이라고 덧붙였다. 미크론 단위 치수의 부품을 개발할 때 난제의 하나는 작업에 적절한 도구를 어떻게 찾아내느냐는 것이다. 고속으로 회전하는 기계에는 고도의 밸런스를 유지하기 위해 높은 가공 정밀도가 요구된다. 밀리미터 크기의 기계에 필요한 높은 정밀도를 확보하기 위해서는 제조시에 고정밀도의 도구가 사용돼야만 한다. 1미크론이라도 어긋나면 완성된 발전기가 움직이지 않을지도 모르기 때문이다.
⊙ 또한 응력의 문제도 있다. "이 발전기는 사람의 손으로 만들어진 매분 200만회나 회전하는 기계다. 가동 부분에 어떠한 응력이나 문제가 생길 지는 아직 모른다"고 후레시트 교수는 설명했다. "크기를 작게 하면 상대적으로 마찰은 커지며 그 결과 발생하는 열도 불어나게 된다"고 그는 말했다. 예를 들어 초소형 엔진을 휴대전화의 전원으로 사용할 경우 귀에 화상을 입을 정도로 뜨거워질지도 모른다는 것이다. "발전기의 발열량은 크다. 연료를 연소시키면 열이 발생하므로 이것을 배출할 필요가 있다. 즉, 어떤 용도에서도 전지의 대용이 되려는 것은 아니다"며 조립 상의 문제가 해결되면 완전한 시스템이 내년 중에 완성될 것이라고 후레시트 교수는 말했다. - (hylee@kaeri.re.kr)

  1. ccat 2013.08.20 22:36 신고

    제폰에도 넣으면 좋겠네요.. 상용화된다면 휴대폰용 주유소가 생길듯ㅎㅎ

  2. ccat 2013.08.20 22:37 신고

    제폰에도 넣으면 좋겠네요.. 상용화된다면 휴대폰용 주유소가 생길듯ㅎㅎ

Source : http://www.gjrc.co.kr/bbs/view.php?id=tip&page=1&sn1=&divpage=1&sn=off&ss=on&sc=on&&select_arrange=hit&desc=desc&no=59&PHPSESSID=5eda647b781f0cede2a8f1743e0823c4

 

table

 

니트로메탄의 열량  
1Kg의 메탄올을 태우기 위해서는 6.45Kg의 공기가 필요하지만 1Kg의 니트로메탄을 태우기 위해서는
단지 1.7Kg의 공기가 필요할 뿐입니다. 엔진은 1행정당 실린더에 담을 수 있는 공기와 연료(혼합기)의
양이 한정됩니다. 따라서 출력을 높이기 위해서는 완전연소가 가능한 한도 내에서 보다 많은 연료를
실린더에 넣어 연소시켜야 하고 이때 공기비가 낮아도 연소가 가능한 니트로메탄은 메탄올에 비해
3.8배나 많은 양을 1행정에서 연소시킬 수 있습니다.
하지만 메탄올에 비해 니트로메탄은 에너지 밀도(발열량)가 낮습니다.
아래 표와 같이 메탄올은 19.9MJ/Kg, 니트로메탄은 11.3MJ/Kg, 가솔린은 43MJ/Kg 입니다.
따라서 엔진 1행정당 메탄올에 비해 최종적으로 3.8배보다 작은 2.2배의 동력을 얻을 수 있습니다.
니트로메탄을 RC연료로 사용하는 이유가 됩니다. 하지만 동시에 니트로메탄은 조기 점화와 노킹성향이
강하다는 점도 알아두어야 합니다.(따라서 고 니트로 연료사용시의 플러그는 표준치 보다 콜드타입이
적합합니다.)
니트로메탄의 화염온도와 연소속도
니트로메탄이 연소될 때 화염의 온도는 약 2400℃이고 대략 50cm/s의 층류연소(laminar combustion)
속도를 가지고있습니다. 이는 40cm/s의 메탄올 연소속도 보다도 빠릅니다.
(가솔린의 연소속도는 메탄올에 비해 10~20% 느립니다.)
따라서 이런 특성은 고속으로 운용되는 엔진에 적합하다 할 수 있습니다. 하지만 실제 연소속도는 공기
혼합비, 압력 그리고 온도에 더 큰 영향을 받습니다. 위에 제시한 연소속도로는 엔진을 돌릴 수가 없죠.
예로 우리가 15,000RPM의 엔진을 돌린다고 가정하면 1초당 250번의 폭발행정이 일어나고 이는 크랭크
축이 1회전하는데(1행정당) 1천분의 4초 즉 4ms의 시간이 걸린다는 계산이됩니다.
폭발행정에서 연료가 연소되는 구간은 크랭크 총 회전각 360°중에서 80°이고 연소시간은 약 0.8ms로
계산됩니다. 50,90급 엔진의 일반적인 스트로크가 약 21~22mm로 크랭크 회전각 80°에 해당하는
거리는 약 1cm로써 총 연소속도를 계산하면 약 1200cm/sec의 연소속도를 구할 수 있습니다.
이는 층류연소 속도의 약 30배에 해당하는 속도입니다.
니트로메탄의 냉각성능
연료는 액체상태입니다. 하지만 연소를 시키기 위해서는 기체상태라야 하고 액체상태의 연료를 기체로
바꾸기 위해서는 열이 필요한데 이 열을 기화열(Heat of vaporization)이라 합니다. 이 기화열은 연료가
기화하면서 엔진의 온도를 내려주고 동시에 낮아진 온도로 인해 피스톤의 가스압축을 원활하게 합니다.
RC엔진에서 발생하는 연소열과 마찰열을 내부적으로 냉각시키는 요인은 흡입공기, 연료의 기화열,
배출되는 가스와 윤활유가 대부분을 차지합니다.  
위의 표를 참고하면 메탄올의 기화열이 1.17 MJ/kg으로 니트로메탄의 0.56 MJ/kg 보다 높아 2배의
냉각효과를 기대할 수 있습니다. 하지만 앞서 설명대로 니트로메탄은 메탄올양의 3.8배의 대체효과를
가짐으로써 오히려 니트로메탄이메탄올에 비해  역으로 약 2배의 냉각효과를 가지게 됩니다.
흔히 니트로 함유율이 높은 연료가 히팅을 잘 하지 않는다고 하는데 그 이유가 이점 때문입니다.  
니트로메탄과 엔진출력
니트로메탄 증가에 따른 엔진의 출력은 RPM의 증가보다 토크의 증가측면이 크다고 할 수 있습니다.
RPM의 증가도 있으나 상대적으로 미약하고, 연료의 폭속과 폭압의 개념으로 구분할 때 폭압에 해당
한다는 뜻이 됩니다. 니트로메탄의 증가는 위에 설명한 니트로메탄 연소속도와 연관 지어 RPM의
증가를 쉽게 연상할 수 있지만 고 니트로 연료의 사용은 보다 짙은(Rich) 혼합기를 사용하는 환경이
되고 이는 연소속도의 지연을 유발하게 됩니다. 폭속을 만족하는 연소시간의 지연은 곧 스트로크
전반에 걸쳐 폭압을 분산하는 역할을 하므로 실질적인 엔진의 토크(출력)증가를 가져오게 됩니다.
여러 자료를 요약하면 다음과 같습니다.
1. 모형용 글로우 연료는 알콜, 니트로메탄, 윤활용 오일의 합성으로 이루어진다.
2. 15%, 20%, 30%는 연료내 니트로 성분의 함량을 말하며 니트로의 역할은 초기 점화 및 냉각에 영향을 미치게된다.
3. 실제 연료내의 폭발력은 알콜이 담당하지만 니트로가 없다면 작은 글로우 플러그의 잠열만으로는 파워풀한 폭발이 일어나기 어렵다.
4. 니트로가 폭발하면 주위의 온도는 차가워진다. 고니트로를 사용할수록 리치한 연료세팅 및 열흡수효과가 뛰어나므로 히팅걱정이 많이 사라진다.
5. 같은 20% 오일이라 하여도 50급 미만은 저점도 오일을 사용하고, 60급 이상의 엔진은 고점도 오일이 함유된 연료를 사용한다.
6. 지상용과 수상용은 매우 높은 알피엠을 사용하기에 저점도 오일을 사용하고, 항공용에비해 3~5%정도 적은 오일을 사용한다.
   (지상용과 수상용에서 높은 니트로를 사용하는 이유는 RPM이 높은만큼 많은 열이 발생하기에 높은 니틀를 통해서 많은 냉각이 필요하기 때문이다.)
   (높은 니트로함량은 RPM보다 토크에 영향을 많이 끼친다.)
7. 항공용의 경우 섭씨100도를 기준으로 하지만 자동차의 경우 120도의 고온에도 무난하게 잘 돌아 준다.
8. 항공용 연료를 차량에 쓸경우 중속까지는 엔진이 돌아 주지만 고속에서는 쉽게 꺼진다.
9. 지상용 연료를 항공에 사용한다면 20회 정도는 문제 없지만 얼마 못가 엔진의 마모 및 히팅의 위험으로 엔진의 수명이 현저하게 떨어진다.
10. 2사이클 엔진의 경우 연료가 크랭크축을 통해 엔진블럭을 통과하여 실린더로 들어가기 때문에 실린더에서 폭발이 이루어지면 니트로 특성상
   주위의 온도를 낮추기 때문에 냉각경로를 살펴보면 엔진 블럭, 크랭크축, 캬브레이터까지 시원한 냉각이 이루어진다.
   이유인즉~ 넉넉한 니들만으로 히팅을 예방할 수 있다.
11. 4사이클 엔진의 경우 연료가 헤드를 통에 바로 유입되기 때문에 실린더에서 폭발이 이루저 지더라도 니트로성분의 특성을 통해 매니폴더와 캬브레이터만 냉각이 이루어진다.
     또한 RPM이 현저히 낮게 때문에 니트로로인한 냉각효율이 좋지 못하다.
    배기량이 낮다면 엔진 열 또한 낮기대문에 프로펠러에서 나오는 바람과 윤활성 오일로서 충분하지만.
    배기량이 높은엔진은 그만큼 폭발온도가 높아지므로 프로펠러에서 나오는 바람과 윤활유로서 충분치 못하고 곳바로 히팅으로 이어진다.
    4사이클의 경우 히팅이 되면 2사이클보다 치명적이다.
    대배기량 4사이클의 경우 넉넉한 니들만으로 히팅을 예방할 수 없다.
    이유인즉~ 이에 맞는 오일 성분과, 냉각성분, 등을 통해 히팅을 예방할 수 있다.
    잘못된 지식으로 무조권 오일 함량이 많은 연료라하여 사용하면 안된다.
    연료를 선택할때 세계적으로 충분히 검증된 회사와 이에 맞는 성분등 각각에 맞게 만들어진 연료..특성에 맞게 골라쓴다.
-참고자료 -
*    Nitromethane  From Wikipedia, the free encyclopedia
http://en.wikipedia.org/wiki/Nitromethane
**   Combustion in glow plug engines
http://members.tripod.com/myles_sheehy/id26.htm
*** 메틸알콜의 화염전파속도에 관한 연구    
      Study on the Flame Propagation Velocity of Methyl Alcohol 출처:한국과학기술정보연구원

  1. 지나가던 공대생 2018.01.24 16:18 신고

    좋은글 정말 감사드립니다
    어려운 내용이었지만 덕분에 모두 이해하고갑니다 ^^

Source : http://xenix.kr/1722444

 

요즘은 너무나 쉽게 볼 수 있는 USB 메모리. 이 메모리를 사용하면 PC에는 USB메모리 사용 흔적이 남게 됩니다. 보안상의 이유 등으로 이런 흔적을 삭제해야 하거나, 마찬가지로 보안상의 이유로 다른 USB 메모리가 사용된 적은 없는지 알아보는 방법에 대해 얘기 해 보도록 하죠. 이는, MP3 Player, 외장형 하드디스크등 메모리로 잡히는 모든 USB장치에 적용 됩니다.
1. 레지스트리
첫번째로 USB메모리 사용 흔적이 기록되는 곳은 바로 레지스트리 입니다. 레지스트리 에디터 실행 방법 정도는 다들 아시리라 믿고. (시작버튼 -> 실행 -> "regedit" 입력 후 엔터)

clip_image001

HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Enum\USB 라는 경로로 이동하시면 위와같은 것들이 보입니다. 저 Vid_ 로 시작하는 것들이 바로 다양한 USB메모리들 입니다. 많이도 꽂았네요. 삭제를 원하시면 각각의 항목에서 마우스 오른쪽 버튼을 누른 후 '삭제' 를 클릭하시면 되는데, 일반적으로 그냥 지워지지 않습니다.

clip_image002

이런 경우에는 해당 항목에서 마우스 오른쪽 버튼을 클릭 후 '사용권한' 항목을 선택하신 후에,

clip_image003

Everyone 으로 되어있는 상태에서 아래쪽에 있는 '모든 권한' 에 '허용' 에 체크하시고 '확인' 을 누르신 후에 해당 항목을 다시 삭제 해 보시면 이제 삭제가 되실겁니다.
이렇게만 하고 끝나면 좋겠지만, 그 바로 아래
HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\ControlSet\Enum\USBSTOR 라는 항목을 보시면

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더 적나라하게 장치 이름이 기록 되어 있지요. 흔히 아는 이름으로 뭐 iRiver 도 보이고.. Samsung YP-P2, Samsung YP-S5.. 이 PC는 MP3 Player 만 3대를 사용하고 있네요 ㅋ 위에서 하신 것과 마찬가지 방법으로 해당 항목들을 삭제 하시면 레지스트리는 정리가 된 것 입니다.
2. setupapi.log 파일
이 파일의 존재는 아마 대부분의 분들이 모르고 계실겁니다. 하지만, 이 파일은 레지스트리 만큼이나 여러분들이 이 PC에서 뭘 했는지를 상세히 담고있는 파일중 하나입니다. 이 파일은 "C:\Windows\setupapi.log" 라는 이름으로 존재합니다. (물론 여기서 C:\Windows\ 는 여러분의 Windows 설치 폴더 겠죠 ?) log 확장자의 파일은 일반적으로 메모장에 연결되어 있으므로, 간단히 [ 시작-> 실행-> "setupapi.log" 라고 입력 후 엔터 ] 와 같은 방법으로도 열어보실 수 있습니다.

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쭉 내려보시면, OS의 버젼부터 플랫폼, 제품군 종류부터 해서 여러분들이 어떤 장치를 설치했고 삭제 했는지 내역이 전부 나옵니다. 이 기록은 PC에 Windows 를 설치한 후부터 계속해서 누적 기록됩니다.

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이 파일에서 Ctrl + F 를 눌러 "대용량 저장소" 혹은 "USB\VID_" 와 같은 문자열로 검색하시면 USB 메모리가 설치된 내역을 찾으실 수 있는데, 위에서 보시는 바와 같이 설치된 날짜로 시작하는 대괄호 부분부터 "장치를 설치했습니다." 가 나오는 부분까지를 삭제하시면 USB 사용 내역이 삭제 됩니다.
흔히들, '컴퓨터를 잘한다' 고 하는 사람들이 '나는 니가 이 PC로 한 일을 알 수 있다' 고 하면 거짓말 같지만, 우리들의 친절한 윈도우는 이렇게 대부분의 사용정보를 기록하고 있기 때문에 여러분이 PC로 뭘 했는지 알아내는건 그리 어렵지 않습니다. 항상 PC를 사용할 때엔, 내가 하는 짓거리(?)가 어딘가 기록되고 있구나 라는걸 잊지 말아야 할 것입니다. : D

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Source : http://www.ebuzz.co.kr/content/buzz_view.html?m_id=0702&cat_id=030&uid=83883&page=2

 

인텔, AMD, 아수스, 엔비디아....... PC 꾼들에게는 너무나 익숙한 이름이다. 인텔이 미국 회사라는 건 알겠는데 AMD가 독일 회사인지, 엔비디아가 중국회사인지는 헷갈린다. 또 국내에는 어떤 업체가 유통을 맡고 있는지도 궁금하다. 이런 궁금증을 가져 봤다면 이번 꼭지에서 정리한 내용을 눈여겨보자.

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■ CPU - 인텔 [인텔 코퍼레이션]

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창립년도 : 1968
본사 : 미국 캘리포니아 산타클라라
인텔의 역사를 거슬러 올라가면 1968년에 도달한다. 로버트 노이스와 ‘무어의 법칙’으로 잘 알려진 고든 무어가 반도체 메모리칩을 생산하는 ‘인터그레이티드 일렉트로닉스 코포레이션(Integrated Electronics Corporation)’이란 회사를 만들었다. ‘인텔’이란 브랜드는 이 회사명을 줄인 것이다.
이들은 1971년 세계 최초로 마이크로프로세서를 개발해 개인용 컴퓨터를 의미하는 퍼스널컴퓨터(PC) 시대를 열었다. 1978년에 8비트의 8,086 CPU를 얹은 IBM PC가 폭발적인 인기를 얻으며 CPU 분야에서 인텔이란 이름을 널리 알렸고 286, 386, 486, 펜티엄을 이어 최근의 코어 시리즈까지 꾸준하게 제품을 개발해 오늘까지 CPU 제조업체의 1위를 고수하고 있다.
본사는 미국 캘리포니아 산타클라라에 있고 공장은 전 세계의 30곳이 넘는다. 2003년에 한국은 100억 달러 규모의 인텔 공장을 유치하려 했으나 무산됐다. 국내에는 인텔코리아가 여의도에 자리 잡고 있다. CPU를 유통하는 업체는 인택앤컴퍼니, 코잇, 피시디렉트가 있다.

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같은 인텔 CPU라도 태어난 공장이 다르다. 한국에 공장이 있었다면 코리아(Korea)가 찍힌 CPU를 볼 수 있었을 테다.

인텍앤컴퍼니 www.intechn.com
서울시 용산구 원효로 2가 52-3 / 02-2129-7900
수리정책 / 3년의 보증기간을 두고 있다. 벌크는 제외. 기본 쿨러가 있어야 한다.
코잇 www.coit.co.kr
서울시 용산구 원효로 3가 140번지 9층 / 02-716-7303~4
수리정책 / 별도 문의
피시디렉트 www.pcdirect.co.kr
서울시 용산구 원효로3가 51-30번지 7동 3층 53호 / 1588-3877
수리정책 / 3년 무상보증

■ CPU - AMD [어드밴스드 마이크로 디바이시스]

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창립년도 : 1969
본사 : 미국 캘리포니아 주 써니베일
1969년 상업용 집적회로를 연구 개발하던 ‘페어차일드 반도체’의 직원 몇 명이 회사를 떠나다. 새로운 반도체 회사를 차린다. 바로 AMD다. AMD는 논리 연산에 특화된 칩셋을 개발하였고 1975년에는 메모리 사업에도 뛰어들었다. 인텔이 개발한 8,080칩을 의식했던 탓인지 9,080이란 이름으로 인텔 복제 칩을 만들었다.
인텔 호환 프로세서를 만들며 이름만 유지하던 AMD는 1991년 Am386 프로세서를 개발해 CPU 제조회사로 이름을 알리기 시작한다. 끊임없는 독자기술과 연구개발로 인텔보다 앞서 1GHz CPU를 개발해 사람들을 놀라게 했고 지금은 인텔과 당당히 경쟁하는 업체가 되었다.
2006년 6월 24일 AMD는 그래픽 칩 개발업체인 ATI를 54억 달러에 인수했고 2008년 7월 더크 마이어가 AMD의 새로운 CEO가 되었다. 본사는 인텔과 같은 미국 캘리포니아에 있으며 국내의 AMD코리아는 서울 강남구 삼성동에 있다. 대원컴퓨터, 에스에이엠티, 제이씨현이 CPU를 담당하고 있다.

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인텔의 8,080칩을 의식한 AMD의 9,080칩

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대원컴퓨터 www.dwcom.co.kr
서울특별시 용산구 원효로 3가 52-2 삼원빌딩 2층 205호 AMD CPU팀 / 02-2004-7780 수리정책 / 제조일로부터 3년 무상 서비스한다. 핀이 구부러지거나 빠진 것은 서비스 되지 않는다.
제이씨현 www.jchyun.co.kr
서울시 용산구 신계동 6-1 제이씨현 빌딩 / 고객센터: 1577-3367
수리정책 / 3년 보증한다. 쿨러는 제외.
에스에이엠티 www.isamt.com
서울시 용산구 원효로 3가 53-5 청진빌딩 401호 / 02-703-9656
수리정책 / 별도 문의.

■ GPU - 엔비디아 [엔비디아 코퍼레이션]

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창립년도 : 1993년
본사 : 미국 캘리포니아 주 산타클라라
젠슨 황, 크리스 말라쇼스키, 커티스 프라이엄 세 명이 1993년 1월에 설립한 회사. 오랜 기간 그래픽카드 프로세서와 제품을 만들었지만 큰 주목을 받지 못했다. 3D 게임에 붐이 일던 1990년 말, 엔비디아는 3D 가속 기능을 넣은 ‘리바’ 시리즈를 내놓으며 이름을 알리기 시작한다.
리바 128과 큰 성공을 거둔 리바 TNT 시리즈로 당시 최고의 3D 그래픽카드 업체 ‘3DFX’를 바짝 추격한다. ‘부두’ 시리즈로 승승장구하던 3DFX가 ‘부두 3’ 이후로 제대로 된 제품을 내놓지 못하고 도산하자 엔비디아가 3DFX를 인수한다. 리바 시리즈를 대신할 ‘지포스’ 시리즈가 성공하며 최고의 그래픽 칩 제조사가 되었다.

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오늘날 엔비디아를 있게 한 리바 TNT 그래픽카드

■ GPU - ATI [ATI 테크놀러지스]

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창립년도 : 1985년
본사 : 캐나다 온타리오 마크햄
1985년 ATI는 그 당시 PC 시스템이었던 IBM-PC와 코모도어에 그래픽카드를 공급하는 OEM 업체였다. 1987년 그래픽카드 제조회사로 독립한 뒤 ‘원더’와 ‘마하’ 시리즈를 내놓으며 차츰 이름을 알리기 시작한 ATI는 1994년, 최초의 2D 가속 그래픽카드 ‘마하 64’를 내놓으며 멀티미디어 시장을 공략한다.
마하 64는 뛰어난 동영상 성능을 자랑하며 윈도 95 이용자들을 사로잡는다. ATI는 TV튜너를 장착한 올인원 시리즈와 2D 가속카드 덕에 최고의 그래픽카드 기업으로 인정받는다. 90년 말, 게임 산업이 발전하며 3D 그래픽기술이 주목을 받자 ATI 역시 3D 사업에 뛰어 든다. 다이렉트X 6.0을 지원하는 레이지 128은 3DFX의 부두 시리즈를 능가하지는 못했지만 ATI의 가능성을 엿볼 수 있었다.
2000년 ‘라데온’이란 이름을 브랜드로 제품을 출시하며 본격적인 3D 그래픽카드를 출시하였다. 2006년 AMD와 합병하며 힘을 얻은 ATI는 최근 다이렉트 X 11 기술을 탑재한 라데온 HD 5000 시리즈를 내놓고 그래픽카드 시장 1위를 목표로 달리고 있다.

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ATI의 분홍색 버스는 도시의 명물이었다. 어린아이들도 버스를 보면 타고 싶다며 울 정도였다.

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■ 메인보드 - 아수스 [아수스텍 컴퓨터]

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창립년도 : 1990년
본사 : 대만
대만의 TH.퉁과 테드 쉬는 1990년 메인보드 업체를 세운다. 신화에 나오는 페가수스(Pegasus)의 이름을 따 아수스라 지었다. ‘에이서스’라고 부르는 이들도 많다.  저가 메인보드 제품군은 ‘에즈락’ 브랜드로 판매하고 있지만 사실상 독립회사로 관계만 유지하고 있으며 자회사 페가트론이 아수스에서 독립한다. 메인보드 업체로 알려져 있지만 사운드카드와 파워서플라이, 케이스와 미니노트북도 제조한다.
아수스의 사운드카드 ‘소나’ 시리즈는 PC-FI 이용자들이 많이 찾고 EeePC는 국내에서 많이 팔린 미니노트북 제품 중 하나다. 용산에 아수스 코리아가 있으며 케빈 두 지사장이 한국과 일본시장을 총괄하고 있다. 아수스 제품을 유통하는 업체는 에스티컴, 아이보라, 디지털 그린텍이다.

에스티컴 www.stcom.co.kr
서울시 용산구 신계동 6-31 진성빌딩 3층 / 고객센터: 02-706-1906
수리정책 / 메인보드와 그래픽카드를 3년 보증한다.

아이보라 www.ibora.net
서울시 용산구 신계동 30-5번지 삼원빌딩 2층 / 02-3272-4646
수리정책 / 출고일 기준으로 제품을 3년 보증한다.

디지털그린텍 www.dgreentech.co.kr
서울시 용산구 원효로 2가 57-3, 2층 / 02-706-3380
수리정책 / 아수스 메인보드 제품은 3년, 베어본은 1년 무상 보증한다.

■ 메인보드 - 기가바이트 [기가바이트 테크놀러지]

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창립년도 : 1986
본사 : 대만
기가바이트는 아수스보다 4년 이른 1986년에 그 당시 상상도 할 수 없었던 거대한 용량을 뜻하는 기가바이트(GigaByte)란 이름을 달고 사업을 시작했다. 당시 많은 업체들이 유명 업체에 제품을 납품하며 성장해 왔지만 기가바이트는 처음부터 자체 브랜드를 내걸고 메인보드를 판매했다.
부품에 많은 투자를 하고 품질 위주의 제품을 개발하려 애쓴 결과 꾸준히 사랑받는 메인보드 업체가 되었다. 기가바이트는 국내 지사가 따로 없고 1999년부터 제이씨현이 메인보드와 그래픽카드를 유통하고 있다. 

제이씨현 www.jchyun.co.kr
서울시 용산구 신계동 6-1 제이씨현 빌딩 / 고객센터: 1577-3367
수리정책 / 기가바이트 제품을 3년간 보증한다.

■ 메인보드 - MSI [마이크로 스타 인터네셔널]

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창립년도 : 1986
본사 : 대만
CEO : 조셉 쉬
국내 지사장 : 공번서
MSI는 직접 개발한 메인보드를 미국 ‘마이크로닉스’에게 납품하며 사업을 시작했다. 메인보드는 곧 여러 업체를 통해 팔려나갔고. 명성과 신뢰를 쌓은 MSI는 독립 메인보드 업체로 거듭나게 된다. MSI의 창립자인 조셉 쉬는 현재 MSI CEO를 맡고 있으며 중국의 심천 빠오안과 쿤산 공장에서 제품을 생산하고 있다.
국내에는 슈마와 유니텍이 MSI 제품을 팔다가 지금은 MSI 한국지사가 설립되어 유통을 관리하고 있다. 물류센터는 인천, 성남에 있고 지사는 용산에서 문래 테크노타워로 자리를 옮겼다. MSI가 유통하고 있는 제품은 메인보드, VGA, 노트북과 올인원 데스크톱이며 공식 유통사는 세 곳이다.

대원컴퓨터 www.dwcom.co.kr
서울시 강서구 가양 3동 449-1 한일 물류센터 내 대원컴퓨터 MSI팀 / 02-2004-7780
수리정책 / 1년 무상 제품과 3년 무상 제품이 있다. 제품마다 보증 기간이 적혀있다.

웨이코스 msi.waycos.co.kr
서울시 용산구 한강로 3가 나진전자월드 지하1층 3호 / 02-712-2630
수리정책 / 웨이코스 인증 스티커가 붙어 있는 제품은 무상 3년 서비스한다.
엔씨디지텍 www.ncdigitech.com
엔씨디지텍은 MSI의 노트북과 올인원 데스크톱을 유통하고 있다. A/S는 MSI 코리아가 한다. support@msikorea.kr로 메일을 보내거나 1644-4038로 문의하면 된다.
수리정책 / 제품 보증기간은 1년이다. (소모품은 6개월)

■ 메인보드 - ECS [엘리트 그룹 컴퓨터 시스템즈]

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창립년도 : 1987
본사 : 대만
CEO : 원엔 린 궈
국내 지사장 :  박학선
1987년 메인보드 제조업체로 시작한 ECS는 다른 업체보다 먼저 해외시장을 선점하려 애쓴다. 사업을 시작한 지 2년 만에 영국, 미국, 독일과 일본에 지사를 설립하고 1992년에는 64비트 메인보드를 내놓는다. 경쟁사를 제치고 1994년에는 대만에서 최초로 대만증권거래소에 상장하였다.
대만에 본사가 있고 중국 심천과 광동에 공장이 있다. 2005년 한국에 ECS코리아를 설립했다. 초기에는 저가제품이라는 인식 때문에 외면을 받았지만 요즘은 값싸고 성능 좋은 메인 보드로 인정받으며 많은 이들이 믿고 구입하고 있다. 유통사 없이 ECS 한국지사에서 직접 제품을 판매하고 수리한다. 최근에는 엔비디아의 그래픽카드 제품군도 내놓고 있다.

ECS 코리아 서비스센터 www.ecs-korea.com
서울시 용산구 한강로 3가 1-1 14동 나진전자월드빌딩 4층 33호 / 02-706-2601
수리정책 / 메인보드는 2009년 이후 제품은 무상 2년/유상 1년, 2009년 이전 제품은 무상 1년, 유상 2년이다. 그래픽카드는 구입한 날짜부터 2년 무상/1년 유상 서비스 받을 수 있다.

■ 메인보드-에즈락

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창립년도 : 2002
본사 : 대만
애즈락은 아수스 계열사다. ‘아수스’라는 브랜드가 ‘명품’을 강조하며 고가 제품만 내놓다보니 값싼 메인 보드를 찾는 이들을 위해 중저가의 브랜드가 필요했다. 중저가 시장 공략을 위해 ‘애즈락’이란 이름을 달고 2002년부터 메인보드를 내놓기 시작했다. 지금은 하나의 독립 기업으로 자리 잡으며 메인보드, 노트북과 데스크톱 시장까지 공략하고 있다. 애즈락은 국내 지사가 따로 없다.

에즈윈 www.aswin.co.kr
서울시 용산구 원효로 2가 57-3 2층 / 02-718-0933
수리정책 / 2009년에 구입한 에즈락 전 제품을 2년 무상/1년 유상서비스 한다.

디앤디컴 www.dndcom.co.kr
서울시 용산구 원효로 3가 49-6 / 02-702-1358
수리정책 / 메인보드의 무상서비스 기간은 1년 6개월이다.

유니텍 www.unitec.co.kr
서울시 용산구 원효로 3가 53-5 (택배불가) / 02-3271-7800
택배 보낼 곳 / 경기도 고양시 일산동구 장항 1동 580-13 / 1588-7830
수리정책 / 제조일로부터 14개월을 무상 수리 받을 수 있다.

■ 메인보드-폭스콘

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창립년도 : 1974
본사 : 대만
폭스콘은 대만의 ‘혼해정밀산업’의 메인보드 브랜드다. 가장 오래된 제조업체며 직원 55만 명을 둔 대기업이다. 중국 심천 공장에만 27만 여명이 근무한다. 델, HP의 메인보드를 공급하는 것으로 유명하지만 사실 폭스콘의 가장 큰 사업은 디지털 기기분야다.
플레이스테이션 3, 엑스박스 등의 게임기와 모토롤라 휴대폰, 애플 아이폰 등의 생산을 맡고 있다. 엔비디아 그래픽카드 사업에 잠깐 뛰어들었지만 9800 시리즈 이후로는 제품을 내놓지 않고 메인보드 사업에 전념하고 있다. 국내에는 피시디렉트와 유니텍이 폭스콘 제품을 유통하고 있다.

피시디렉트 www.pcdirect.co.kr
서울시 용산구 원효로3가 51-30번지 7동 3층 53호 / 1588-3877
수리정책 / 3년 무상보증

유니텍 www.unitec.co.kr
서울시 용산구 원효로 3가 53-5 (택배불가) / 02-3271-7800
택배 보낼 곳 / 경기도 고양시 일산동구 장항 1동 580-13 / 1588-7830
수리정책 / 제조일로부터 14개월을 무상 수리 받을 수 있다.

■ 왜 메인보드 업체는 대만에 많을까?

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대만은 섬나라고 중국에 비해 국토면적이 작기 때문에 제품 하나를 만들어도 이익이 많이 남는 산업을 찾기 시작했다.
1980년부터 대만 정부는 고부가가치산업으로 당시 생소한 IT 분야를 선택하고 이를 육성한다. 이 시기에 우리에게 잘 알려진 업체들이 설립되어 제품을 생산하기 시작했고 지금도 변함없이 메인보드를 내놓고 있다.
■ 하드디스크-씨게이트 [씨게이트 테크놀러지]

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창립년도 : 1970
본사 : 미국 캘리포니아 스콧 벨리
씨게이트의 첫 번째 하드디스크는 1980년에 발표한 ST-506이다. 5.25인치 크기에 5메가 데이터를 담는 제품이었다. 이 제품으로 사람들이 하드디스크에 관심을 가지기 시작했고 씨게이트는 곧 10메가 하드디스크인 ST-412를 내놓았다.
1992년 ‘바라쿠다’라는 이름을 내걸고 첫 7,200rpm 제품을 내놓았으며 2000년에 세계 최초로 15,000rpm 하드디스크 ‘치타 X15’를 선보여 화제를 일으켰다. 2005년에는 경쟁업체 ‘맥스터’를 인수했다. 국내 씨게이트 지사는 없으며 대원컴퓨터와 피시디렉트가 유통하며 A/S를 맡고 있다.

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5메가 데이터를 담을 수 있는 하드디스크 ‘ST-506'

피시디렉트 www.pcdirect.co.kr
서울시 용산구 원효로3가 51-30번지 7동 3층 53호 / 1588-3877
수리정책 / 3년 무상보증

대원컴퓨터 www.dwcom.co.kr
서울시 강서구 가양 3동 449-1 한일 물류센터 내 대원컴퓨터 HDD팀 / 02-2004-7780
수리정책 / 3년간 무상 보증한다.

■ 하드디스크-웨스턴디지털

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창립년도 : 1970
본사 : 캘리포니아 레이크포레스트

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하드웨어 시장 ‘3.0 시대’ 온다

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서버용 하드웨어, 최신 트렌드는 이것

 

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1970년 ‘제너럴디지털’이란 이름으로 설립했지만 1971년에 웨스턴디지털로 사명을 바꾼다. 초기에는 계산기 칩을 만드는 회사였으며 1974년에 플로피디스크 드라이버 콘트롤러 칩셋을 발표한다. 1988년에 하드디스크 시장에 참여했으며 1990년에 ‘캐비어’란 이름을 달고 제품을 내놓는다.
1992년 업계 최초로 340MB 하드디스크 드라이브를 생산하며 웨스털디지털의 이름을 알린다. 2009년에 가장 먼저 2TB 하드디스크를 출시하기도 했다. 국내에는 웨스턴디지털 지사가 있으며 유통업체는 아치바코리아, 이시스, 유프라자가 있다.

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최초의 340MB 하드디스크는 웨스턴디지털이 내놓았다.

아치바코리아 www.achieva.co.kr
서울시 용산구 원효로 2가 16-1 선인상가 22동 6층 14호 / 02-703-6550
수리정책 / 무상2년/유상1년 서비스한다. 웹사이트에서 시리얼넘버를 조회하면 내 하드디스크의 무상서비스 기간을 알 수 있다.

이시스 디스트리뷰션 esyskorea.com
서울시 용산구 한강로 3가 40-969 관광터미널상가 5층 35호 / 02-3274-1823
수리정책 / 별도문의

유프라자 www.uplaza.co.kr
서울시 용산구 한강로 2가 16-1 선인상가 21동 1층 254-5호 / 02-2120-3290
수리정책 / 무상 2년을 서비스한다.

웨스턴디지털 서비스센터 / www.wdsvc.co.kr
유통사를 거치지 않고 본사에서 물건을 교환 받고 싶다면 이곳에 문의한다.
서울시 용산구 한강로 3가 40-969 용산관광터미널 1층 3호 / 02-703-6550
수리정책 / 별도문의

■ 하드디스크-삼성전자 (스토리지 사업부)

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창립년도 : 1938년
본사 : 대한민국 서울
삼성전자는 1986년 하드디스크 사업팀을 만들고 1989년에 국내 최초의 40MB 하드디스크를 생산했다. 이후 미국 캘리포니아에 기술센터를 세워 본격적으로 하드디스크 개발에 뛰어들었고 일본 요코하마에서도 차세대 기술을 개발 하고 있다.
한국, 중국 브라질에 공장이 있으며 연간 6천만 대를 생산하고 있다. 전국적으로 수많은 서비스 망을 갖추고 있어 제품에 이상이 있으면 가까운 서비스센터를 방문하면 된다.

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구미에 삼성 하드디스크 제조 공장이 있다.

삼성전자 서비스 www.samsungsvc.co.kr
대표 A/S 센터와 연락처
[센터 찾기]를 눌러 가까운 주소를 검색한다. / 1588-3366
수리정책 / 2년 1개월~3개월까지 제품을 무상 보증한다.

■ 하드디스크-히타치GST [히타치 글로벌 스토리지 테크놀러지스]

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창립년도 : 2003년
본사 : 미국 캘리포니아 산호세
히타치GST는 2003년 IBM 스토리지 사업과 결합해 만든 회사다. 히타치의 자회사로 히타치의 본사는 일본에 있지만 히타치GST는 미국 캘리포니아에 본사를 두고 있다. 중국과 싱가폴, 태국에 공장이 있으며 데스크톱 제품은 주로 중국에서 생산한다.
국내 히타치GST 한국지사는 서울 삼성동에 있으며 유통사를 세 곳 두고 있다. 가전분야와 기업 위주로 제품을 공급하고 있어 낯선 이들이 많은데 올해는 이를 개선하려고 데스크톱 시장에 새로운 제품을 선보일 예정이다.

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IBM 시절의 하드디스크와 현재 히타치 GST 하드디스크다. ‘데스크스타’라는 같은 브랜드를 쓴다.

인텍앤컴퍼니 www.intechn.com
서울시 용산구 원효로 2가 52-3 / 02-2129-7900
수리정책 / 3년간 보증한다.

레안텍 www.raeantech.com
서울시 용산구 한강로2가 선인 21동 3층 123-5호 / 2120-2050
수리정책 / 데스크톱, 모바일 제품은 3년 보증하고, 스카시, SAS 제품인 ‘울트라스타’ 시리즈는 60개월 무상 서비스다.

데이타세이브테크
서울특별시 용산구 한강로2가 16-1 / 02-2120-3121
수리정책 / 별도문의

더 보기http://www.ebuzz.co.kr/content/buzz_view.html?m_id=0702&cat_id=030&uid=83883&page=2#ixzz16E7KE4VB

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  1. 맑은강물 2010.11.29 18:21 신고

    엔비디아 그래픽카드 발전은 데이비드 커크 라는 사람이 크게 공헌을 많이했죠.최근에 엔비디아가 주력으로 밀고 있는 소프트웨어 CUDA 개발에도 크게 공헌을 했구요.엔비디아와 AMD, 엔비디아와 인텔, 인텔과 AMD 이들의 경쟁을 보고 있으면 옛날 중학교 때 국어시간에 나온 " 형제슈퍼와 김포슈퍼 " 가 생각난다니까요 ^^그나저나 대만 VIA에게 인수 합병된 S3 그래픽스는 크롭 400,500시리즈 출시 이후 요즘 뜸하더군요.S3 그래픽스도 분발했으면 좋을 텐데....

  2. Drake 2010.11.30 11:20 신고

    그러게요...3dfx voodoo 시리즈 이후 glide 말고도 스펙에도 좀 분발했었다면 nvidia에 의해 공중분해되지 않았을텐데 전 그게 참 아쉬워요..nvidia가 3dfx를 먹고 버린 사건을 보면서 참 많은걸 느꼈죠..기술이 아무리 좋다고 해서 아무런 대책도 없으면 회사가 망하는것도 금방이라는..

Source : http://msdn.microsoft.com/en-us/goglobal/bb964664.aspx

Language - Country/Region LCID Hex LCID Dec
Afrikaans - South Africa 0436 1078
Albanian - Albania 041c 1052
Amharic - Ethiopia 045e 1118
Arabic - Saudi Arabia 0401 1025
Arabic - Algeria 1401 5121
Arabic - Bahrain 3c01 15361
Arabic - Egypt 0c01 3073
Arabic - Iraq 0801 2049
Arabic - Jordan 2c01 11265
Arabic - Kuwait 3401 13313
Arabic - Lebanon 3001 12289
Arabic - Libya 1001 4097
Arabic - Morocco 1801 6145
Arabic - Oman 2001 8193
Arabic - Qatar 4001 16385
Arabic - Syria 2801 10241
Arabic - Tunisia 1c01 7169
Arabic - U.A.E. 3801 14337
Arabic - Yemen 2401 9217
Armenian - Armenia 042b 1067
Assamese 044d 1101
Azeri (Cyrillic) 082c 2092
Azeri (Latin) 042c 1068
Basque 042d 1069
Belarusian 0423 1059
Bengali (India) 0445 1093
Bengali (Bangladesh) 0845 2117
Bosnian (Bosnia/Herzegovina) 141A 5146
Bulgarian 0402 1026
Burmese 0455 1109
Catalan 0403 1027
Cherokee - United States 045c 1116
Chinese - People's Republic of China 0804 2052
Chinese - Singapore 1004 4100
Chinese - Taiwan 0404 1028
Chinese - Hong Kong SAR 0c04 3076
Chinese - Macao SAR 1404 5124
Croatian 041a 1050
Croatian (Bosnia/Herzegovina) 101a 4122
Czech 0405 1029
Danish 0406 1030
Divehi 0465 1125
Dutch - Netherlands 0413 1043
Dutch - Belgium 0813 2067
Edo 0466 1126
English - United States 0409 1033
English - United Kingdom 0809 2057
English - Australia 0c09 3081
English - Belize 2809 10249
English - Canada 1009 4105
English - Caribbean 2409 9225
English - Hong Kong SAR 3c09 15369
English - India 4009 16393
English - Indonesia 3809 14345
English - Ireland 1809 6153
English - Jamaica 2009 8201
English - Malaysia 4409 17417
English - New Zealand 1409 5129
English - Philippines 3409 13321
English - Singapore 4809 18441
English - South Africa 1c09 7177
English - Trinidad 2c09 11273
English - Zimbabwe 3009 12297
Estonian 0425 1061
Faroese 0438 1080
Farsi 0429 1065
Filipino 0464 1124
Finnish 040b 1035
French - France 040c 1036
French - Belgium 080c 2060
French - Cameroon 2c0c 11276
French - Canada 0c0c 3084
French - Democratic Rep. of Congo 240c 9228
French - Cote d'Ivoire 300c 12300
French - Haiti 3c0c 15372
French - Luxembourg 140c 5132
French - Mali 340c 13324
French - Monaco 180c 6156
French - Morocco 380c 14348
French - North Africa e40c 58380
French - Reunion 200c 8204
French - Senegal 280c 10252
French - Switzerland 100c 4108
French - West Indies 1c0c 7180
Frisian - Netherlands 0462 1122
Fulfulde - Nigeria 0467 1127
FYRO Macedonian 042f 1071
Gaelic (Ireland) 083c 2108
Gaelic (Scotland) 043c 1084
Galician 0456 1110
Georgian 0437 1079
German - Germany 0407 1031
German - Austria 0c07 3079
German - Liechtenstein 1407 5127
German - Luxembourg 1007 4103
German - Switzerland 0807 2055
Greek 0408 1032
Guarani - Paraguay 0474 1140
Gujarati 0447 1095
Hausa - Nigeria 0468 1128
Hawaiian - United States 0475 1141
Hebrew 040d 1037
Hindi 0439 1081
Hungarian 040e 1038
Ibibio - Nigeria 0469 1129
Icelandic 040f 1039
Igbo - Nigeria 0470 1136
Indonesian 0421 1057
Inuktitut 045d 1117
Italian - Italy 0410 1040
Italian - Switzerland 0810 2064
Japanese 0411 1041
Kannada 044b 1099
Kanuri - Nigeria 0471 1137
Kashmiri 0860 2144
Kashmiri (Arabic) 0460 1120
Kazakh 043f 1087
Khmer 0453 1107
Konkani 0457 1111
Korean 0412 1042
Kyrgyz (Cyrillic) 0440 1088
Lao 0454 1108
Latin 0476 1142
Latvian 0426 1062
Lithuanian 0427 1063
Malay - Malaysia 043e 1086
Malay - Brunei Darussalam 083e 2110
Malayalam 044c 1100
Maltese 043a 1082
Manipuri 0458 1112
Maori - New Zealand 0481 1153
Marathi 044e 1102
Mongolian (Cyrillic) 0450 1104
Mongolian (Mongolian) 0850 2128
Nepali 0461 1121
Nepali - India 0861 2145
Norwegian (Bokm?l) 0414 1044
Norwegian (Nynorsk) 0814 2068
Oriya 0448 1096
Oromo 0472 1138
Papiamentu 0479 1145
Pashto 0463 1123
Polish 0415 1045
Portuguese - Brazil 0416 1046
Portuguese - Portugal 0816 2070
Punjabi 0446 1094
Punjabi (Pakistan) 0846 2118
Quecha - Bolivia 046B 1131
Quecha - Ecuador 086B 2155
Quecha - Peru 0C6B 3179
Rhaeto-Romanic 0417 1047
Romanian 0418 1048
Romanian - Moldava 0818 2072
Russian 0419 1049
Russian - Moldava 0819 2073
Sami (Lappish) 043b 1083
Sanskrit 044f 1103
Sepedi 046c 1132
Serbian (Cyrillic) 0c1a 3098
Serbian (Latin) 081a 2074
Sindhi - India 0459 1113
Sindhi - Pakistan 0859 2137
Sinhalese - Sri Lanka 045b 1115
Slovak 041b 1051
Slovenian 0424 1060
Somali 0477 1143
Sorbian 042e 1070
Spanish - Spain (Modern Sort) 0c0a 3082
Spanish - Spain (Traditional Sort) 040a 1034
Spanish - Argentina 2c0a 11274
Spanish - Bolivia 400a 16394
Spanish - Chile 340a 13322
Spanish - Colombia 240a 9226
Spanish - Costa Rica 140a 5130
Spanish - Dominican Republic 1c0a 7178
Spanish - Ecuador 300a 12298
Spanish - El Salvador 440a 17418
Spanish - Guatemala 100a 4106
Spanish - Honduras 480a 18442
Spanish - Latin America 580a 58378
Spanish - Mexico 080a 2058
Spanish - Nicaragua 4c0a 19466
Spanish - Panama 180a 6154
Spanish - Paraguay 3c0a 15370
Spanish - Peru 280a 10250
Spanish - Puerto Rico 500a 20490
Spanish - United States 540a 21514
Spanish - Uruguay 380a 14346
Spanish - Venezuela 200a 8202
Sutu 0430 1072
Swahili 0441 1089
Swedish 041d 1053
Swedish - Finland 081d 2077
Syriac 045a 1114
Tajik 0428 1064
Tamazight (Arabic) 045f 1119
Tamazight (Latin) 085f 2143
Tamil 0449 1097
Tatar 0444 1092
Telugu 044a 1098
Thai 041e 1054
Tibetan - Bhutan 0851 2129
Tibetan - People's Republic of China 0451 1105
Tigrigna - Eritrea 0873 2163
Tigrigna - Ethiopia 0473 1139
Tsonga 0431 1073
Tswana 0432 1074
Turkish 041f 1055
Turkmen 0442 1090
Uighur - China 0480 1152
Ukrainian 0422 1058
Urdu 0420 1056
Urdu - India 0820 2080
Uzbek (Cyrillic) 0843 2115
Uzbek (Latin) 0443 1091
Venda 0433 1075
Vietnamese 042a 1066
Welsh 0452 1106
Xhosa 0434 1076
Yi 0478 1144
Yiddish 043d 1085
Yoruba 046a 1130
Zulu 0435 1077
HID (Human Interface Device) 04ff 1279



현재 내가 개발중인 대부분의 어플리케이션의 경우 요 언어번호를 응용해서 작성하고 있다.


L18N은 어떤것을 참조하는지 알아보려고 하지도 않-_-았다..


요즘 추세에 어플리케이션 개발부분 레퍼런스는 볼랜드나 기타그룹보다는 MS가 가장 쓸만하니..


리눅스 개발자분들은 존경하지만 난 소켓서버+DB접근 이외의 용도를 위해 리눅스 개발을 하진 않으련다(하긴 이것들도 요샌 인디라던가 컴포넌트들이 잘 나와서 그걸로 그냥 대체해서 쓴다)..


IOCP가 퍼포먼스가 좋다던가 하는 그런 이유가 아니라 단지 삽질이 싫어서다..


까놓고 요샌 웬만한 언어들 최적화 잘 되어있어서(인기있는 제품일수록 더더욱) 만드는거나 컴포넌트 갖다 쓰는거나 퍼포먼스는 거기서 거기다..


퍼포먼스 최악이라고들 얘기하는 자바나 c#으로도 웬만한거 돌리는데는 무리없더라..



리눅스 문서가 잘되어 있다고들은 하는데, 아무래도 MSDN을 따라가긴 힘들지..


요즘 트렌드는 웹개발이지만, 그래도 난 내공이 좀 필-_-요하다..


실제로 웹프로그래머라고 자칭하는분들이라면 최소 List, View, Modify, Write 정도는 직접 만들줄 알아야 할텐데.. 그게 아닌거 같기도 하고..


제로보드같은 빌더로 페이지 만드는것만으로 ‘나는 웹개발자다’라고 말하기엔 무리가 있는건 아닌지..



어쨌건 MS가 직접 표준을 제창하는건 아니지만 그 기반을 만드는게 아닌가 하는 생각이 든다.


이 문서는 아무리 찾아봐도 Standard는 아니지만, 이것 이외에 쓸만한 Standard가 있다면 좀 알려주시라.


나도 표준에 부합하는 뭔가를 만들고 싶은데.. 정해진게 없으니 원..



덧> 웹표준이 만능인지 아는 사람들이 간혹 있는데.. 특히 오픈웹 관련자들..


오픈웹 관련자들에게 웹에서 실제 가동하는 프로그레스바를 당신네들이 말하는 표준만으로 만들수 있겠냐 했다.


난 표준지지가 아님에도 불구하고 ajax로 만들수 있는데, 입만 열면 표준타령하는 사람들은 그거 하나도 제대로 못하더라.


물론 오픈웹에서도 실력있는 사람이 있다고 생각은 한다만, 최소한 나한테 견발자라면서(난 지금 직업이 개발자도 아닌데 말이지) 모든 책임을 뒤집어 씌우는 사람들에게서 얻은건 알량한 우월감 뿐이다..


주장을 하려면 근거제시가 되어야 한다.


기본적으로 어떻게 설계하는지 정도는 알아야 한다는 얘기.


사용자 입장에서는 몰라도 되는 이야기지만, 논쟁을 하기 위해서는 최소한의 개발경험은 있어야 한다고 보는데..

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Source : http://hdmbc.imbc.com/digi/digi_index/digi_index_faq/index.html

1-1. 디지털방송의 이해

디지털방송이란 ?

우리가 흔히 사용하는 휴대폰, 유선전화, 초고속 인터넷 통신 등은 이미 몇 년 전에 디지털화가 완료되었다. 방송은 통신에 비해 전달해야 할 정보의 양이 훨씬 많으므로 최근에서야 디지털화가 본격적으로 진행중이다. 반도체와 통신분야 등에서의 눈부신 과학기술발전으로 인해 디지털방송이 가능해진 것이다.

디지털 신호를 이용한 디지털방송은 아날로그방송에 비해 여러 가지 장점을 가지고 있다. 아날로그방송은 영상, 음성, 데이터 등의 정보, 즉 프로그램을 아날로그 신호(정보를 연속적으로 표현)의 형태로 변환하여 이를 전송한다. 아날로그 신호는 압축과정이 없기 때문에 정보를 전달할 수 있는 용량이 매우 제한적이며, 전송과정에서 잡음 및 왜곡의 영향을 크게 받으며 이로 인해 손상된 신호를 완벽하게 복원하기가 어려워 신호품질이 떨어지게 된다. 이러한 현상은 텔레비전 수상기에서 화면의 이중상(ghost) 및 색번짐 등으로 나타나게 된다. 디지털 방송은 영상, 음성, 데이터 등의 정보를 디지털 신호(정보를 0과 1로 표현)의 형태로 변환하여 이를 전송한다.

디지털 신호의 경우는 압축 기법을 이용하여 대용량의 정보를 손쉽게 전달할 수 있어, 아날로그방송에서는 1개 채널에 1개의 프로그램밖에 전달하지 못하나 디지털방송에서는 여러 개의 일반 프로그램 또는 1개의 고화질 프로그램을 전송할 수 있다. 또한 전송과정에서 발생하는 잡음 및 왜곡의 영향을 적게 받으며, 신호가 손상되더라도 이를 완벽하게 복원할 수 있어 시청자는 방송국에서 보내는 프로그램과 동일한 품질로 시청할 수 있다.

현재 디지털 지상파 텔레비전은 2001년 말에 수도권에서부터, 디지털 위성방송은 2002년 3월부터 전국적으로 본방송을 시작하였으며, 케이블 텔레비전도 디지털 전환을 서두르고 있다. 이외에도 디지털 오디오방송 및 데이터방송은 서비스를 위한 표준제정 및 실험방송 등이 이루어지고 있다.

 

 

디지털방송 FAQ

1. 디지털과 아날로그는 어떻게 다릅니까 ?

아날로그(analog)는 '비슷하다'라는 뜻이 말하듯, 어떤 물리량을 실제의 양과 유사한(대칭되는) 크기로 표현하는 것을 의미합니다. 디지털(digital)은 손가락으로 셈을 할 때 그 단위가 되는 손가락 하나 하나를 의미하는 '디지트(digit)'로부터 나온 단어로 물리량을 수치로 표현함을 의미합니다. '자'(尺)는 아날로그 계산기라고 할 수 있고 주판은 역사적으로 가장 오래된 디지털 계산기라고 할 수 있습니다.

아날로그와 디지털은 어떤 물리량에 대한 표현수단의 문제이지 그 물리량을 근본적으로 변화시키는 방법은 아닙니다. 쉽게 예를 들면 음악을 들을 때 사용하는 아날로그 카세트 테이프는 소리를 전기신호의 연속적인 세기(강약)로 자성체인 테이프에 기록합니다. 반면 디지털인 CD는 똑같은 소리를 양자화(소리신호를 수치로 계량화 하는 방법)라는 기법을 통해 오로지 '0'과 '1'의 이진수로 기록합니다. 현대사회의 엄청난 기술적 진보는 디지털의 장점을 최대한으로 이용하는 측면에서 이루어지고 있습니다.

우리가 살고 있는 현실세계는 모두 아날로그이며 인간의 오감은 디지털로 처리된 정보를 느끼거나 파악할 수 없습니다. 따라서 디지털은 어떤 물리적인 양(이를 정보라고 표현합니다)을 효율적으로 전달하기 위한 수단을 의미하며 인간이 느끼는 최종적인 형태는 역시 아날로그입니다.

예를 들어 컴퓨터의 경우, 정보처리와 전달은 모두 '1'과 '0'으로 되어 있는 이진수 즉 디지털 방식으로 이루어지지만 인간의 눈

과 귀로 들어올 때는 디지털 정보를 아날로그로 변환된 원래의 정보입니다.

2. 기존의 아날로그 텔레비전 시스템을 왜 디지털로 바꾸나요 ?

휴대폰 같은 통신분야에서는 방송에 비해 신기술 수용이 비교적 용이하기 때문에 디지털 기술을 일찍부터 많이 이용하고 있습니다. TV에서도 디지털을 하게 되면 많은 이점이 있기 때문에, 결국 선진 각국은 TV의 고화질, 고음질 및 다기능화를 실현시킬 디지털 텔레비전(Digital TV : DTV) 방송을 추구하게 되었습니다. 물론 라디오 방송의 디지털화도 병행·추진되고 있으나 수신기 시장규모가 작아 큰 관심을 받지 못하고 있습니다.

3. 디지털 방송으로 바뀌면 어떤 좋은 점이 있습니까 ?

디지털의 장점은 제작된 콘텐츠(비디오, 오디오, 데이터)를 정보의 손실 없이 자유로이 전달, 가공, 배급, 보존할 수 있다는 것입니다. 따라서 기존의 아날로그 시대에서는 불가능했던 여러 가지 서비스가 가능해 집니다. 이로써 아날로그 TV 신호가 공기 중을 통과하면서 발생하는 Ghost(고스트 : 이중 잔상 화면, 화면의 영상이 겹쳐서 나오는 현상), 색 번짐 등과 같은 화질 열화 요소가 없어지며, 디지털 방송은 이런 디지털의 장점을 이용하여 고화질과 고음질 서비스를 제공할 수 있습니다. 그 외에 데이터 방송을 통하여 인터넷과 같이 다양한 정보를 무료로 제공받을 수 있습니다.

4. 디지털 텔레비전(DTV) 방송이란 무엇을 말하는 겁니까 ?

디지털 텔레비전 방송이란 방송 프로그램을 컴퓨터에서 사용하는 것과 같은 디지털 부호로 만들어 위성이나 지상파를 통해 시청자들에게 전송하면, 이 신호를 디지털 텔레비전으로 시청하는 것입니다. 즉, 현재 방송사가 아날로그 신호형태로 내보내던 것을 앞으로는 디지털 신호형태로 내보내는 것을 의미합니다.

정확히 표현하면 KBS, MBC, SBS 등이 서비스하는 디지털 방송이란 "디지털 지상파(또는 공중파) 텔레비전 방송"이며 한국디지털위성방송(KDB)에서 서비스하는 디지털 방송은 "디지털 위성방송"이나 일반적으로 디지털 방송이라고 하면 지상파 디지털 방송을 지칭하며 "디지털 위성방송" 통상 "위성방송"으로 불립니다.

디지털 방송을 하게 되면 TV 한 채널에 표준화질(SD)로 여러 프로그램을 동시에 내보낼 수 있을 뿐만 아니라, "고화질, 고음질"의 고화질(HD)방송도 할 수 있습니다. 더불어 우리나라가 채택한 미국식 디지털방송방식과 달리 유럽식과 일본식은 차량에서 이동 중에도 원하는 프로그램을 시청하실 수가 있습니다.

5. 표준화질 및 고화질, 고음질 서비스란 무엇입니까 ?

고화질이란 고선명과 혼용하여 사용되는데 35미리 영화수준의 매우 선명한 화질을 의미하며, 이를 고화질 텔레비전(HDTV : High Definition TV)라고 합니다. 표준화질(SDTV : Standard Definition TV)은 현행 아날로그 방송 화질보다는 약간 좋으나 고화질보다는 못한 대략 16미리 영화정도의 화질입니다. 다시 말하면 표준화질(SDTV)는 DVD 정도의 화질이고 고화질(HDTV)는 극장 영화 정도의 화질이라 보시면 됩니다.

화질은 대체로 화면을 구성하는 최소 단위인 "화소"가 많을수록 선명해지는데 대개 고화질 TV는 화소수가 약 200만개(해상도:1920×1080)이고, 표준화질 TV는 약 35만개(해상도:720×480)의 화소로 구성됩니다.

한편 고음질 서비스란 방송을 통해서 CD급의 깨끗한 스테레오 음질은 물론이고 영화용 서라운드 입체음향까지 제공할 수 있음을 말합니다. 입체음향은 6개의 스피커를 사용할 수 있으므로 영화관에서처럼 상당한 입체감(또는 현장감)을 느낄 수 있습니다. 안방극장이란 용어는 그래서 탄생한 것입니다.

 

6. DTV, HDTV, SDTV는 무슨 차이가 있습니까 ?

대부분의 일반인들이 고화질 텔레비전(HDTV)과 디지털 텔레비전(DTV)을 같다고 생각하고 있는데, 이는 우리나라에서 디지털 방송의 목표를 고화질 텔레비전(HDTV)방송으로 설정하였기 때문에 오는 혼동이라고 봅니다. 우리나라가 채택한 미국방식(ATSC)의 규격을 보면 디지털 텔레비전(DTV) 방송에는 화면의 해상도와 가로대 세로비 등에 따라서 총 18가지 형식이 있습니다. 그리고 이를 해상도에 따라 분류하면 크게 2가지 즉 고화질 텔레비전(HDTV), 과 표준화질 텔레비전(SDTV)으로 분류할 수 있습니다. 결국 디지털 텔레비전(DTV)이란 고화질 및 표준화질 텔레비전을 모두 포함하는 말입니다.

해상도라고 하는 것은 화면의 화소수가 얼마나 많은 가를 가름하는 척도인데 고화질 텔레비전(HDTV)은 한 화면에 1920개의 화소가 있는 가로선(line : 주사선)이 모두 1080개가 있으므로 모두 207만 3600개의 화소를 갖고 있습니다. 그리고 화면의 가로·세로비는 16:9입니다. 즉 영화의 화면비와 같습니다. 표준화질 텔레비전(SDTV)은 가로선이 480개이며, 화면비는 보통 4:3 또는 16:9입니다. 표준화질 텔레비전에서 화면비가 16:9 인 것을 와이드 텔레비전(Wide TV)이라고 합니다. 요즈음 깨끗한 디지털 화질로 인기가 있는 DVD가 바로 표준화질 규격입니다.

구 분

화질 비교

화면비
(가로:세로)

가로선 수
(수평해상도)

비 고

고화질 텔레비전(HDTV)

35㎜ 영화 16 : 9 1080  

표준화질 텔레비전(SDTV)

16㎜ 영화

4 : 3 또는 16 : 9

480

화면비 16 : 9는
와이드 텔레비전

7. 디지털 방송에서 데이터 방송이란 무엇입니까 ?

디지털 방송에서는 영상과 음향으로 이루어진 방송프로그램 외에 여러 가지 유익한 정보데이터를 추가하여 전송·수신할 수 있습니다. 이를 데이터 방송이라고 합니다만 엄격한 의미에서는 일종의 부가적인 서비스로서 데이터 서비스라고 부르기도 합니다.

예를 들면 주식·환율·일기예보 등 다수의 실시간 정보·인터넷 정보 등 멀티미디어 부가서비스가 가능합니다. 또한 프로그램에 연계된 정보도 가능하기 때문에 프로야구 경기를 보면서 해당 선수의 기록이나 좋아하는 선수가 입은 상표의 물건도 구입할 수 있습니다.

* 데이터 방송 화면의 예 그러나 콘텐츠를 만드는 데는 인력과 비용이 추가되므로 본격적인 서비스를 하기에는 아직 시기상조입니다.

8. 쌍방향 TV, 멀티미디어 방송, 디지털 방송은 어떤 관계입니까 ?

현재까지의 아날로그 방송은 방송사에서 시청자에게 프로그램 등의 정보(데이터)를 일방적으로 보내주는 단방향입니다. 이에 반해 쌍방향 TV는 시청자와 방송사간에 정보흐름이 양방향으로 이루어지는 것입니다. 예를 들어 앞서의 프로야구 경기에서 물건을 구입할 경우를 보면 해당 상품을 화면상에서 선택하면 이 정보가 전화선이나 ADSL 같은 통신선로를 통해서 다시 방송국에 전달되게 됩니다. 이렇게 운용되는 형태를 대화형 TV라고도 합니다.

멀티미디어 방송이란 방송되고 있는 TV 프로그램과 각종 부가 정보들이 영상·음향 및 각종 데이터를 포함한 멀티미디어 형태로 함께 전달되어 TV화면에 디스플레이 되고, 시청자가 정보를 선택하여 즐길 수 있는 종합디지털방송 개념입니다. 디지털 방송은 이러한 대화형 TV와 멀티미디어 방송개념이 어우러진 형태로 발전하게 됩니다.

9. 디지털 방송은 어떻게 수신할 수 있습니까 ?

디지털 방송을 시청하는 방법은 여러 가지가 있습니다. 가장 쉬운 것은 전용수상기를 구입하는 것인데 가격이 비싼 것이 문제입니다. 특히 디지털방송을 제대로 시청할 수 있는 고화질 전용수상기(HDTV)는 가장 싼 제품이 32인치에 약 2~300만원 정도이며, 40인치 이상은 5백만원이 넘는 고가입니다.

두 번째는 몇 십만원 대의 컴퓨터용 수신카드를 사서 PC로 보는 방법입니다. 비용부담이 가장 적은 방법이긴 하지만 안테나 시설이 잘 되어 있는 가정이 아니면 별도의 외부안테나를 설치해야 하므로 매우 불편합니다. 세 번째는 지금 가지고 있는 아날로그 텔레비전에 백 만원 내외의 셋탑박스(set-top box : 수신기)를 구입하여 연결하는 방법이 있습니다. 그러나 아날로그 텔레비전 수상기로 시청하는 것이므로 선명한 화질과 깨끗한 음질은 기대할 수 없습니다.

그 외에 디지털 지상파 방송을 서비스해주는 거주지내의 케이블 TV나 소규모중계유선방송에 가입하면 되는데 매달 요금이 부과되어 시청자 부담이 커지므로 권장할 수 있는 방법은 되지 못합니다.

한편 전용수상기라고 해도 셋톱박스가 내장된 일체형이어야 디지털 방송을 수신할 수 있습니다. 셋톱박스가 내장되지 않은 외장형(이를 ready type이라고 함) 수상기는 셋톱박스를 별도로 구입해서 연결해야 디지털 방송을 시청할 수 있습니다.

10. 텔레비전을 새로 사려면 꼭 디지털 텔레비전 수상기를 사야하나요 ?

그렇지는 않습니다. 디지털 방송으로 전환하는 동안에는 장·단점을 잘 따져보고 사야 합니다. 디지털 기술은 계속 발전하는 기술이기 때문에 소비자가 원하는 품질과 기능, 그리고 가격을 면밀히 따져본 후 결정하는 것이 좋습니다.

또한 우리나라가 채택한 미국방식은 몇 가지 문제점을 해결하기 위해 미국에서 방식 개선 작업이 진행되고 있습니다. 따라서 성급하게 고가의 디지털 텔레비전을 구입하는 것은 개선 작업 후의 새로운 서비스를 받을 수 없으므로 신중한 결정을 하여야 합니다.

한편 아날로그 텔레비전을 갖고 있는 시청자들을 위해 정부와 방송사는 적어도2010년 까지는 동일한 프로그램을 아날로그와 디지털 두 가지 방식으로 동시에 전송하도록 할 예정입니다. 또한 앞에서 데이터방송 서비스는 시작시기도 불투명하고, 이를 수신할 수 있는 수신기(셋톱박스)가 아직 출시되지 않고 있어서 지금 셋톱박스나 일체형 수상기를 구입하시는 분은 이에 대한 고려를 하여야 합니다.

따라서 새로이 텔레비전을 구입해야 한다면 이러한 점을 고려하여 텔레비전을 구입하는 것이 좋을 것으로 판단됩니다. 지금으로서는 성급하게 고가의 HDTV용 수상기를 구입하는 것보다는 시장상황이나 방송사에서 고화질 프로그램 방영시간을 많이 늘리고, 데이터 서비스가 본격적으로 활성화 될 때까지 기다리는 것이 현명한 판단으로 사료됩니다.

11. 디지털 텔레비전 구입 즉시 고화질(HD) 프로그램을 볼 수 있습니까 ?

우리 나라의 디지털 방송은 SBS가 2001년 10월 26일, KBS1이 11월 5일에 시작하였고, MBC는 12월 2일, KBS2는 12월 31일부터 방송을 시작하였습니다. 디지털 방송용 송신기는 관악산에 가장 먼저 설치되었으며, 2002년 말까지는 남산 및 용문산에도 설치가 완료되어 서울과 수도권에서 시청이 가능하게 됩니다. 그러나 포천, 동두천, 파주 등과 같이 아날로그 간이중계소가 설치된 곳은 디지털 간이중계기가 설치되어야만 시청할 수 있습니다. 그리고 우리나라가 채택한 미국방식은 주변에 건물 같은 장애물이 있으면 수신에 영향을 많이 받으므로 주거지의 주변 여건에 따라 수신이 어려울 수도 있습니다.

또 아직 방송사들의 고화질 프로그램 제작여건이 충분히 갖추어지지 않아 고화질 프로그램이 많지 않습니다. 방송위원회에서는 디지털 방송 첫 해에는 주 당 10시간 정도의 고화질 프로그램을 방송하도록 요구하고 있으며 방송사들도 이를 지키려고 노력하고 있습니다. 나머지 시간은 일반 아날로그 프로그램을 디지털로 전환하여 방송하게 됩니다. 그러므로 고화질 프로그램을 시청하기에는 아직 여건이 충족되지 않았다고 할 수 있습니다.

12. 위성방송이나 케이블 텔레비전 방송도 디지털 텔레비전 수상기로 시청할 수 있습니까 ?

없습니다. 기존 아날로그 텔레비전처럼 해당 셋탑박스(전용수신기)가 있어야만 가능합니다. 위성, 케이블, 지상파를 모두 수신할 수 있는 통합 셋탑박스를 만들 수는 있지만 현재 우리 나라는 위성은 유럽식, 지상파는 미국식 등 매체간 방송방식이 통일되어 있지 않아 통합 셋탑박스를 제작하기가 어렵고 비용 또한 많이 듭니다. 우리 나라가 지상파를 유럽식으로 바꾸면 좀 더 쉽고 값싸게 통합 셋탑박스를 만들 수 있어 시청자들은 부담은 한결 줄어들 것으로 예상됩니다.

13. 디지털 방송을 시작했다는데… 기존 아날로그 텔레비전 시청자는 어떻게 됩니까 ?

2001년 10월 말부터 디지털 방송이 시작되었지만 아날로그 TV 시청자는 아무 영향을 받지 않습니다. 그냥 그대로 종전처럼 시청하실 수 있습니다. 왜냐하면 아날로그 방송이나 디지털 방송은 동일한 내용이 동일한 시간에 동시에 방송되기 때문에 시청상의 불이익은 없으며 아날로그 텔레비전 방송 자체는 기존 시스템 그대로 방송 종료 시점(2010년 예상)까지 이상 없이 시청하실 수 있습니다.

14. 아날로그 TV가 중단된다는 게 무슨 말인가요 ?

현재의 아날로그 방송과 디지털 방송은 향후 2010년 까지 동일한 프로그램이 동일한 시간에 동시에 방송됩니다. 그리고 2010년 이후에는 디지털 방송 수용인구 즉 디지털 방송수신이 가능한 디지털 수상기 또는 전용수신기(셋톱박스)를 보유한 가구수가 전체 시청가구수의 절대 다수(95%)를 차지하면 방송을 중단하게 됩니다. 물론 DTV 시청인구가 절대 다수가 되지 않는다면 계속 아날로그 방송을 하게 됩니다.

그러나 현재 미국과 유럽의 진행상황을 보면 이보다 훨씬 길어질 것으로 전망됩니다. 심지어 2025년 되어야 가능하다고 말하는 사람들도 있습니다. 아무튼 많은 전문가들이 현재의 아날로그 텔레비전 방송이 예상보다 훨씬 오래 갈 것으로 보고 있습니다.

15. 아날로그 텔레비전 방송이 중단되면 지금의 수상기는 쓸모 없게 됩니까 ?

아닙니다. 아날로그 방송이 중단되더라도 디지털 TV 수신용 셋탑박스(Set-top Box)를 아날로그 TV수상기와 연결하면 디지털 TV를 계속 시청할 수는 있습니다. 화질을 그다지 중시하지 않는 시청자라면 굳이 디지털 텔레비전 수상기로 바꿀 필요는 없습니다.

16. 디지털 TV로 전환하는 것이 어렵습니까 ?

디지털 TV로의 전환은 많은 비용과 시간을 필요로 하는 굉장히 어려운 일입니다.
첫째, 방송 제작시설과 송신시설을 모두 디지털 시설로 바꾸는데 필요한 막대한 예산을 어떻게 마련할 것인가 하는 문제입니다. 이렇듯 막대한 국가적인 예산과 국민의 부담을 필요로 하기 때문에 디지털 TV로의 전환은 매우 신중하게 추진해야 합니다. 선진국들은 이러한 비용을 국내에서 어떻게 분담할 것인가에 대해 활발한 토론을 벌이고 있습니다

둘째, 디지털 텔레비전 수상기를 얼마나 싼값에 얼마나 빨리 보급할 수 있는가 하는 것입니다. 이는 "닭이 먼저냐, 달걀이 먼저냐"하는 문제와 같습니다. 디지털 텔레비전 수상기 가운데 고화질 수상기(HDTV)가 많이 보급되어야 방송사는 고화질 프로그램 방송시간을 늘릴 수 있고 더 많은 제작비를 들여 질 좋은 프로그램도 방송할 수 있을 것입니다. 다른 한편으로는 양질의 고화질 프로그램을 많이 방송해야 디지털 수상기의 수요가 늘어날 것입니다.

셋째, 디지털 TV로 바뀌면서 프로그램 복제에 따른 저작권 문제들이 쟁점으로 떠오르고 있으며, 이에 대한 콘텐츠 보호 기법이 연구되고 있습니다.

17. 정부는 지상파 디지털 전환을 서두르는 것 같은 데 올바른 방향인가요 ?

현재 우리나라 정부는 디지털 방송의 도입을 매우 서두르고 있습니다. 이에 대해 시민사회단체, 방송사노조, 방송관계 등 사회 각계에서는 "정부가 충분한 검증도 하지 않고 심각한 결함이 있는 미국식 디지털방송을 독단적으로 추진하고 있다"고 비난하고 있습니다.

외국의 사례를 보면, 아날로그 뿐만 아니라 디지털 방송제작장비 시장을 가장 많이 점유하고 있는 일본도 2003년에야 도쿄에서만 본방송을 실시하는 등 매우 신중하게 접근하고 있습니다. 98년에 미국방식을 채택했던 대만도 우리나라와 마찬가지로 2001년부터 디지털 방송을 실시할 계획이었으나, 2001년 상반기에 미국방식과 유럽방식의 현장비교시험을 실시하였습니다. 현장비교시험 결과 유럽방식이 미국방식보다 훨씬 우수한 수신성능을 보이자, 대만정부는 공식적으로 미국방식을 철회하고 지상파 방송사가 자율적으로 디지털TV방식을 선택하도록 하였습니다. 모든 지상파 방송사들이 우수한 이동수신과 실내수신 성능을 들어 유럽방식을 선택하자, 정부는 유럽방식을 공식적으로 채택하여 2002년 현재 매우 신중하게 본방송을 실시하고 있습니다.

이와 같이 대다수의 국가들이 자국의 상황에 적합한 디지털 방송 모델을 찾기 위해 신중에 신중을 기하고 있음에도 불구하고 우리나라는 아무런 검증도 없이 심각한 문제가 있는 미국식 디지털 방송을 채택했습니다. 게다가 미국에서조차 하자가 인정되어 미국식 디지털 방송방식의 개선작업이 진행되고 있음에도 불구하고 정부는 디지털TV 조기 보급에 열을 올리고 있습니다. "시티폰", "ISDN"사업 등 그 동안 정부의 방송·통신정책의 실패 사례에서 보았듯이, 일정한 검증과정 없이 잘못된 예측만을 가지고 성급하게 추진한 정책은 국민의 혈세만 낭비하게 됩니다. 이제라도 시청자의 권리와 국민의 세금을 생각해서 신중하고 철저한 검증 절차를 통한 디지털 방송 정책의 재검토가 이루어져야 할 것입니다.

덧붙여 정부는 97년에 미국식으로 디지털 방송 방식을 선정하면서 정확하지도 않은 디지털 텔레비전 수상기 수요 예측을 토대로 국내 가전사의 디지털 수상기 시장 선점에 의한 산업 효과를 내세워 왔습니다. 그러나 2002년 현재 미국은 디지털 TV 수신기 보급이 극히 저조하자, 대형 텔레비전부터 디지털 TV 수신장치를 내장할 것을 강제하려 하고 있습니다. 이에 전미가전협회 등은 텔레비전 단가만을 높일 뿐이라며 반발하고 있습니다. 따라서 위의 조치는 자칫 고가로 인해 디지털 TV 수신기 구입을 망설이는 시청자들을 더욱 주저하게 할 가능성이 있습니다. 여기에는 기존 아날로그방송이 사용하고 있는 주파수를 조기에 회수하고, 이를 판매하여 돈을 벌고자 하는 미국정부의 의도가 깔려있는 것으로 보입니다.

18. 방송방식이란 무엇입니까 ?

방송은 기술의 발달로 생겨난 매체입니다. 따라서 반드시 기술적인 틀이 필요하고 이 틀 안에서 방송되어야 합니다. 기술적인 틀이 바로 방식(또는 표준:Standard)입니다. 비유해서 설명하면 방송방식은 정보를 전달하는 측(송신측 = 방송사)과 정보를 받는 측(수신측 = 시청자)이 정보를 원활하게 주고 받을 수 있도록 미리 약속한 규칙입니다. 즉 하드웨어적인 언어라고 규정할 수 있습니다. 방송방식은 아날로그와 디지털을 가리지 않고 모두 필요합니다. 한편 방송매체에는 TV 뿐만 아니라 라디오, 위성, 케이블, 그리고 앞으로 도입될 데이터 방송이 있습니다. 이들 모두 나름대로의 방식이 있습니다. 특히 우리가 일반적으로 TV라고 부르는 지상파 방송은 사람들에게 가장 친숙하고, 대중매체로서의 영향력이 매우 커서 방송매체 중에서도 가장 중요한 위치를 차지하고 있습니다.

19. 방송방식이 그렇게 중요합니까 ?

물론입니다. (지상파)방송은 문화산업의 일부이자, 정보산업이기도 하며, 각종 전자, 통신기술의 집합체이기도 합니다. 또 언론의 기능을 수행합니다. 대중매체로서, 언론으로서 방송은 국민들에게 엄청난 영향을 미치고 있습니다. 방송이 이렇게 중요한데 방송을 시청자에게 전달하는 방송방식이 중요하다는 것은 더 말할 필요가 없을 것입니다. 더구나 방송방식은 한 나라의 국가표준으로서 한 번 정해지면 수십 년 이상을 사용하게 된다고 보았을 때, 우리 스스로 우리의 방송방식을 만들 수 없는 상황이라면 가능한 세계적 보편성을 확보하고 있으며 우리의 정서와 지형에 적합한 것을 선택해야 할 것입니다. 현재의 칼라 TV 표준은 1953년에 완성되어 약 50년을 사용하였고, 흑백까지 계산하면 70년 이상 사용한 셈입니다. 따라서 방식선정은 신중하고 또 신중하게 결정해야 합니다.

20. 미국식과 유럽식의 디지털방송에 대하여 설명해 주세요.

미국식은 미국의 첨단텔레비전방송방식위원회(ATSC : Advanced Television System Committee)에서 96년에 제정한 디지털 텔레비전 방송방식입니다. 방송방식에서는 가장 중요한 것이 송신소에서 가정까지 전달하는 기술인데 이것을 전송방식, 변조방식 또는 전송표준이라고 부릅니다. 세가지 용어가 동일한 의미로 혼용되고 있습니다. 여기서 변조라는 것은 방송프로그램을 각 가정에 전달될 수 있도록 전기적인 신호로 변환하여 전파에 싣는 기술을 말합니다. 그래서 미국식 디지털 방송을 보통 ATSC 방식 또는 전송표준의 이름을 따서 8-VSB 방식이라고 부르기도 합니다.

* 미국방식을 조각난 시체더미에서 짜맛춘 괴물 "프랑켄 슈타인"이라고 풍자한 그림
미국방식은 오로지 지상파 디지털 방송(DTV)에만 적용되며, 주로 고화질 방송만을 위해 개발된 기술입니다. 광활한 미국 대륙에서는 유용한 면이 없지 않으나 여러 가지 문제점들로 인해 미국에서조차 청문회까지 열리는 등, 논란을 불러일으키고 있습니다.

유럽방식은 유럽 내 디지털 영상 방송(DVB : Digital Video Broadcasting)이라는 컨소시엄에서 제정하여 유럽연합의 승인을 받은 것입니다. 이 방식은 이미 통신 분야에서 널리 사용되는 OFDM이라고 불리우는 변조방식을 디지털 방송에 적용시킨 것입니다. 유럽방식은 또한 위성(DVB-S), 케이블(DVB-C), 지상파(DVB-T) 등 모든 매체의 디지털 방송 규격이 기술적인 일관성을 가지고 있어 통일된 규격이라고 볼 수 있으며 따라서 세 가지 매체를 모두 수신할 수 있는 통합수상기를 구현하기가 용이하며 그 결과 소비자들의 부담이 미국식보다 저렴할 것으로 예측됩니다.

유럽방식은 고화질은 물론이고 아날로그 방송에서 나타난 기술적 결함들을 극복하는데 초점을 맞추어 개발된 기술입니다. 난시청의 해소와 실내안테나를 이용한 간편한 수신, 그리고 이동수신이 가능한 것이 유럽식 디지털 방송방식입니다.

 

1-3 디지털신호의 기초

디지털 신호에 의한 전송

아날로그 신호를 디지털 신호로 전송하는 처리과정을 그림2.1에 나타냈다.

[그림2.1] 디지털 신호전송

LPF(Low Pass Filter), S&H(Sampling and Hold) 및 A/D(Analog to Digital converter)가 송신측에 있고, D/A(Digital to Analog converter)부터 출력측까지 수신측이 된다. 아날로그 신호에서 디지털 신호로의 변환은 LPF에서 대역제환을 하고, S&H에서 아날로그의 연속신호를 샘플링해서 일정 간격의 샘플링을 만든다. 이 단계에서 각 샘플의 값은 아날로그 양이고 PAM(Pulse Amplitude Modulation)과 같다. A/D에서 각 샘플값을 2진수로 변환하면 PCM(Pulse Code Modulation)으로 되어 디지털 부호를 얻을 수 있다.

디지털 신호에서 아날로그 신호로는 D/A에서 PAM으로 변환하여 각 샘플의 아날로그 값을 얻는다. 이것은 일정 간격의 이산치(離散値)이고. LPF에서 샘플간 보간을 하여 아날로그 신호로의 변환을 완료한다. 디지털 전송계에서 영상, 음성신호를 취급하기 위해서는 리얼타임 처리가 필요하다. 이 경우 영상신호는 전송 주파수 대역이 넓어 샘플링 간격을 짧게 하지 않으면 안되기 때문에 음성신호에 비해서 상당한 고속처리가 요구된다.

샘플링과 샘플홀드

샘플링(sampling, 표본화)이라는 것은 연속된 아날로그 신호를 어떤 시간 간격으로 나누고, 나뉘어진 기간의 순시값을 추출해서 샘플(sample, 표본)을 만드는 것이다. 텔레비전 영상으로 말하자면 화소로 분해하는 것이고 , 얻어진 샘플은 화소에 해당한다. 시간 간격을 결정하는 신호를 샘플링 펄스(sampling pulse : 표본화 펄스)라고 하고, 시간 간격을 T라 하면 1/T를 샘플링 주파수(sampling frequency : 표본화 주파수)라고 한다.

A/D변환 처리기간 중에 샘플링 값에 변동이 있으면 안된다. 이 때문에 다음 샘플이 얻어질 때까지 샘플값을 홀드(유지)하는 것이 샘플홀드이다. 샘플링의 모양을 그림2.2에 나타냈다. 그림2.2(a)의 아날로그 스위치에서 샘플링이 이루어지며, 출력에 삽입되어 있는 콘덴서가 샘플홀드(sample hold)이다. 샘플출력으로는 그림2.2(b)의 샘플파형이 얻어진다.

샘플링과 LPF

샤논(Shannon)의 샘플링 정리에 의하면 이상적인 로패스 필터(LPF)에서 f0로 대역 제한된 신호는 2f0의 주파수로 샘플링하면 전송된 신호를 복원할 수 있다. 지금 대역제한되지 않은 신호를 샘플링한 경우를 생각해 보자. 임의로 2kHz의 사인파를 8kHz로 샘플링하면 그림2.3으로 된다.
[그림2.2] 입력신호의 샘플링

[그림2.3] 2kHz를 8kHz로 샘플링

그림2.3은 2kHz를 8kHz로 샘플링할 경우 입력신호에 6kHz가 포함되어 있으면 샘플링 점이 동일하게 되어 6kHz도 2kHz로서 판정하는 것을 보여주고 있다. 이것은 6kHz를 8kHz의 반송파로 진폭변조한 경우에 하측파로서 2kHz가 나타나는 것처럼 샘플링 주파수를 중심으로 앨리아싱(aliasing) 현상이 존재한다는 것을 나타내고 있다. 앨리아싱 현상을 방지하기 위해서는 입력신호를 샘플링하기 전에 LPF로 샘플링 주파수의 1/2 이하로 대역제한하지 않으면 안된다. 대역제한을 위해서 삽입하는 LPF를 안티 앨리아싱 필터(anti-aliasing filter)라고 한다. 또 대역제한이 불충분하다면 앨리아싱된 주파수 성분은 노이즈가 되고 이것을 앨리아싱 노이즈(aliasing noise)라고 부른다.

어떤 주파수 이하를 100% 통과시키고 그것을 초과하는 주파수는 100% 감쇄되는 이상적인 LPF는 존재하지 않는다. 보통 샘플링 주파수는 전송 주파수의 2배보다 높게 설정된다. 예를들면 20kHz까지의 주파수 전송을 하는 텔레비전 음성의 샘플링 주파수는 48kHz로 설정되어 있다.

양자화

샘플링에 의해서 얻어진 샘플값(아날로그양)을 n개의 레벨로 분해하고 샘플값을 가장 가까운 이산치(離散値)에 근사시키는 것을 양자화(quantization)라고 하고 보통은 2진수로 표현한다. 샘플링이 시간축에서 이산치로의 변환이라면 양자화는 진폭축에서 이산치로의 변환이라고 할 수 있다. 그림2.2에 나타난 샘플링을 8레벨로 양자화하면 그림2.4로 된다.

[그림2.4] 양자화와 양자화 오차 (3비트 양자화의 예)

양자화에 의해서 얻어진 값은 표시의 값으로 샘플값과는 차이가 난다. 양자화 값과 샘플값과의 차는 양자화 오차로 나타난다. 양자화 오차는 전송로에서 노이즈의 혼입에 따른 파형왜곡으로도 표현되며 양자화 노이즈(quantizing noise)라고도 한다. 양자화에는 양자화 스텝을 등간격으로 하는 직선 양자화(linear quantizing)와 입력신호의 진폭에 따라서 양자화 스텝을 변화시키는 비직선 양자화(non-linear quantizing)가 있다. 음성처럼 소진폭 신호로 표현될 확률이 높은 정보에서는 소진폭 부분의 양자화 스텝을 세밀하게 하여 양자화 노이즈를 귀로 느낄 수 없도록 비선형 양자화를 사용하는 경우도 있다. 그러나 전자 디바이스가 발달한 현재는 양자화 노이즈를 경감하기 위해서는 양자화 비트수를 많게 해서 직선 양자화를 하는 것이 바람직하고, 비직선 양자화를 이용하는 경우는 드물다.

그외에 양자화에 의한 왜곡으로는 과부하 노이즈(saturation noise)가 있다. 입력레벨이 양자화 범위를 넘는 경우, 양자화로 얻어진 데이터는 양자화 범위를 넘는 부분에 대해서는 전부 1 또는 0이 된다. 특히 음성신호에서는 2의 보수로 표현하는 경우가 많고, 이 경우 과대입력이 되면 정(正)의 부호(011…)가 부(負)의 부호(100…)로 바뀌고 펄스성 노이즈가 되어 청각에 장해를 준다. 과부하 노이즈도 양자화에 따라 발생하는 노이즈로서 광의의 양자화 노이즈라고 할 수 있다.

A/D 변환기

샘플링과 샘플홀드(S&H) 및 양자화 회로를 총칭해서 A/D 변환기(Analog to Digital converter)라고 하는데 협의로는 양자화 회로를 가르키는 경우도 있다. 텔레비전 영상신호의 디지털화에는 고속처리가 요구되기 때문에 A/D변환기는 그림2.5의 병렬비교(flash)형이 주로 사용된다. 전압비교기(voltage comparator) 중 하나의 입력은 기준전압이고 각 비교기는 항상 입력 아날로그 신호와 전압비교를 한다. 지금 입력전압(Va)이 V5<Va≤V6라면 기준전압 V5 이하의 비교기에는 모든 출력이 나타나고, D플립플롭의 클럭단자(K)에 입력되는 샘플링 펄스의 타이밍으로 비교기 출력은 메모리 된다. 배타적 논리합(exclusive OR)부터 출력까지는 2진수로 변환하는 부호화기(encoder)이다.

[그림2.5] 병렬 비교형 A/D변환기 (3비트 양자화)

병렬형 A/D변환기는 1회의 타이밍으로 모든 처리를 완료하기 때문에 고속처리가 가능하다. 또 아날로그 신호에 의한 샘플링 및 샘플홀드를 필요로 하지 않는다. 그러나 양자화 비트수가 많아지면 비교기의 수도 증가하게 된다. 예를들면 8비트 양자화를 하기 위해서는 255개의 비교기가 필요하게 되는데 전자 디바이스가 발달한 현재는 가능하다.

컴포넌트 전송에서의 크로마포맷

컴포넌트 전송(1.7절 참조)에서 휘도신호와 색차신호의 전송대역비를 크로마포맷(chroma format)이라고 부른다. 색차신호에 대한 눈의 해상도는 휘도신호에 비해서 떨어지기 때문에 색차신호의 전송대역은 휘도신호보다 좁게 해도 되기 때문에 미국, 일본 등의 525/60과 유럽의 625/50 모두 공통의 값으로서 휘도신호 대역 4MHz, 2개의 색차신호 대역을 각각 2MHz로 하는 방식을 4:2:2 크로마포맷이라고 부르게 되었다. 그러나 HDTV에서는 30:15:15로도 부르고 있지만 역시 4:2:2 명칭이 사용되며, 현재는 휘도신호와 색차신호를 디지털화하는 경우 샘플링 주파수의 비를 표현하는 형태로 되었다. 현재 가장 일반적인 크로마포맷을 표2.1에 나타내었다.

[표2.1] 크로마포맷

텔레비전 영상신호의 디지털화

국제간 프로그램 교환을 위해서는 525/60 방식과 625/50 방식을 상호 방식변환해야만 한다. 그런데 두 방식의 디지털화 프로세스를 동일하게 하고 가능한한 공통의 파라메타를 사용하는 것이 바람직하다. 국제 통일규격으로서 텔레비전 신호의 디지털 처리에는 컴포넌트 신호, 크로마포맷 4:2:2, 샘플링 주파수 13.5MHz를 채택하고 있다. 휘도신호에 대한 샘플링 주파수는 두 방식의 수평주파수의 공배수로부터

fh(525/60)×143=fh(625/50)×144=2.25MHz

단, fh(525/60)=(2/455)×fsc(=(63/88)×5MHz) (1.8절 참조), fh(625/50)=625×25=15.625kHz (1.14절 참조)로 하여 두 방식에 공통되는 값 2.25MHz를 구하고, 샘플링 정리를 만족하는 13.5MHz(=2.25×6)를 샘플링 주파수로 설정했다. 색차신호의 전송대역은 휘도신호의 1/2로 충분하며 크로마포맷 4:2:2에 대응하는 6.75MHz(=(1/2)×13.5MHz)로 하고 있다. 다시말해 525/60 방식의 수평주파수는 루비듐 발진기의 5MHz에서 분주한 값이며, fsc를 3.579545MHz로 계산하면 정확하게 2.25MHz가 되지 않는다. 국제통신연합 무선통신부문의 권고에 의한 컴포넌트 신호에 관한 파라메타를 표2.2에 나타냈다.

[표2.2] 컴포넌트 신호의 부호화 파라메타 (ITU-R Rec.601)

* ITU-RS(ITU Radiocommunication Sector, 국제통신연합 무선통신부문) 1992년 12월 ITU의 조직개정에 따라 CCIR이 ITU0RS로 편입되었고, 구 CCIR의 권고는 ITU0R권고(Recommendation)라고 부른다.

국제규격은 컴포넌트 디지털이지만 컴포지트 신호를 그대로 디지털화하면 아날로그 전송로에 적용시키는데 편리하며, 일본에서는 VTR 등의 방송기기에 컴포지트 디지털도 많이 사용하고 있다. 컴포지트 신호의 샘플링 주파수로는 부반송파 주파수의 정수배가 사용되며, 초기의 방송기기에는 부반송파의 3배(3fsc≒10.7MHz)가 많이 사용되었다. 부반송파 주파수(fsc)는 수평주파수(fh)의 227.5(455/2)배로 선정되었기 때문에 3fsc에서는 주사선수 1개당 682.5 사이클에 해당한다. 따라서 3fsc로 구성되는 샘플링 펄스는 주사선마다 180o 위상차이가 나고 그림2.6처럼 화면상에서 샘플링 점이 다른 장소에 표시된다.

[그림2.6] 3fsc에 의한 샘플링

샘플링 주파수를 4fsc(14.318MHz)로 선정하면 샘플점의 차이는 발생하지 않으며, 현재의 컴포넌트 디지털 기기의 샘플링 주파수는 4fsc를 사용하고 있다. 표2.3에 컴포지트 신호에 관한 파라메타를 나타내었다.HDTV의 디지털 변환에도 1125/60과 1250/50 두 방식에 공통의 파라메타를 ITU-R 권고 709에 의해서 규정하고 있다.

샘플링 주파수는 2.25MHz의 정수배이고 주사선당 수평귀선기간을 제외하고 유효화소수는 1920으로 한다. 2.25MHz의 정수배를 만족하는 값으로서 fh(1125/60)×2200=fh(1250/50)×2376=74.25MHz가 얻어진다. 이 값은 2.25MHz의 33배(=13.5MHz×5.5)이다. HDTV에 관한 파라메타를 표2.4에 나타냈다.

[표2.3] 컴포지트 신호의 부호화 파라메타

[표2.4] HDTV의 부호화 파라메타 (ITU-R Rec.709)

휘도신호의 샘플링 주파수를 54MHz로 하고 주사선당 유효화소를 1440으로 하는 안도 유럽에서 제안되었다. 이 때문에 MPEG-2(차후 설명)에는 High 1440 Level이 표준화되어 있다. 수직귀선기간을 제외하고 유효주사선수를 일본에서는 1035로 하고 있지만 미국의 ATV(Advanced TeleVision)에서는 1080을 채택하고 있다. 이것은 텔레비전 화면을 aspect비 1:1로 잘라 냈을 때 1080×1080의 스퀘어 픽셀(square pixel)을 구성하게 하여 컴퓨터와의 친화성을 고려하고 있다.

 

음성신호의 디지털화

음성신호의 디지털 녹음은 방송용 VTR을 사용한 것에서 시작했기 때문에 샘플링 주파수도 영상신호의 수평주파수로부터 단한 정수비를 이용해서 이끌어 낸 값으로 되었다. 샘플링 주파수는 3종류가 규정되어 있고, 각각

48kHz =(1144/375)×fh(525/60)=(384/125)×fh(625/50)
44.1kHz =(147/160)×48kHz
32kHz =(2/3)×48kHz로 구해진다.

48kHz 및 44.1kHz 샘플링에서 음성신호 대역은 20kHz까지 전송가능하고 32kHz 샘플링에서는 15kHz이다. 표2.5에 음성신호의 부호화 파라메타를 나타낸다.

[표2.5] 음성신호의 부호화 파라메타

디지털 신호의 직렬전송

A/D 컨버터에서 얻어지는 부호는 병렬(parallel) 데이터이다. 병렬 데이터를 그대로 전송하는 것이 병렬전송(parallel transmission)이다. 이 경우 비트수와 같은 수의 전송로를 필요로 하고, 그외에 클럭 전송로도 필요하게 된다. 예를들면 10비트 양자화된 영상신호의 전송에는 11개의 전송로가 필요하게 된다. 장거리 전송이라면 비트간의 위상오차도 무시할 수 없기 때문에 보통 디지털 데이터의 전송은 직렬전송(serial transmission)이 이용된다. 병렬 데이터에서 직렬 데이터로의 변환(parallel to serial conversion : P/S변환)은 그림2.7처럼 쉬프트 레지스터로 구성할 수 있다(D는 1비트 지연소자).

[그림2.7] 쉬프트 레지스터에 의한 병-직렬 변환

직렬전송에서는 병렬 데이터가 입력되는 기간내에 직렬전송을 완료하지 않으면 안된다. 영상신호를 13.5MHz 샘플링, 10비트 양자화하면 병렬 데이터 1샘플의 입력주기는 1/13.5㎲ 이내에 완료하지 않으면 안되고, 전송 비트레이트는 135Mb/s가 된다. 크로마포맷 4:2:2의 컴포넌트 신호의 전송에서는 표2.2에 나타난 것처럼 270Mb/s가 요구된다.

디지털 신호의 베이스밴드 전송

영상·음성신호 또는 A/D변환에 의해 전압의 변화로서 표현된 디지털 정보를 베이스밴드(baseband : 기저대역) 신호라고 부르고, 이에 대해 반송파로 변조된 신호를 搬送信號라고 부른다. 디지털 정보의 베이스밴드 신호는 2値 신호이다. 펄스신호 파형에는 그림2.8에 나타난 NRZ(Non Return to Zero) 또는 RZ(Return to Zero)가 보통 사용된다. NRZ신호는 이름 그대로 데이터가 변화할 때까지 신호레벨이 변화하지 않는 형식이며, unipolar(단극성)이라는 것은 레벨 0과 +1을 데이터에 대응시키고, bipolar(양극성)이라는 것은 레벨 -1과 +1을 데이터에 대응시키고 있다. 한편 RZ신호는 데이터가 입력될 때마다 신호레벨이 반드시 일단 0으로 돌아가는 신호형식이고, NRZ와 같이 unipolar와 bipolar가 있다.

[그림2.8] 펄스파형의 표현

RZ신호는 NRZ신호에 비해서 펄스폭이 좁으므로 전송대역폭이 넓어 지기 때문에 전송에 사용되는 베이스밴드 신호로는 보통 NRZ가 이용된다. 직렬전송된 펄스열에는 클럭이 포함되지 않기 때문에 수신측에서는 입력 펄스열로부터 클럭을 재생하지 않으면 안된다. 그러나 NRZ신호에서 0 또는 1이 연속되는 경우, 신호는 직류가 되고 입력 펄스열로부터 클럭을 재생하는 것이 곤란해진다.

또 영상신호처럼 인접하는 화소, 주사선, 프레임간에 상관관계가 강한 신호에서는 같은 데이터가 연속될 확률이 높고, 전송 주파수 대역내 스펙트럼의 에네르기가 한쪽에 치우친다. 특정 스펙트럼에 에네르기가 집중하면 위성중계기(transponder)처럼 사용전력에 제한을 받는 기기에서는 혼변조에 의해 전송 데이터에 장해가 발생할 우려가 있다. 그리고 0 또는 1이 연속되는 경우에도 클럭 재생이 쉽도록, 또 에네르기가 집중되지 않도록 디지털 데이터를 스크램블(데이터의 비밀유지를 위한 스크램블과 구별하기 위해서 전송 스크램블이라고 한다), 또는 에네르기를 확산시킨 부호로 전송할 필요가 있다.

VTR 등의 기록매체에서는 8비트 정보를 14비트로 변환하고 직류성분의 발생을 없앤 EFM(Eight to Fourteen Modulation)처럼 이른바 DC-free도 있지만 이 경우에는 비트수가 증가한다. 전송로의 용량에 제한이 있는 일반적인 전송로에서는 疑似 랜덤 노이즈(pseudo noise : PN신호라고 한다)를 가산하는 방법이 이용된다. PN가산방식은 전송신호에 PN신호(의사 노이즈)를 배타적 논리합으로 가산하는 방식이다. 지금, 전송신호가 111111111라고 가정하자. 여기에 PN신호 100101010을 그림2.9의 회로로 가산하면 출력신호는 011010101로 되어 1의 연속을 방지할 수 있게 된다.

[그림2.9] PN신호 가산에 의한 스크램블

[그림2.10] PN신호 가산에 의한 디코드

수신측에서는 송신측과 같은 PN신호를 가산해서 송신신호로 디코드한다. 그림2.9, 2.10에서는 PN신호를 고정 데이터로 했지만 이 경우에는 전송신호가 PN신호와 같게 되면 반대로 0이 연속된 신호로 되어 버린다. 따라서 PN신호로는 보통 M계열 부호를 사용한다. 쉬프트 레지스터와 배타적 논리합을 조합시킨 그림2.11의 회로를 생각해 보자.

[그림2.11] M계열 부호 발생기

그림2.11의 각 레지스터의 초기상태를 000으로 하면 쉬프트 레지스터의 출력은 항상 0이다. 그러나 초기상태가 000이 아니라면 3개의 레지스터 출력에는 001부터 111 중 하나의 부호가 나타나고, 7클럭마다 쉬프트 레지스터는 초기상태로 되돌아가게 된다. 이와 같이 하여 얻어진 부호를 M계열(Maximum length shift register sequence : 최대 길이 쉬프트 레지스터 계열) 부호라고 한다.

M계열 부호를 PN신호로 하면 클럭마다 다른 부호가 가산되고 전송 데이터에 포함되는 직류성분은 줄어든다. 그림2.11에서는 이해를 쉽게 하기 위해서 3단의 쉬프트 레지스터를 이용했지만 13.5MHz 샘플링, 10비트 양자화의 컴포넌트 영상신호가 적용되는 방식으로 9단의 쉬프트 레지스터를 이용하는 것으로 SMPTE(Society of Motion Picture and Television Engineers : 미국의 영화·텔레비전 기술협회)가 규정하는 SMPTE-259M 규격이 있다. SMPTE-259M은 9단의 쉬프트 레지스터로 구성하는 M계열 신호발생기에 전송 데이터를 입력하는 스크램블 회로이고, 그 구성을 그림2.12에 나타냈다(클럭입력은 생략).

[그림2.12] SMPTE-259M의 스크램블 회로

SMPTE-259M에서는 스크램블 회로의 다음에 전송로의 극성을 없애기 위해서 스크램블 출력에 NRZ신호를 NRZI 신호로 변환하는 회로를 부가하고 있다. 따라서 SMPTE-259M의 엔코더는 그림2.13처럼 된다.

[그림2.13] SMPTE-259M의 엔코더

NRZI(NRZ Inverted) 신호는 그림2.14에 나타난 것처럼 신호의 극성이 반전된 시점을 1로 하는 신호이다.

[그림2.14] NRZI 신호

SMPTE-259M의 디코드에서는 엔코더와 반대의 조작이 이루어지고, 그 회로는 그림2.15와 같이 된다.

[그림2.15] SMPTE-259M의 디코더

그림2.11은 피드백 회로를 原始多項式 x3+x+1로 구성한 M계열 신호 발생기이다. 또 SMPTE-259M의 스크램블 회로에는 원시다항식 x9+x4+1을, NRZ로부터 NRZI로의 변환에는 원시다항식 x+1을 피드백 회로에 적용하고 있는데 부호의 다항식 표현 및 원시다항식에 관해서는 제4장 '디지털 부호의 오류검출과 오류정정'에서 설명한다.

베이스밴드 전송에서의 부호간 간섭

NRZ 신호와 같은 구형파에는 무한의 대역까지 고조파가 포함되어 있다. 이같은 신호를 유한의 대역을 갖는 일반 전송로를 통과시키면 파형잡음에 의해 그림2.16처럼 부호간 간섭(intersymbol interference)이 발생한다.

[그림2.16] 부호간 간섭을 발생시키는 전송로

데이터 전송에서는 데이터를 정확하게 수신할 수 있어야 한다는 것이 중요하지 송신파형을 올바르게 수신한다는 것은 중요하지 않다. 따라서 펄스파형을 부호간 간섭이 생기지 않는 파형으로 변환해서 전송할 필요가 있다. 부호간 간섭이 발생하지 않는 파형이라는 것은 연속하는 펄스열에서 자기의 중심점에서는 진폭≠0이고, 다른 샘플점에서는 진폭=0으로 되는 파형이다. 이같은 파형을 만들기 위한 조건은 나이퀴스트(H. Nyquist)에 의해서 구해졌다.

[그림2.17] 이상 LPF의 펄스응답

지금 주파수대역 0∼f0에서는 진폭변화가 없고, 또 위상변화가 직선이며 f0를 넘는 주파수대역은 100% 감쇄하는 이상적인 LPF가 있다고 하자. 이상적인 LPF에 단일 펄스를 입력한 경우의 출력파형은 그림2.17(b)에 나타난 것처럼 f(x)=(sinx/x)로 표현되는 파형이 된다. 그림2.17(b)에 나타난 파형은 시간 T(=1/2f0)마다 진폭이 0이 된다. 따라서 1/2f0 간격으로 부호를 보내면 부호간섭이 없는 데이터 전송이 가능하다. 2f0를나이퀴스트 속도, T(=1/2f0)를 나이퀴스트 간격이라고 한다. 그러나 이상적인 LPF는 실현 불가능하다. 이상적인 LPF와 마찬가지로 1/2f0 간격으로 진폭이 0이 되는 LPF에 그림2.18의 코사인 롤오프 필터(cosine roll-off filter)가 있다.

[그림2.18] 코사인 롤오프 필터의 특성

그림2.18(a)의 코사인 롤오프 특성은 다음식으로 표현된다.


α=f1/f0로 할 때 α를 롤오프율이라고 한다. f1=0, 다시말해 α=0은 이상적인 LPF이다. 코사인 롤오프 필터에 베이스밴드 신호를 통과시키면 그림2.18(a)에서 α=0.5일 때 0∼1.5f0가 통과대역이고 α=1일 때는 0∼2f0가 통과대역이다. 나이퀴스트 속도 2f0는 샘플링주파수, 다시말해 전송 비트레이트이기 때문에 전송 비트레이트를 br이라고 하면 전송로에 요구되는 주파수 대역폭 Bw는
이 된다.

디지털에서 아날로그로

펄스 파형으로 전송되는 디지털 데이터는 펄스 파형 그대로 처리되는 한 전송도중에서 품질의 열화는 없다. 그러나 마지막에는 아날로그 신호로 되바꾸지 않으면 사람이 이해할 수 있는 화상이나 음성으로 만들 수 없다. 직렬 전송된 디지털 데이터는 그림2.19의 직-병렬 변환회로에 의해 병렬 데이터로 된다.

[그림2.19] 디지털에서 아날로그로

병렬 데이터는 D/A변환기에 의해 아날로그 신호를 샘플링한 파형(PAM)으로 되돌려진다. PAM신호는 이상적인 LPF에 의해서 샘플 사이를 보간(補間)하면 완전하게 원신호로 복원할 수 있다. 그러나 현실로는 이상적인 LPF는 존재하지 않기 때문에 복원신호에는 오차가 생긴다. 이 오차를 補間誤差, 또는 보간 노이즈라고 한다.

그림2.19의 D/A변환기로 자주 사용되는 회로로는 R-2R 래더 저항회로를 들 수 있다. 이것은 R과 2R의 2종류의 전기저항만으로 구성되는 그림2.20과 같은 회로이다. 그림2.20에서 버퍼증폭기(BA)에 디지털 데이터가 입력되었을 때의 BA의 출력전압을 Ein이라고 하자. 지금 20의 단자에만 1이 입력되고 21, 22, 23의 단자입력은 0라고 하자. 이 경우의 등가회로를 나타내면 그림2.21로 된다. 그림2.21에서 출력전압(Eout)은 Ein/16이 되어 그림2.20의 D/A변환기는 Ein/16 스텝으로 출력전압이 변화하며, 20∼23의 모든 단자에 1이 입력되면 출력전압은 15Ein/16으로 된다. 그림2.20의 D/A변환기 출력을 2R로 종단하면 그림2.22로 된다. 그림2.22에서 출력전압(Eout)은 Ein/24 스텝으로 변화하는 D/A변환기가 된다.

[그림2.20] R-2R 래더저항 D/A변환기

[그림2.21] 20단자만 입력 1인 등가회로

[그림2.22] 출력을 2R로 종단한 D/A변환기

 

 

미국의 디지털TV 규격(ATSC 8-VSB) 소개

미국의 Grand Alliance가 고안, ATTC가 시험, FCC가 인정한 8-VSB란 과연 무엇인가? 간단히 말해서 8-VSB는 디지털 신호를 가정으로 보내기 위한 디지털 텔레비전 표준규격의 RF변조 포맷을 말한다. DTV시스템을 생각할 때 우선 사용되는 수많은 용어 중에서 8-VSB와 MPEG-II, 두 가지 용어는 반드시 기억해야 한다.

  • 8-VSB : RF변조 포맷
  • MPEG-II : 영상압축포맷

고선명 스튜디오 영상신호를 송출에 적합한 형태로 변환하려면 두 단계가 필요

  • MPEG-II 엔코딩과 8-VSB변조 → MPEG-II 엔코더와 8-VSB 엑사이터가 반드시 필요함
  • MPEG-II 엔코더는 기저대역의 영상신호를 DCT(Discrete Cosine Transform), Run Length Coding과 양방향 움직임 예측기법을 이용하여 압축.
  • MPEG-II 코더는 압축된 영상신호를 돌비 AC-3 오디오신호와 부가 데이터와 함께 다중화시킴. 그 결과는 19.39Mbit/sec의 전송률을 갖는 MPEG-II 비트 스트림이 생성됨. 1Gbit/sec 이상이 되는 엔코더 입력 데이터량을 19.39Mbit/sec로 줄이는 것은 결코 사소한 것이 아님.
  • 이 19.39Mbit/sec의 데이터 스트림을 DTV 전송 스트림이라 부르며 이것은 MPEG-II의 출력과 8-VSB 엑사이터의 입력이 된다.
  • 전송 스트림을 6MHz의 대역으로 전송하려면 몇 가지 과정을 더 거쳐야 하는데 이것을 8-VSB 엑사이터에서 수행

[그림1] 8-VSB 엑사이터 계통도

데이터 동기

  • MPEG-II 전송스트림를 엑사이터에 동기시킴
  • MPEG-II 전송스트림의 시작과 끝을 정확히 인식해야 함
  • MPEG-II의 동기 바이트를 이용하여 수행
  • MPEG-II전송 스트림은 188바이트로 구성되며 첫 번 바이트는 항상 동기 바이트임
  • 이후의 과정에서 동기 바이트는 효력이 상실되며 ATSC 세그멘트 동기신호로 대치됨

데이터 랜덤화(Data Randomizer)

  • 세그멘트와 필드 싱크가 없다면 8-VSB 데이터 스트림은 노이즈처럼 완전히 랜덤한 형태
  • ATSC 변조신호는 허용대역에서 최대의 효율이 발휘하도록 백색 노이즈와 같은 스펙트럼 형태를 띰 → 방송신호는 반복 형태를 갖고 있으므로 신호가 특정 주파수에만 몰릴 수 있으며 반대로 어떤 주파수는 비어 있을 수 있음
  • 데이터 랜덤화기에서 각 바이트 값은 의사 랜덤 수자 발생기의 패턴에 따라 바뀜
  • 이 과정은 수신기에서 역으로 처리되어 정확한 값을 복원함

리드 솔로몬 부호화

  • 리드 솔로몬 부호화는 입력 데이터 스트림에 부가되는 FEC구조
  • FEC : 전송과정에서 발생하는 비트 에러를 보정하는 기술. 대기중의 노이즈, 다중경로 전파, 신호 페이딩과 송신기의 비직선성은 모두 비트 에러발생 요인임
  • MPEG-II 전송 스트림의 187바이트 후미에 20개의 바이트를 추가 → 20바이트를 리드 솔로몬 패리티 바이트라 함
  • 수신기에서는 수신된 187바이트를 20패리티 바이트와 비교, 정확성을 판별함 → 에러가 검출되면 에러의 위치를 찾아내어 왜곡된 바이트를 수정해서 원래의 신호로 복구함
  • 이 방법으로 스트림당 10바이트의 에러까지 복구가능함
  • 그 이상의 에러는 복구 불가능하며 전체의 스트림은 폐기처분됨

데이터 간삽기(Data Interleaver)

  • 데이터 스트림의 순서를 교란, 전송신호를 간섭에 강(둔감)하도록 시간축상에서 데이터를 분산시킴(버퍼 메모리를 이용, 4.5msec 동안)
  • 신호 대역의 어떤 부분에 노이즈가 발생하더라도 그 외의 대역에 있는 신호는 보존됨(Time Diversity)
  • 이 과정은 수신기에서 역으로 처리되어 정확한 값을 복원함(그림2. 참조)

[그림2] 데이터 인터리빙

격자 부호화(Trellis Encoder)

  • 또 다른 형태의 FEC
  • MPEG-II전체 스트림을 다루는 리드 솔로몬 코딩과 달리, 격자부호화는 시간의 영향을 고려하는 코딩 →중첩부호화(Convolutional Code)
  • 격자부호화과정에서는 8비트 바이트를 4개의 2비트 워드로 분할
  • 2비트 워드는 이전의 워드와 비교됨
  • 3비트 2진 코드가 이전 워드에서 현재 워드로의 변화를 기술할 목적으로 발생됨
  • 이 3비트 코드가 원래의 2비트 워드를 대체하여 8-VSB의 여덟 레벨 심볼로 전송됨(3비트 = 23 = 8레벨
  • 트렐리스 코더로 입력된 2비트 워드는 3비트 신호로 변환되어 출력됨 → 이러한 이유로 8-VSB시스템을 2/3레이트 코더(rate coder)라 부르기도 함
  • 트렐리스 코딩의 강점 : 시간에 따른 신호의 경과를 추적하여 오류 정보를 제거함 → 마치 눈밭에 찍힌 발자국을 따라 가는 것과 유사

[그림3] 트렐리스 코딩

동기 및 파이롯트 삽입(Sync & Pilot Insertion)

  • 전송된 RF신호를 수신기가 정확하게 복조하도록 역할
  • ATSC 파이롯트, 세그멘트 동기, 프레임 동기신호
  • 트렐리스 코딩 후에 삽입
  • 수신신호에서 클럭신호를 복원하는 것은 디지털 RF통신에서 까다로운 작업임
  • 복원 데이터에서 클럭을 찾는 것은 '계란이 먼저냐 닭이 먼저냐'와 같은 성격의 작업
    - 데이터는 수신기 클럭으로 표본화되어 복원됨
    - 수신기 클럭 자체가 복원된 데이터에서 생성됨
    - 클럭 시스템은 노이즈나 간섭 레벨이 클 경우 붕괴됨
  • NTSC의 경우에도 강력한 동기신호가 필요함
  • ATSC 파이롯트 신호
    - 변조 직전에 약간의 DC편이(1.25V)가 8-VSB기저대역 신호(DC성분은 없이 0볼트 근처로 사전에 집중)에 인가됨
    - 약간의 잔류 반송파가 변조된 스펙트럼의 제로 주파수 포인트에 나타남
    - 이것이 ATSC 파이롯트 신호임
    - 전송신호와 무관하게 수신기의 RF PLL회로에 동기시키는 역할을 함
    - 성격은 유사하나 ATSC 파이롯트 신호는 NTSC영상 반송파보다 훨씬 작으며 송신전력의 7%(0.3dB)에 불과함
  • ATSC 세그멘트 동기, 프레임 동기신호
    - ATSC 데이터 세그멘트는 원래의 MPEG-II 데이터 스트림 187바이트+20바이트(리드 솔로몬 부호)로 구성
    - 트렐리스 코딩후 207바이트의 세그멘트는 828개(=207×4), 8레벨 심볼 스트림으로 바뀜
    - 세그멘트 동기신호 : 데이터세그멘트의 머리에 부가되는 반복형태의 4개의 심볼(1바이트) 펄스로서 원래의 MPEG-II 전송 스트림의 동기 바이트를 대체함. 수신기에서는 완전히 랜덤한 여타 데이터에서 반복형태를 지닌 세그멘트 동기신호를 식별하는 것은 용이함 → 데이터 복구가 불가능할 정도의 노이즈와 간섭레벨에서도 클럭의 정확한 복원이 가능(SNR 0dB까지) 복원된 동기신호는 수신기 클럭을 생성하는데 사용→ 데이터의 복원(닭이 먼저냐,계란이 먼저냐 해결)

[그림4] ATSC데이터 세그멘트 구조

ATSC와 NTSC의 유사성

NTSC
ATSC

신호단위
수평주사선 길이 : 63.6msec
데이터 세그멘트길이 : 77.3usec

동기신호
수평동기신호 길이 : 4.7msec
세그멘트 싱크폭 : 0.37msec (데이터 효율 최대화)

ATSC 데이터 프레임

  • 313개의 연속된 데이터 세그멘트로 구성

[그림5] 데이터 프레임 구조

  • ATSC프레임 동기는 전체 데이터 세그멘트가 됨
  • 반복주기는 24.2msec이며 NTSC의 수직귀선기간(Vertical Interval)과 유사(NTSC 주기=16.7msec)
  • 프레임 동기는 잘 알려진 데이터 심볼 패턴을 갖고 있으며 수신기에서 고스트제거에 사용됨
  • 이 과정은 에러가 포함된 수신신호를 프레임 동기와 비교함으로써 이루어지며 그 결과 나타나는 에러 벡터를 이용하여 고스트제거 등화기의 특성을 조정
  • 세그멘트 동기와 같이, 반복성이 있으므로 데이터 복구가 불가능할 정도의 노이즈와 간섭레벨에서도 프레임 싱크의 정확한 복원이 가능(SNR 0dB까지)
  • 노이즈와 간섭에 강한 세그멘트 및 프레임 싱크의 역할로 다중경로 왜곡에 의해 데이터가 완전히 교란된 상태에서도 클럭의 정확한 복원이 가능 → 데이터 복구 가능

AM 변조

  • 동기신호와 DC파이롯트가 부가된 8레벨 기저대역 신호는 IF AM변조시킴
  • 하측파대는 거의 모두 제거시킴

나이키스트 필터

  • 원래의 MPEG-II스트림에 여러 가지 데이터를 부가시킨 결과 엑사이터 입력단의 데이터 레이트가 19.39Mbit/s에서 트렐리스 코더 출력단에서는 32.28Mbit/sec로 증가
  • 심볼레이트 = 32Mbit/3 = 10.76Million symbols/sec(∵1심볼=3비트)
  • 나이키스트 이론에 따라 점유대역폭은 1/2×10.76MHz = 5.38MHz
  • ATSC채널 할당대역폭 : 6MHz
  • 잉여 대역폭 : 620kHz, 여유도(α) = 11.5%, α가 클수록 시스템 설계(필터 설계, 클럭 정밀도 등)가 용이

[그림6] 나이키스트 필터 후의 주파수 특성

[그림7] NTSC 파형

  • 그림6.에서 보면 채널의 앞부분에 파이롯트가 보임
  • 하측파대(파이롯트 앞부분)는 거의 제거되었음을 알 수 있음(그림7. 참조)
  • 하측파대를 거의 제거시킴으로써 RF파형의 상당한 변화가 일어남(그림7. 참조)
  • NTSC에 익숙하기 때문에 8-VSB RF파형을 8단계의 휘도를 갖는 파형으로 생각하기 쉬움
  • 그림8.에서 보듯이 사각의 파형(구형파)이라면 그 점유대역이 6MHz를 훨씬 초과하게 됨. 구형파는 측파대를 무수히 만들기 때문에 인접채널에 간섭을 주게 됨

[그림8]

  • 그림8.과 같은 파형은 나이키스트 필터로 6MHz 이내로 걸러내기 때문에 나올 수 없음
  • 구형파를 대역제한시키면 에지에 포함된 정보를 상실(과도현상 발생 - ringing 등) 8-VSB신호에 있어서 이것은 한 심볼에 나타난 과도현상이 이전과 이후의 심볼에 영향을 줌으로써 레벨을 왜곡시키고 정보를 교란시킴
  • 다행히도 수신기에서 정확한 표본화 순간 동안만 8레벨 정보가 인식된다면 8-VSB심볼을 전송할 방법이 있음. 그 외의 시간에는 심볼의 크기는 중요하지 않음
  • 주파수 여과가 나이키스트 이론에 따라 정확히 이루어진다면 여과된 심볼열은 직교관계(orthogonal) → 표본화의 정확한 순간에 한 심볼만이 최종 RF파형에 영향을 줌(이전과 이후의 모든 심볼은 그 순간에 크기가 0이 됨) 그림9A.참조
  • 이런 방법으로 수신기에서 정확하게 한 개의 값만을 복원할 수 있음

[그림9A]

  • 표본화 순간에는 한 심볼만이 신호 크기를 결정함

[그림9B]

  • 검은 부분은 현재 신호, 회색 부분은 지난 신호를 나타냄
  • 표본화 순간과 표본화 사이에서 전체의 RF파형은 이전과 이후 심볼의 과도 값의 합으로 나타남
  • 수백개의 심볼이 더해지면 큰 전압을 갖게 되며 백색 노이즈와 같은 형태를 띠게 됨(그림9B)
  • 신호의 첨두 대 평균 비가 12dB정도임(송신기에서 6∼7dB로 클리핑시킴)

8-VSB신호 배열

  • 8-VSB에서 신호는 위상이 아닌 크기로만 전송되는데, 이 점이 QAM을 비롯한 여타 디지털 변조방식과 다름
  • QAM에서는 신호배열 위치는 반송파 크기와 위상의 조합이 됨
  • 8-VSB의 경우 위상은 독립 변수로 작용하지 않기 때문에 QAM과 같은 신호배열은 없음

[그림10]

  • 그림10.에서 보듯이 8레벨 신호는 동상(I채널)에서의 표본화에 의해서만 복원됨. Q채널의 표본화로는 유용한 정보를 얻을 수 없음
  • 8-VSB수신기는 I채널로만 작업하므로 DSP회로를 반으로 줄일 수 있어 회로가 간단하며 따라서 값싼 수상기의 제조 가능

8-VSB의 나머지 단계

  • 나이키스트 필터를 거친 후 8-VSB IF신호는 엑사이터 내부에서 두 번의 업컨버젼(발진기와 믹서)을 통해 채널 주파수로 변환됨
  • 엑사이터 출력은 송신기로 들어감
  • 송신기는 근본적으로 RF전력 증폭기임
  • 송신기의 비직선성에 의해 발생되는 기생발진 신호를 제거함
  • 안테나를 통해 공중으로 복사됨
  • 가정의 수상기에서는 변조의 역과정으로 신호를 복원함
    : 신호 수신 → 다운 컨버젼 → 필터링 → 검출 → 세그멘트,프레임 동기 복구 → 트렐리스 디코딩 → 디인터리빙 → 리드솔로몬 디코딩 → 디랜더마이징 → MPEG-II 디코딩 → 영상신호 출력 돌비AC-3디코딩 → 음향신호 출력

 

1. 유럽의 디지털 방송 개요

70년대 들어 HDTV개발을 가장 활발하게 추진해온 일본은 80년대 들어 Hi-Vision이라는 이름으로 방송위성을 통하여 실제 시험서비스를 행하게 되었다. 이에 대한 반작용으로 미국은 완전 디지털 방식으로 개발 방향을 잡았고, 유럽 내에서도 국가별로 디지털 방송 개발이 산발적으로 착수되어 진행되었다. HD-Divine(High definition Television-Digital Video Narrowband Emission), dTTb (Digital Terrestrial Television Broadcasting), SPECTRE, Diamond 등이 그것이다.

유럽방송연맹(EBU)는 유럽전체에서 통일적으로 적용할 수 있는 디지털 TV방송 규격을 제정하기 위해 산발적으로 진행되어오던 여러 개발 프로젝트를 통합하여 1993년에 DVB 프로젝트를 탄생시켰으며 2001년 현재 약 300여 단체가 참여하고 활동하고 있다.

이 프로젝트는 위성방송을 위한 표준을 정한 다음 케이블, SMTV, MMDS, 지상파 방송 등 다양한 전송매체에 관한 유럽 공통 규격을 정하는 것은 물론 각 매체가 최대한 공통기술을 공유하도록 기본방향을 정하였다. 개발과정을 거쳐 DVB가 제안하고 유럽의 전기통신 분야 표준기구인 ETSI에서 심의 후 표준으로 승인한 매체별 규격은 표1과 같다.
이 중 위성방송 규격인 DVB-S는 우리나라를 포함하여 전세계적으로 널리 사용되는 규격이며, 지상파 규격인 DVB-T는 유럽내의 모든 국가가 채택하고 있으며 유럽이외에 지역에서도 호주, 뉴질랜드, 싱가포르, 인도, 홍콩 등이 채택한 바 있다.

특히 영국에서는 1998년 9월 23일, 공영방송 사업자인 BBC가 세계 최초로 지상파 DTV방송을 서비스 개시한 이래 스웨덴, 스페인이 그 뒤를 이었고 프랑스, 핀란드, 노르웨이,아일랜드, 이태리, 포르투갈, 네덜란드, 독일, 그리스, 덴마크 등도 본방송을 준비하고 있다. 이외 호주는 2001년 1월부터 HDTV 방송을 실시하고 있으며, 싱가포르는 2001년 2월부터 “TVmoble” 이라는 이름으로 대중버스와 유람선을 중심으로 이동수신 서비스를 제공하고 있다.

표1. DVB에서 제안한 유럽 디지털 방송 규격 (전송관련)

DVB규격은 방송사, 가전업체, 연구단체 등이 망라하여 서로 이해가 다른 구성원 들로부터 매체별 필요사항(Requirement)을 도출한 후 규격을 작성하였으므로, 가전업체 중심으로 규격을 정한 미국의 경우처럼 방식 자체에 대한 이견이 적다고 보여진다. 또 모든 전송매체를 한 단체에서 제정하였으므로 통합수신기의 구현이 용이하다는 장점도 있다.

2. 유럽의 디지털TV 규격(DVB-T) 소개

DVB-T규격은 ETSI EN 300-744로 규격화되어 있다. 미국이나 일본 방식과 마찬가지로 영상신호 압축규격은 MPEG-2를 따르고 있다. 음향신호 압축규격은 MPEG-2오디오 규격 외에 미국과 같은 Dolby AC-3오디오 규격도 함께 따른다. 데이터 방송 규격은 위성 및 케이블과 마찬가지로 DVB-MHP규격을 따르고 있다. 송신측의 블록도는 그림 1에 나타나 있다.


그림 1 유럽의 지상파 DTV방식인 DVB-T의 송신측 구성

압축된 스트림은 동일비트가 반복되는 것을 방지하기 위해 스크램블 과정을 거쳐 에너지가 고르게 분산된다. 이 후 Outer coding단인 Reed Solomon coding을 거치면서 에러 정정용 부호가 첨가되어 188바이트 크기의 스트림이 204바이트로 커지게 된다. 또 전송과정에서 연속되는 데이터가 한꺼번에 대량으로 손실되는 것을 방지하기 위해 데이터를 일정한 순서에 의해 뒤섞게 되는데 이 과정은 Outer interleaver에서 행해진다.

또 분산된 비트에러에 대응하기 위해 Inner coding단에서 길쌈부호에 의해 에러정정용 부호를 다시 부과하게 되며, 더해지는 부호의 양은 방송사가 필요에 따라 선택할 수 있다. 이어 Inner interleaving단에서는 비트 단위로 또다시 일정 순서에 의해 뒤섞게 된다.

에러정정부호가 더해지고 정해진 순서에 의해 뒤섞인 데이터 열은 방송사가 선택한 변조방식(QPSK, 16QAM, 64QAM)에 의해 각 부반송파에 변조가 걸리게 되고, 변조된 각 부반송파는 반송파간의 간섭이 없도록 배치되고(즉 OFDM변조되어) 주파수변환이 행해진 후 전력증폭부를 통해 증폭된 후 안테나에서 공중으로 방사된다. 보통 OFDM변조단계는 신호처리기법인 IFFT(Inverse Fast Fourier Transform)에 의해 이루어진다.

부반송파의 수는 방송사의 서비스 모델에 따라서 달라지는 데, 초기에는 이동수신을 목표로 할 경우는 2K모드가, 단일주파수방송망을 위해서는 8K모드가 적합한 것으로 알려졌으나, 최근에는 유럽을 중심으로 다이버시티 안테나(2개 이상의 안테나)를 이용해 수신할 경우 8K 모드도 이동수신에 적합함이 실험으로 확인되었다. 따라서 8K 모드로 단일주파수방송망을 구성한 이동수신 서비스 제공이 가능하게 되었다. 부반송파의 정해진 위치마다에는 수신기 동작 기준을 위한 기준신호가 제공되는데 그 모양은 그림 2에 나타나 있다.


그림 2 데이터 프레임의 구조

위 과정에서 멀티패스에 강하게 하기 위해 OFDM심벌 사이에는 보호구간(Guard Interval)이 삽입된다. 이 보호구간이 삽입되는 만큼 데이터 전송율은 감소하게 되지만 도시환경이나 산악지형에서 발생하게 되는 멀티패스에는 강해지게 된다. 이러한 특성을 이용하면 단일주파수방송망의 구성도 가능하다. 수신기의 입장에서는 전파도래과정에서 자연적으로 발생하는 멀티패스나 부송신소에서 도래하는 신호를 동일시 할 수 있으므로, 부송신소의 신호가 보호구간 안에만 도착한다면 주송신소와 부송신소의 주파수를 동일하게 사용할 수 있게 된다.
위에서 살펴본 바와 같이 DVB-T방식은 송신측에서 변조방법(QPSK,16QAM, 64QAM), 모드(2K,8K), 에러정정용 부호 부가율(1/2,2/3,3/4,5/6,7/8), 보호구간(1/4,1/8,1/16,1/32)의 설정을 필요에 의해 변화할 수 있다. 경우의 수는 모두120가지이며 해당되는 데이터 전송율은 3.7Mbps에서 23.7Mbps까지 이다. (표 1 참조). 즉 데이터 전송율이 낮을수록 극한 상황 즉 낮은 C/N(신호대 잡음비)에서도 수신이 가능해지고 데이터 전송율이 높아지면 수신에 필요한 C/N이 상대적으로 높아지게 된다. 이러한 하드웨어적인 다양성은 방송주체인 방송사가 사업모델에 따라 선택할 수 있는 폭이 넓어짐을 의미한다. 예를 들어 초기에는 적은 투자비용을 들여 고정수신 위주로 서비스를 하다가, 미디어 분화나 시장환경 변화에 따라 이동수신에 대한 요구가 높아지면 추가적인 투자를 통해 이동수신 서비스를 완벽하게 제공할 수 있는 체제로 자유롭게 전환할 수도 있다.

이외에도 적은 투자비용으로 고정수신을 대상으로 하는 시청자에게는 HD급의 높은 데이율을, 이동수신을 원하는 시청자에게는 SD급의 낮은 데이터율을 동시에 제공할 수 있는 계층변조(Hierachical Modulation)도 가능하다.

표 1 6MHz환경에서의 데이트 전송율

6 MHz DVB-T COFDM Payload Data Rates

Usable Symbol Rate

5.06250

Msym/s

OFDM Bandwidth

5.70871

MHz

Modulation Type

Code Rate

Guard Interval

1/4

1/8

1/16

1/32

QPSK

2Bits/sym

1/2

3.732

4.147

4.391

4.524

2/3

4.976

5.529

5.855

6.032

3/4

5.599

6.221

6.587

6.786

5/6

6.221

6.912

7.318

7.54

7/8

6.532

7.257

7.684

7.917

16-QAM

4Bits/sym

1/2

7.465

8.294

8.782

9.048

2/3

9.953

11.059

11.709

12.064

3/4

11.197

12.441

13.173

13.572

5/6

12.441

13.824

14.637

15.08

7/8

13.063

14.515

15.369

15.834

64-QAM

6Bits/sym

1/2

11.197

12.441

13.173

13.572

2/3

14.929

16.588

17.564

18.096

3/4

16.796

18.662

19.76

20.358

5/6

18.662

20.735

21.955

22.62

7/8

19.595

21.772

23.053

23.751

Payload Data Rates Mbit/s

Sys Mode

Symbol Time (us)

Guard Interval Length (us)

1/4

1/8

1/16

1/32

2K

298.67

74.67

37.33

18.67

9.33

8K

1194.67

298.67

149.33

74.67

37.33

 

 

1. 일본의 디지털방송 개요

일본은 70년대부터 HDTV개발을 가장 활발하게 추진해 왔으며, 80년대 들어서는 방송위성을 이용한 아날로그 HDTV인 “Hi-Vision” 시험서비스를 실시하였다. 이에 자극받은 미국은 완전 디지털 방식으로 HDTV 개발을 시작했고, 유럽방송연맹(EBU)은 통일된 디지털 TV방송 규격을 제정하기 위해 산발적으로 진행되어오던 여러 개발 프로젝트를 통합하여 1993년에 DVB 프로젝트를 탄생시켰다. 이에 일본도 뒤늦게 통합형 멀티미디어 서비스를 위한 디지털방송 방식인 ISDB(Integrated Services Digital Broadcasting)를 개발하였다.

디지털 지상파 방송 규격인 ISDB -T는 HDTV와 Mobile-multimedia 서비스 제공이라는 두 가지 목표를 가지고 개발되었다. ISDB-T는 유럽 DVB-T의 COFDM처럼 OFDM에 기초한 BST(band segmented transmission)-OFDM이라는 전송방식을 이용한다. 1997년 9월 ARIB(Association of Radio Industries and Businesses)는 ISDB-T 규격을 만들었으며, 1998년 8월에 싱가포르에서 실시된 현장시험에서 모든 항목에서 우수한 성능을 보였다. 1998년 10월에는 통합 디지털 서비스에 대한 검증을 위해 도쿄 타워에서 대규모 현장시험이 시작되었다. 일본은 도쿄를 비롯한 10개 지역에서 현재 디지털 실험방송을 실시하고 있으며, 2003년부터 본 방송을 도쿄에서부터 실시할 예정이다. 이외에도 지상파DSB(Digital Sound Broadcasting)를 위한 Narrow Band ISDB-T가 1999년에 제정되었다.

2. 일본의 디지털TV 규격(ISDB-T) 소개

ISDB(Integrated Services Digital Broadcasting)는 멀티미디 서비스를 위한 새로운 형태의 방송으로 HDTV, SDTV, sound, graphics, text등을 포함한 여러 종류의 디지털 컨텐츠를 체계적으로 통합한다.

ISDB는 여러 종류의 서비스를 포함하고 있기 때문에 다음과 같은 특징을 가져야 한다.
- MPEG-2 인터페이스 : 시스템의 입출력 신호는 MPEG-2 Transport Stream(TS) 규격을 따라야 한다.
- MPEG TS 상에서의 신호 통합 가능 : 디지털 컨텐츠는 입력신호의 복호화 및 재복호화 없이 MPEG TS레벨에서 다중화가 가능해야 한다.
- 변조기법의 유연성 : ISDB 스트림에 통합된 디지털 컨텐츠들은 각각 적절한 변조기법과 데이율을 가지고 동시에 전송되어야 한다.
- 수신기에 다중화와 변조기법에 관한 정보를 수신기에 알려주는 제어신호를 사용해야 한다.
- 부분수신 : 통합된 서비스의 일부는 저가이고 가벼운 협대역 수신기로 수신이 가능해야 한다.
다음에는 ISDB-T규격의 특징이 간략하게 설명하였다. 세그먼트의 수를 적절히 선택함으로써 사용목적과 주파수 여건에 맞는 여러 가지 시스템의 조합이 가능하다.
ISDB-T 규격은 MPEG-2 TS입력신호를 가지고 만들어진 IF 신호를 전달하는 전송시스템의 규격을 명시한다. 여기에는 재다중화, 채널 부호화, 변조, 전송 제어, 수신기의 해당하는 기능 등이 포함된다.

2-1. ISDB-T의 기본구조

ISDB-T는 다중화 과정에서 “MPEG-2 부호화 및 시스템”을 사용하기 때문에 디지털 위성방송과 통신사이에 운용과 수신에 있어서 공통된 요소를 제공한다. 또한 전송채널 상에서 계층변조를 실시하므로 수신여건에 따라 다중화된 프로그램을 유연하게 편집하여 수신할 수 있다. 각각의 계층 레이어에 대해 상호 독립적으로 전송 파라메터를 선택할 수 있다.
TS는 OFDM 프레이밍 이전에 재다중화 되어 데이터 세그먼트로 정렬된다. 채널 부호화 이후, 데이터 세그먼트에 파일럿 신호가 삽입되어 Bo/14MHz(Bo=6,7, or 8MHz)의 대역폭을 가진 OFDM 세그먼트가 만들어진다.

가. 계층전송
ISDB-T에서는 각각의 데이터 세그먼트에 대해, OFDM 반송파의 변조방법에 대한 전송 파라메터와 시간 인터리빙의 길이를 독립적으로 적용할 수 있다. ISDB-T의 계층전송은 한 채널상에서 다른 전송 파라메터를 가진 OFDM 세그먼트 그룹을 전송함으로써 가능하다. 한 채널에서 최대 3개 층(서로 다른 세그먼트 그룹)을 동시에 전송할 수 있다. 부분수신은 한 개의 계층 레이어로 간주된다는 것을 주지해야 한다.

나. 부분수신
전송되는 신호상에서, 주파수 인터리빙의 범위를 한 세그먼트 내로 제한하면 해당 세그먼트를 다른 세그먼트로부터 독립적으로 분리할 수 있다. 이러한 방법을 이용하면 한 개의 OFDM 세그먼트 대역폭을 가진 협대역 수신기로 전송채널 내에 포함된 서비스의 부분수신이 가능하다. 한 개의 세그먼트만이 부분수신에 할당되고, 이것은 반드시 OFDM 세그먼트들의 중간에 위치해야 한다. Fig.1은 계층전송과 부분수신의 예를 도시한 것이다.

다. 계층전송의 다중화
ISDB-T 시스템에서의 다중화는 MPEG-2 시스템의 규격을 따른다. ISDB-T에서의 계층적 다중화를 위해서는 기본적으로 단일 TS는 계층전송의 사용유무에 관계없이 Ns´Bo/14MHz (Ns:사용된 세그먼트의 수)의 대역폭의 전송채널에서 전송되어야 한다. 따라서 TS의 분리와 결합이 필요하며, 이러한 처리는 송신측과 수신측 모두에서 이루어진다. 부분수신을 위한 신호는 한 채널 전체 신호의 일부분이기 때문에, TS의 일부분만이 부분수신에 사용된다.

2-2. 전송 파라메터( ISDB-T for 6MHz)

3. 채널 부호화 및 변조


Byte-wise interleaving에서 interleaving 과정 중 발생하는 지연은 각 계층이 지닌 특성(채널 코딩과 변조)에 따라 해당 계층의 스트림마다 달라진다. 수신기에서 de-interleaving시 발생하는 지연의 차이를 보상하기 위해 송신측에서는 byte-wise interleaving 이전에 지연의 조정이 이루어진다.
주파수 interleavinng은 inter-segment frequency-interleaving과 intra-segment frequency-interleaving으로 이루어진다. Inter-segment interleaving은 차등 변조(DQPSK) 세그먼트들 사이에서와 연관된 변조(QPSK, 16QAM, and 64QAM) 세그먼트들 사이에서 이루어진다. Intra-segment frequency interleaver는 random interleaver이다.

데이터방송 소개

데이터방송은 디지털 TV 방송에서 기본 TV 프로그램과 별도로 문자, 그림, 음향 등으로 구성된 다양한 데이터를 전송신호에 다중화하여 함께 방송함으로써, 시청자가 부가적인 컨텐츠를 향유할 수 있게 하며, 이에 대한 시청자의 응답을 온 라인으로 접수 받아 추가 정보를 제공하거나 프로그램에 반영하는 방식 등으로 상호작용 함으로써 쌍방향(Interactive) TV를 구현하는 서비스이다.
디지털 TV의 기능은 ‘고품질(고선명영상과 CD수준의 입체음향)’, ‘다채널(신호압축기술을 이용하여 하나의 TV채널에 여러 프로그램 채널을 제공)’, 그리고 ‘데이터방송’의 3가지로 분류할 수 있다. 이중 데이터방송은 이른바 방송과 통신의 융합체로서 지금까지 일방적으로 보기만하던 TV를 시청자와 방송사가 쌍방향으로 통신할수 있는 정보단말로까지 기능을 확장하는 새로운 개변의 방송 서비스이다.

데이터방송은 어떤 형태로 정보를 제공하는가 ?

인터넷 웹 페이지와 비슷한 모양으로 구성한 데이터방송 화면을 기본 TV화면 위에 다양한 모양으로 겹쳐 표시하며, 검색(브라우징)하는 방법도 웹 페이지를 보는 방법과 같다. 이를 위해 리모컨에 PC의 마우스 선택 기능에 해당하는 버튼들이 추가된다.
실제 데이터방송 컨텐츠 제작에도 웹 페이지 제작에 사용하는 HTML 및 Java를 TV환경에 맞게 가공하여 사용한다.

데이터방송은 어떤 서비스를 제공하는가 ?

기본 A/V 프로그램 내용과의 관련 여부에 따라 ‘프로그램 연동형’과 ‘독립형’ 서비스로 구분한다. 프로그램 연동형은 기본 TV 프로그램에 관련된 내용으로, 독립형은 독립적인 내용으로 구성한 컨텐츠이다.

대표적인 서비스 내용은 다음과 같다.

. 프로그램 연동형
- 프로그램 관련 추가정보 제공
(예: 줄거리, 대본, 가사, 내용 설명, 경기 득점 상황, 출연자 소개, 선수 소개, 소품
소개 등)
- 시청자 참여 기능 제공
(예: 인기투표, 여론조사, 퀴즈/게임 참여 등)

. 프로그램 독립형
- 사실상 별도로 편성된 하나의 정보방송 프로그램
(예: 날씨, 교통, 주식, 뉴스, 스포츠, 공익, 문화, 관광정보, 교육, 오락 프로그램
및 교통편예매, 숙소예약, 입장권예매, 상품구매, TV과외, TV게임과 같은 TV 전자상거래(T-Commerce) 등)

기술표준은 무엇인가 ?

지상파 디지털 TV의 데이터방송 기술표준은 미국방식인 ATSC-DASE 이며, 2002년 9월현재 규격이 아직 미완성 상태이다.
디지털 위성방송의 데이터방송 기술표준은 유럽방식인 DVB-MHP 이며, 2001년 완성되어 채택 국가들은 이미 상용 서비스 준비 중이다.
디지털 케이블 TV의 기술표준은 미국방식인 OpenCable-OCAP 이며, 2001년 제정되어 방송시스템 및 수신기를 개발 중이다.

데이터방송 서비스 현황은 ?

외국의 위성방송에서 이미 실시 중이다. 예를 들어 일본의 BS Digital, 프랑스의Canal+, 영국의 BskyB 등이 있다. 국내 위성방송 SkyLife에서도 2003년 초부터 서비스할 예정이다.
지상파 디지털 TV에서는 아직 기술표준 제정 및 기술개발 단계이며, 서비스 개시는 2004년 이후에나 가능할 것으로 전망된다. 기술개발을 목적으로 MBC, KBS, SBS가 공동으로 2002 월드컵 기간 중 실험 서비스 실시한 바 있다.

데이터방송 화면 예

<2002 월드컵 경기 연동형 서비스>

<날씨 정보 서비스 >

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vendor FOXCONN 0x105b Foxconn International
vendor WIPRO 0x105c Wipro Infotech
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vendor VTECH 0x105e Vtech Computers
vendor INFOTRONIC 0x105f Infotronic America
vendor UMC 0x1060 United Microelectronics
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vendor ACTEL 0x11aa Actel
vendor GALILEO 0x11ab Galileo Technology
vendor CANNON 0x11ac Cannon IS
vendor LITEON 0x11ad Lite-On Communications
vendor SCITEX 0x11ae Scitex Corporation
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vendor USR2 0x16ec US Robotics
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vendor NDC 0x15e8 National Datacomm Corp.
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vendor SANDBURST 0x17ba Sandburst, Inc.
vendor HINT 0x3388 HiNT
vendor 3DLABS 0x3d3d 3D Labs
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vendor QUANCM 0x8008 Quancm Electronic GmbH
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vendor CHRYSALIS 0xcafe Chrysalis-ITS
vendor MIDDLE_DIGITAL 0xdeaf Middle Digital, Inc.
vendor ARC 0xedd8 ARC Logic
vendor MLR 0xefff ML-RSIM
vendor INVALID 0xffff INVALID VENDOR ID

/*
* List of known products. Grouped by vendor.
*/

/* 3COM Products */
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product 3COM 3C905CXTX 0x9201 3c905CX-TX 10/100 Ethernet with mngmt
product 3COM 3C980SRV 0x9800 3c980 Server Adapter 10/100 Ethernet
product 3COM 3C980CTXM 0x9805 3c980C-TXM 10/100 Ethernet
product 3COM 3CR990TX95 0x9902 3CR990-TX-95 10/100 Ethernet with 3XP
product 3COM 3CR990TX97 0x9903 3CR990-TX-97 10/100 Ethernet with 3XP
product 3COM 3CR990SVR95 0x9908 3CR990-SVR-95 10/100 Ethernet with 3XP
product 3COM 3CR990SVR97 0x9909 3CR990-SVR-97 10/100 Ethernet with 3XP

/* 3Dfx Interactive products */
product 3DFX VOODOO 0x0001 Voodoo
product 3DFX VOODOO2 0x0002 Voodoo2
product 3DFX BANSHEE 0x0003 Banshee
product 3DFX VOODOO3 0x0005 Voodoo3
product 3DFX VOODOO5 0x0009 Voodoo 4/5

/* 3D Labs products */
product 3DLABS 300SX 0x0001 GLINT 300SX
product 3DLABS 500TX 0x0002 GLINT 500TX
product 3DLABS DELTA 0x0003 GLINT DELTA
product 3DLABS PERMEDIA 0x0004 GLINT Permedia
product 3DLABS 500MX 0x0006 GLINT 500MX
product 3DLABS PERMEDIA2 0x0007 GLINT Permedia 2
product 3DLABS GAMMA 0x0008 GLINT GAMMA
product 3DLABS PERMEDIA2V 0x0009 GLINT Permedia 2V
product 3DLABS PERMEDIA3 0x000a GLINT Permedia 3

/* 3ware products */
product 3WARE ESCALADE 0x1000 Escalade IDE RAID
product 3WARE ESCALADE_ASIC 0x1001 Escalade IDE RAID (ASIC)

/* ACC Products */
product ACC 2188 0x0000 ACCM 2188 VL-PCI Bridge
product ACC 2051_HB 0x2051 2051 PCI Single Chip Solution (host bridge)
product ACC 2051_ISA 0x5842 2051 PCI Single Chip Solution (ISA bridge)

/* Acard products */
product ACARD ATP850U 0x0005 ATP850U/UF UDMA IDE Controller
product ACARD ATP860 0x0006 ATP860 UDMA IDE Controller
product ACARD ATP860A 0x0007 ATP860-A UDMA IDE Controller
product ACARD ATP865 0x0008 ATP865 UDMA IDE Controller
product ACARD ATP865A 0x0009 ATP865-A UDMA IDE Controller
product ACARD AEC6710 0x8002 AEC6710 SCSI
product ACARD AEC6712UW 0x8010 AEC6712UW SCSI
product ACARD AEC6712U 0x8020 AEC6712U SCSI
product ACARD AEC6712S 0x8030 AEC6712S SCSI
product ACARD AEC6710D 0x8040 AEC6710D SCSI
product ACARD AEC6715UW 0x8050 AEC6715UW SCSI

/* Accton products */
product ACCTON MPX5030 0x1211 MPX 5030/5038 Ethernet
product ACCTON EN2242 0x1216 EN2242 10/100 Ethernet

/* Acer products */
product ACER M1435 0x1435 M1435 VL-PCI Bridge

/* Acer Labs products */
product ALI M1445 0x1445 M1445 VL-PCI Bridge
product ALI M1449 0x1449 M1449 PCI-ISA Bridge
product ALI M1451 0x1451 M1451 Host-PCI Bridge
product ALI M1461 0x1461 M1461 Host-PCI Bridge
product ALI M1531 0x1531 M1531 Host-PCI Bridge
product ALI M1541 0x1541 M1541 Host-PCI Bridge
product ALI M1543 0x1533 M1543 PCI-ISA Bridge
product ALI M3309 0x3309 M3309 MPEG Decoder
product ALI M4803 0x5215 M4803
product ALI M5229 0x5229 M5229 UDMA IDE Controller
product ALI M5237 0x5237 M5237 USB Host Controller
product ALI M5243 0x5243 M5243 PCI-AGP Bridge
product ALI M5451 0x5451 M5451 AC-Link Controller Audio Device
product ALI M5453 0x5453 M5453 AC-Link Controller Modem Device
product ALI M7101 0x7101 M7101 Power Management Controller

/* Adaptec products */
product ADP AIC7850 0x5078 AIC-7850
product ADP AIC7855 0x5578 AIC-7855
product ADP AIC5900 0x5900 AIC-5900 ATM
product ADP AIC5905 0x5905 AIC-5905 ATM
product ADP AIC6915 0x6915 AIC-6915 10/100 Ethernet
product ADP AIC7860 0x6078 AIC-7860
product ADP APA1480 0x6075 APA-1480 Ultra
product ADP 2940AU 0x6178 AHA-2940A Ultra
product ADP AIC7870 0x7078 AIC-7870
product ADP 2940 0x7178 AHA-2940
product ADP 3940 0x7278 AHA-3940
product ADP 3985 0x7378 AHA-3985
product ADP 2944 0x7478 AHA-2944
product ADP AIC7895 0x7895 AIC-7895 Ultra
product ADP AIC7880 0x8078 AIC-7880 Ultra
product ADP 2940U 0x8178 AHA-2940 Ultra
product ADP 3940U 0x8278 AHA-3940 Ultra
product ADP 389XU 0x8378 AHA-389X Ultra
product ADP 2944U 0x8478 AHA-2944 Ultra
product ADP 2940UP 0x8778 AHA-2940 Ultra Pro
product ADP 2945U2W 0x8978 AHA-2945 Ultra-2 wide, ML-RSIM model

product ADP2 2940U2 0x0010 AHA-2940U2 U2
product ADP2 2930U2 0x0011 AHA-2930U2 U2
product ADP2 AIC7890 0x001f AIC-7890/1 U2
product ADP2 3950U2B 0x0050 AHA-3950U2B U2
product ADP2 3950U2D 0x0051 AHA-3950U2D U2
product ADP2 AIC7896 0x005f AIC-7896/7 U2
product ADP2 AIC7892A 0x0080 AIC-7892A U160
product ADP2 AIC7892B 0x0081 AIC-7892B U160
product ADP2 AIC7892D 0x0083 AIC-7892D U160
product ADP2 AIC7892P 0x008f AIC-7892P U160
product ADP2 AIC7899A 0x00c0 AIC-7899A U160
product ADP2 AIC7899B 0x00c1 AIC-7899B U160
product ADP2 AIC7899D 0x00c3 AIC-7899D U160
product ADP2 AIC7899F 0x00c5 AIC-7899F RAID
product ADP2 AIC7899P 0x00cf AIC-7899P U160
product ADP2 AAC2622 0x0282 AAC-2622
product ADP2 ASR2200S 0x0285 ASR-2200S
product ADP2 ASR2120S 0x0286 ASR-2120S
product ADP2 AAC364 0x0364 AAC-364
product ADP2 ASR5400S 0x0365 ASR-5400S
product ADP2 PERC_2QC 0x1364 Dell PERC 2/QC
/* XXX guess */
product ADP2 PERC_3QC 0x1365 Dell PERC 3/QC

/* Addtron Products */
product ADDTRON 8139 0x1360 8139 Ethernet

/* ADMtek products */
product ADMTEK AL981 0x0981 ADMtek AL981 10/100 Ethernet
product ADMTEK AN985 0x0985 ADMtek AN985 10/100 Ethernet

/* Advanced System Products */
product ADVSYS 1200A 0x1100
product ADVSYS 1200B 0x1200
product ADVSYS ULTRA 0x1300 ABP-930/40UA
product ADVSYS WIDE 0x2300 ABP-940UW
product ADVSYS U2W 0x2500 ASB-3940U2W
product ADVSYS U3W 0x2700 ASB-3940U3W

/* Aironet Wireless Communicasions products */
product AIRONET PC4xxx 0x0001 Aironet PC4500/PC4800 Wireless LAN Adapter
product AIRONET 350 0x0350 Aironet 350 Wireless LAN Adapter
product AIRONET PC4500 0x4500 Aironet PC4500 Wireless LAN Adapter
product AIRONET PC4800 0x4800 Aironet PC4800 Wireless LAN Adapter

/* Alliance products */
product ALLIANCE AT24 0x6424 AT24
product ALLIANCE AT25 0x643d AT25

/* Alteon products */
product ALTEON ACENIC 0x0001 ACEnic 1000baseSX Gigabit Ethernet
product ALTEON ACENIC_COPPER 0x0002 ACEnic 1000baseT Gigabit Ethernet
product ALTEON BCM5700 0x0003 ACEnic BCM5700 10/100/1000 Ethernet
product ALTEON BCM5701 0x0004 ACEnic BCM5701 10/100/1000 Ethernet

/* Altima products */
product ALTIMA AC1000 0x03e8 AC1000 Gigabit Ethernet
product ALTIMA AC1001 0x03e9 AC1001 Gigabit Ethernet
product ALTIMA AC9100 0x03ea AC9100 Gigabit Ethernet

/* AMD products */
product AMD AMD64_HT 0x1100 AMD64 HyperTransport configuration
product AMD AMD64_ADDR 0x1101 AMD64 Address Map configuration
product AMD AMD64_DRAM 0x1102 AMD64 DRAM configuration
product AMD AMD64_MISC 0x1103 AMD64 Miscellaneous configuration
product AMD PCNET_PCI 0x2000 PCnet-PCI Ethernet
product AMD PCNET_HOME 0x2001 PCnet-Home HomePNA Ethernet
product AMD PCSCSI_PCI 0x2020 PCscsi-PCI SCSI
product AMD SC520_SC 0x3000 Elan SC520 System Controller
product AMD SC751_SC 0x7006 AMD751 System Controller
product AMD SC751_PPB 0x7007 AMD751 PCI-to-PCI Bridge
product AMD PBC756_ISA 0x7408 AMD756 PCI-to-ISA Bridge
product AMD PBC756_IDE 0x7409 AMD756 IDE controller
product AMD PBC756_PMC 0x740b AMD756 Power Management Controller
product AMD PBC756_USB 0x740c AMD756 USB Host Controller
product AMD SC762_NB 0x700c AMD762 NorthBridge
product AMD SC762_PPB 0x700d AMD762 AGP Bridge
product AMD SC761_SC 0x700e AMD761 System Controller
product AMD SC761_PPB 0x700f AMD761 PCI-to-PCI Bridge
product AMD PBC766_ISA 0x7410 AMD766 SouthBridge
product AMD PBC766_IDE 0x7411 AMD766 IDE controller
product AMD PBC766_PMC 0x7413 AMD766 Power Management Controller
product AMD PBC766_USB 0x7414 AMD766 USB Host Controller
product AMD PBC768_ISA 0x7440 AMD768 PCI to ISA/LPC Bridge
product AMD PBC768_IDE 0x7441 AMD768 EIDE Controller
product AMD PBC768_PMC 0x7443 AMD768 Power Management Controller
product AMD PBC768_AC 0x7445 AMD768 AC97 Audio
product AMD PBC768_MD 0x7446 AMD768 AC97 Modem
product AMD PBC768_PPB 0x7448 AMD768 PCI to PCI Bridge
product AMD PBC768_USB 0x7449 AMD768 USB Controller
product AMD PCIX8131_PPB 0x7450 PCI-X Tunnel
product AMD PCIX8131_APIC 0x7451 IO Apic
product AMD PBC8111 0x7460 AMD8111 I/O Hub
product AMD PBC8111_LPC 0x7468 AMD8111 LPC Controller
product AMD PBC8111_IDE 0x7469 AMD8111 IDE Controller
product AMD PBC8111_AC 0x746d AMD8111 AC97 Audio

/* American Megatrends products */
product AMI MEGARAID 0x9010 MegaRAID
product AMI MEGARAID2 0x9060 MegaRAID 2
product AMI MEGARAID3 0x1960 MegaRAID 3

/* Antares Microsystems, Inc. products */
product ANTARES TC9021 0x1021 Antares Gigabit Ethernet

/* Apple products */
product APPLE BANDIT 0x0001 Bandit Host-PCI Bridge
product APPLE GC 0x0002 Grand Central I/O Controller
product APPLE CONTROL 0x0003 Control
product APPLE PLANB 0x0004 PlanB
product APPLE OHARE 0x0007 OHare I/O Controller
product APPLE BANDIT2 0x0008 Bandit Host-PCI Bridge
product APPLE HEATHROW 0x0010 MAC-IO I/O Controller (Heathrow)
product APPLE PADDINGTON 0x0017 MAC-IO I/O Controller (Paddington)
product APPLE KEYLARGO_USB 0x0019 KeyLargo USB Controller
product APPLE UNINORTH1 0x001e UniNorth Host-PCI Bridge
product APPLE UNINORTH2 0x001f UniNorth Host-PCI Bridge
product APPLE UNINORTH_AGP 0x0020 UniNorth AGP Interface
product APPLE GMAC 0x0021 GMAC Ethernet
product APPLE KEYLARGO 0x0022 MAC-IO I/O Controller (KeyLargo)
product APPLE GMAC2 0x0024 GMAC Ethernet
product APPLE PANGEA_MACIO 0x0025 MAC-IO I/O Controller (Pangea)
product APPLE PANGEA_USB 0x0026 Pangea USB Controller
product APPLE PANGEA_AGP 0x0027 Pangea AGP Interface
product APPLE PANGEA_PCI1 0x0028 Pangea Host-PCI Bridge
product APPLE PANGEA_PCI2 0x0029 Pangea Host-PCI Bridge
product APPLE UNINORTH_AGP2 0x002d UniNorth AGP Interface
product APPLE UNINORTH3 0x002e UniNorth Host-PCI Bridge
product APPLE UNINORTH4 0x002f UniNorth Host-PCI Bridge
product APPLE PANGEA_FW 0x0030 Pangea Firewire
product APPLE UNINORTH_FW 0x0031 UniNorth Firewire
product APPLE GMAC3 0x0032 GMAC Ethernet
product APPLE UNINORTH_AGP3 0x0034 UniNorth AGP Bridge
product APPLE UNINORTH5 0x0035 UniNorth Host-PCI Bridge
product APPLE UNINORTH6 0x0036 UniNorth Host-PCI Bridge
product APPLE KAUAI 0x003b Kauai ATA Controller
product APPLE INTREPID 0x003e MAC-IO I/O Controller (Intrepid)

/* ARC Logic products */
product ARC 1000PV 0xa091 1000PV
product ARC 2000PV 0xa099 2000PV
product ARC 2000MT 0xa0a1 2000MT

/* ASIX Electronics products */
product ASIX AX88140A 0x1400 AX88140A 10/100 Ethernet

/* Asustek products */
product ASUSTEK HFCPCI 0x0675 Asustek ISDN

/* ATI products */
product ATI MACH32 0x4158 Mach32
product ATI MACH64_CT 0x4354 Mach64 CT
product ATI MACH64_CX 0x4358 Mach64 CX
product ATI RAGE_PRO_AGP 0x4742 3D Rage Pro (AGP)
product ATI RAGE_PRO_AGP1X 0x4744 3D Rage Pro (AGP 1x)
product ATI RAGE_PRO_PCI_B 0x4749 3D Rage Pro
product ATI RAGE_XL_AGP 0x474d Rage XL (AGP)
product ATI RAGE_PRO_PCI_P 0x4750 3D Rage Pro
product ATI RAGE_PRO_PCI_L 0x4751 3D Rage Pro (limited 3D)
product ATI RAGE_XL_PCI 0x4752 Rage XL
product ATI RAGE_II 0x4754 3D Rage I/II
product ATI RAGE_IIP 0x4755 3D Rage II+
product ATI RAGE_IIC_PCI 0x4756 3D Rage IIC
product ATI RAGE_IIC_AGP_B 0x4757 3D Rage IIC (AGP)
product ATI MACH64_GX 0x4758 Mach64 GX
product ATI RAGE_IIC_AGP_P 0x475a 3D Rage IIC (AGP)
product ATI RAGE_LT_PRO_AGP 0x4c42 3D Rage LT Pro (AGP)
product ATI RAGE_MOB_M3_PCI 0x4c45 Rage Mobility M3
product ATI RAGE_MOB_M3_AGP 0x4c46 Rage Mobility M3 (AGP)
product ATI RAGE_LT 0x4c47 3D Rage LT
product ATI RAGE_LT_PRO_PCI 0x4c49 3D Rage LT Pro
product ATI RAGE_MOBILITY 0x4c4d Rage Mobility
product ATI RAGE_LT_PRO 0x4c50 3D Rage LT Pro
product ATI RAGE_MOB_M1_PCI 0x4c52 Rage Mobility M1
product ATI RAGEON_M7_AGP 0x4c57 Radeon Mobility M7 LW (AGP)
product ATI RADEON_M9 0x4c66 Radeon Mobility M9
product ATI RAGE1PCI 0x5041 Rage 128 Pro PCI
product ATI RAGE1AGP2X 0x5042 Rage 128 Pro AGP 2x
product ATI RAGE1AGP4X 0x5043 Rage 128 Pro AGP 4x
product ATI RAGE1PCIT 0x5044 Rage 128 Pro PCI (TMDS)
product ATI RAGE1AGP2XT 0x5045 Rage 128 Pro AGP 2x (TMDS)
product ATI RAGE1AGP4XT 0x5046 Rage Fury MAXX AGP 4x (TMDS)
product ATI RAGE2PCI 0x5047 Rage 128 Pro PCI
product ATI RAGE2AGP2X 0x5048 Rage 128 Pro AGP 2x
product ATI RAGE2AGP4X 0x5049 Rage 128 Pro AGP 4x
product ATI RAGE2PCIT 0x504a Rage 128 Pro PCI (TMDS)
product ATI RAGE2AGP2XT 0x504b Rage 128 Pro AGP 2x (TMDS)
product ATI RAGE2AGP4XT 0x504c Rage 128 Pro AGP 4x (TMDS)
product ATI RAGE3PCI 0x504d Rage 128 Pro PCI
product ATI RAGE3AGP2X 0x504e Rage 128 Pro AGP 2x
product ATI RAGE3AGP4X 0x504f Rage 128 Pro AGP 4x
product ATI RAGE3PCIT 0x5050 Rage 128 Pro PCI (TMDS)
product ATI RAGE3AGP2XT 0x5051 Rage 128 Pro AGP 2x (TMDS)
product ATI RAGE3AGP4XT 0x5052 Rage 128 Pro AGP 4x (TMDS)
product ATI RAGE4PCI 0x5053 Rage 128 Pro PCI
product ATI RAGE4AGP2X 0x5054 Rage 128 Pro AGP 2x
product ATI RAGE4AGP4X 0x5055 Rage 128 Pro AGP 4x
product ATI RAGE4PCIT 0x5056 Rage 128 Pro PCI (TMDS)
product ATI RAGE4AGP2XT 0x5057 Rage 128 Pro AGP 2x (TMDS)
product ATI RAGE4AGP4XT 0x5058 Rage 128 Pro AGP 4x (TMDS)
product ATI RADEON_7200 0x5144 Radeon 7200
product ATI RADEON_8500 0x514c Radeon 8500
product ATI RADEON_7500 0x5157 Radeon 7500
product ATI RADEON_7000 0x5159 Radeon 7000/VE
product ATI RAGEGLPCI 0x5245 Rage 128 GL PCI
product ATI RAGEGLAGP 0x5246 Rage 128 GL AGP 2x
product ATI RAGEVRPCI 0x524b Rage 128 VR PCI
product ATI RAGEVRAGP 0x524c Rage 128 VR AGP 2x
product ATI RAGE4XPCI 0x5345 Rage 128 4x PCI
product ATI RAGE4XA2X 0x5346 Rage 128 4x AGP 2x
product ATI RAGE4XA4X 0x5347 Rage 128 4x AGP 4x
product ATI RAGE4X 0x5348 Rage 128 4x
product ATI RAGE24XPCI 0x534b Rage 128 4x PCI
product ATI RAGE24XA2X 0x534c Rage 128 4x AGP 2x
product ATI RAGE24XA4X 0x534d Rage 128 4x AGP 4x
product ATI RAGE24X 0x534e Rage 128 4x
product ATI MACH64_VT 0x5654 Mach64 VT
product ATI MACH64_VTB 0x5655 Mach64 VTB
product ATI MACH64_VT4 0x5656 Mach64 VT4

/* Auravision products */
product AURAVISION VXP524 0x01f7 VxP524 PCI Video Processor

/* Aureal Semiconductor */
product AUREAL AU8820 0x0001 AU8820 Vortex Digital Audio Processor

/* Applied Micro Circuts products */
product AMCIRCUITS S5933 0x4750 S5933 PCI Matchmaker
product AMCIRCUITS LANAI 0x8043 Myrinet LANai Interface
product AMCIRCUITS CAMAC 0x812d FZJ/ZEL CAMAC controller
product AMCIRCUITS VICBUS 0x812e FZJ/ZEL VICBUS interface
product AMCIRCUITS PCISYNC 0x812f FZJ/ZEL Synchronisation module
product AMCIRCUITS S5920 0x5920 S5920 PCI Target

/* Atheros Communications, Inc. products */
product ATHEROS AR5001 0x0012 AR5001 Wireless LAN Reference Card

/* Atronics products */
product ATRONICS IDE_2015PL 0x2015 IDE-2015PL

/* Avance Logic products */
product AVANCE AVL2301 0x2301 AVL2301
product AVANCE AVG2302 0x2302 AVG2302
product AVANCE2 ALG2301 0x2301 ALG2301
product AVANCE2 ALG2302 0x2302 ALG2302
product AVANCE2 ALS4000 0x4000 ALS4000 Audio

/* Avlab Technology products */
product AVLAB LPPCI4S 0x2150 Low Profile PCI 4 Serial

/* CCUBE products */
product CCUBE CINEMASTER 0x8888 Cinemaster C 3.0 DVD Decoder

/* AVM products */
product AVM FRITZ_CARD 0x0a00 Fritz! Card ISDN Interface
product AVM FRITZ_PCI_V2_ISDN 0x0e00 Fritz!PCI v2.0 ISDN Interface
product AVM B1 0x0700 Basic Rate B1 ISDN Interface
product AVM T1 0x1200 Primary Rate T1 ISDN Interface

/* Stallion products */
product STALLION EC8_32 0x0000 EC8/32
product STALLION EC8_64 0x0002 EC8/64
product STALLION EASYIO 0x0003 EasyIO

/* Bit3 products */
product BIT3 PCIVME617 0x0001 PCI-VME Interface Mod. 617
product BIT3 PCIVME618 0x0010 PCI-VME Interface Mod. 618
product BIT3 PCIVME2706 0x0300 PCI-VME Interface Mod. 2706

/* Broadcom Corporation products */
product BROADCOM BCM5700 0x1644 BCM5700 10/100/1000 Ethernet
product BROADCOM BCM5701 0x1645 BCM5701 10/100/1000 Ethernet
product BROADCOM BCM5702 0x1646 BCM5702 10/100/1000 Ethernet
product BROADCOM BCM5702X 0x16a6 BCM5702X 10/100/1000 Ethernet
product BROADCOM BCM5702FE 0x164d BCM5702FE 10/100 Ethernet
product BROADCOM BCM5703 0x1647 BCM5703 10/100/1000 Ethernet
product BROADCOM BCM5703X 0x16a7 BCM5703X 10/100/1000 Ethernet
product BROADCOM BCM5704C 0x1648 BCM5704C Gigabit Ethernet (1000BASE-T)
product BROADCOM BCM5704S 0x16a8 BCM5704S Gigabit Ethernet (1000BASE-X)
product BROADCOM BCM5705 0x1653 BCM5705 10/100/1000 Ethernet
product BROADCOM BCM4401 0x4401 BCM4401 10/100 Ethernet

/* Brooktree products */
product BROOKTREE BT848 0x0350 Bt848 Video Capture
product BROOKTREE BT849 0x0351 Bt849 Video Capture
product BROOKTREE BT878 0x036e Bt878 Video Capture
product BROOKTREE BT879 0x036f Bt879 Video Capture
product BROOKTREE BT8474 0x8474 Bt8474 Multichannel HDLC Controller

/* BusLogic products */
product BUSLOGIC MULTIMASTER_NC 0x0140 MultiMaster NC
product BUSLOGIC MULTIMASTER 0x1040 MultiMaster
product BUSLOGIC FLASHPOINT 0x8130 FlashPoint

/* c't Magazin products */
product C4T GPPCI 0x6773 GPPCI

/* Chips and Technologies products */
product CHIPS 64310 0x00b8 64310
product CHIPS 69000 0x00c0 69000
product CHIPS 65545 0x00d8 65545
product CHIPS 65548 0x00dc 65548
product CHIPS 65550 0x00e0 65550
product CHIPS 65554 0x00e4 65554
product CHIPS 69030 0x0c30 69030

/* Chrysalis products */
product CHRYSALIS LUNAVPN 0x0001 LunaVPN

/* Cirrus Logic products */
product CIRRUS CL_GD7548 0x0038 CL-GD7548
product CIRRUS CL_GD5430 0x00a0 CL-GD5430
product CIRRUS CL_GD5434_4 0x00a4 CL-GD5434-4
product CIRRUS CL_GD5434_8 0x00a8 CL-GD5434-8
product CIRRUS CL_GD5436 0x00ac CL-GD5436
product CIRRUS CL_GD5446 0x00b8 CL-GD5446
product CIRRUS CL_GD5480 0x00bc CL-GD5480
product CIRRUS CL_PD6729 0x1100 CL-PD6729
product CIRRUS CL_PD6832 0x1110 CL-PD6832 PCI-CardBus Bridge
product CIRRUS CL_PD6833 0x1113 CL-PD6833 PCI-CardBus Bridge
product CIRRUS CL_GD7542 0x1200 CL-GD7542
product CIRRUS CL_GD7543 0x1202 CL-GD7543
product CIRRUS CL_GD7541 0x1204 CL-GD7541
product CIRRUS CL_CD4400 0x4400 CL-CD4400 Communications Controller
product CIRRUS CS4610 0x6001 CS4610 SoundFusion Audio Accelerator
product CIRRUS CS4280 0x6003 CS4280 CrystalClear Audio Interface
product CIRRUS CS4281 0x6005 CS4281 CrystalClear Audio Interface

/* CMD Technology products -- info gleaned from their web site */
product CMDTECH 640 0x0640 PCI0640
/* No data on the CMD Tech. web site for the following as of Mar. 3 '98 */
product CMDTECH 642 0x0642 PCI0642
/* datasheets available from www.cmd.com for the followings */
product CMDTECH 643 0x0643 PCI0643
product CMDTECH 646 0x0646 PCI0646
product CMDTECH 647 0x0647 PCI0647
product CMDTECH 648 0x0648 PCI0648
product CMDTECH 649 0x0649 PCI0649

/* Inclusion of 'A' in the following entry is probably wrong. */
/* No data on the CMD Tech. web site for the following as of Mar. 3 '98 */
product CMDTECH 650A 0x0650 PCI0650A
product CMDTECH 670 0x0670 USB0670
product CMDTECH 673 0x0673 USB0673
product CMDTECH 680 0x0680 SiI0680
product CMDTECH 3112 0x3112 SiI3112 SATALink

/* C-Media products */
product CMEDIA CMI8338A 0x0100 CMI8338A PCI Audio Device
product CMEDIA CMI8338B 0x0101 CMI8338B PCI Audio Device
product CMEDIA CMI8738 0x0111 CMI8738/C3DX PCI Audio Device
product CMEDIA CMI8738B 0x0112 CMI8738B PCI Audio Device
product CMEDIA HSP56 0x0211 HSP56 Audiomodem Riser

/* Cogent Data Technologies products */
product COGENT EM110TX 0x1400 EX110TX PCI Fast Ethernet Adapter

/* Cologne Chip Designs */
product COLOGNECHIP HFC 0x2bd0 HFC-S

/* COMPAL products */
product COMPAL 38W2 0x0011 COMPAL 38W2 OEM Notebook

/* Compaq products */
product COMPAQ PCI_EISA_BRIDGE 0x0001 PCI-EISA Bridge
product COMPAQ PCI_ISA_BRIDGE 0x0002 PCI-ISA Bridge
product COMPAQ TRIFLEX1 0x1000 Triflex Host-PCI Bridge
product COMPAQ TRIFLEX2 0x2000 Triflex Host-PCI Bridge
product COMPAQ QVISION_V0 0x3032 QVision
product COMPAQ QVISION_1280P 0x3033 QVision 1280/p
product COMPAQ QVISION_V2 0x3034 QVision
product COMPAQ TRIFLEX4 0x4000 Triflex Host-PCI Bridge
product COMPAQ CSA5300 0x4070 Smart Array 5300
product COMPAQ CSA5i 0x4080 Smart Array 5i
product COMPAQ CSA532 0x4082 Smart Array 532
product COMPAQ USB 0x7020 USB Controller
/* MediaGX Cx55x0 built-in OHCI seems to have this ID */
product COMPAQ USB_MEDIAGX 0xa0f8 USB Controller
product COMPAQ SMART2P 0xae10 SMART2P RAID
product COMPAQ N100TX 0xae32 Netelligent 10/100 TX
product COMPAQ N10T 0xae34 Netelligent 10 T
product COMPAQ IntNF3P 0xae35 Integrated NetFlex 3/P
product COMPAQ DPNet100TX 0xae40 Dual Port Netelligent 10/100 TX
product COMPAQ IntPL100TX 0xae43 ProLiant Integrated Netelligent 10/100 TX
product COMPAQ DP4000 0xb011 Deskpro 4000 5233MMX
product COMPAQ M700 0xb112 Armada M700
product COMPAQ NF3P_BNC 0xf150 NetFlex 3/P w/ BNC
product COMPAQ NF3P 0xf130 NetFlex 3/P

/* Compex products - XXX better descriptions */
product COMPEX NE2KETHER 0x1401 Ethernet
product COMPEX RL100ATX 0x2011 RL100-ATX 10/100 Ethernet
product COMPEX RL100TX 0x9881 RL100-TX 10/100 Ethernet

/* Conexant Systems products */
product CONEXANT SOFTK56 0x2443 SoftK56 PCI Software Modem
product CONEXANT 56KFAXMODEM 0x1085 HW 56K Fax Modem

/* Contaq Microsystems products */
product CONTAQ 82C599 0x0600 82C599 PCI-VLB Bridge
product CONTAQ 82C693 0xc693 82C693 PCI-ISA Bridge

/* Corollary Products */
product COROLLARY CBUSII_PCIB 0x0014 "C-Bus II"-PCI Bridge

/* Creative Labs products */
product CREATIVELABS SBLIVE 0x0002 SBLive! EMU 10000
product CREATIVELABS SBJOY 0x7002 PCI Gameport Joystick
product CREATIVELABS EV1938 0x8938 Ectiva 1938

/* Cyclades products */
product CYCLADES CYCLOMY_1 0x0100 Cyclom-Y below 1M
product CYCLADES CYCLOMY_2 0x0101 Cyclom-Y above 1M
product CYCLADES CYCLOM4Y_1 0x0102 Cyclom-4Y below 1M
product CYCLADES CYCLOM4Y_2 0x0103 Cyclom-4Y above 1M
product CYCLADES CYCLOM8Y_1 0x0104 Cyclom-8Y below 1M
product CYCLADES CYCLOM8Y_2 0x0105 Cyclom-8Y above 1M
product CYCLADES CYCLOMZ_1 0x0200 Cyclom-Z below 1M
product CYCLADES CYCLOMZ_2 0x0201 Cyclom-Z above 1M

/* Cyclone Microsystems products */
product CYCLONE PCI_700 0x0700 IQ80310 (PCI-700)

/* Cyrix (now National) products */
product CYRIX MEDIAGX_PCHB 0x0001 MediaGX Built-in PCI Host Controller
product CYRIX CX5520_PCIB 0x0002 Cx5520 I/O Companion
product CYRIX CX5530_PCIB 0x0100 Cx5530 I/O Companion Multi-Function South Bridge
product CYRIX CX5530_SMI 0x0101 Cx5530 I/O Companion (SMI Status and ACPI Timer)
product CYRIX CX5530_IDE 0x0102 Cx5530 I/O Companion (IDE Controller)
product CYRIX CX5530_AUDIO 0x0103 Cx5530 I/O Companion (XpressAUDIO)
product CYRIX CX5530_VIDEO 0x0104 Cx5530 I/O Companion (Video Controller)

/* Davicom Semiconductor products */
product DAVICOM DM9102 0x9102 Davicom DM9102 10/100 Ethernet

/* DEC products */
product DEC 21050 0x0001 DECchip 21050 PCI-PCI Bridge
product DEC 21040 0x0002 DECchip 21040 ("Tulip") Ethernet
product DEC 21030 0x0004 DECchip 21030 ("TGA")
product DEC NVRAM 0x0007 Zephyr NV-RAM
product DEC KZPSA 0x0008 KZPSA
product DEC 21140 0x0009 DECchip 21140 ("FasterNet") 10/100 Ethernet
product DEC PBXGB 0x000d TGA2
product DEC DEFPA 0x000f DEFPA
/* product DEC ??? 0x0010 ??? VME Interface */
product DEC 21041 0x0014 DECchip 21041 ("Tulip Plus") Ethernet
product DEC DGLPB 0x0016 DGLPB ("OPPO")
product DEC 21142 0x0019 DECchip 21142/21143 10/100 Ethernet
product DEC 21052 0x0021 DECchip 21052 PCI-PCI Bridge
product DEC 21150 0x0022 DECchip 21150 PCI-PCI Bridge
product DEC 21152 0x0024 DECchip 21152 PCI-PCI Bridge
product DEC 21153 0x0025 DECchip 21153 PCI-PCI Bridge
product DEC 21154 0x0026 DECchip 21154 PCI-PCI Bridge
product DEC 21554 0x0046 DECchip 21554 PCI-PCI Bridge
product DEC SWXCR 0x1065 SWXCR RAID

/* Dell Computer products */
product DELL PERC_2SI 0x0001 PERC 2/Si
product DELL PERC_3DI 0x0002 PERC 3/Di
product DELL PERC_3SI 0x0003 PERC 3/Si
product DELL PERC_3SI_2 0x0004 PERC 3/Si
product DELL PERC_3DI_2 0x0008 PERC 3/Di
product DELL PERC_3DI_3 0x000a PERC 3/Di
product DELL PERC_3SI 0x0003 PERC 3/Si
product DELL PERC_3DI_2_SUB 0x00cf PERC 3/Di
product DELL PERC_3SI_2_SUB 0x00d0 PERC 3/Si
product DELL PERC_3DI_SUB2 0x00d1 PERC 3/Di
product DELL PERC_3DI_SUB3 0x00d9 PERC 3/Di
product DELL PERC_3DI_3_SUB 0x0106 PERC 3/Di
product DELL PERC_3DI_3_SUB2 0x011b PERC 3/Di
product DELL PERC_3DI_3_SUB3 0x0121 PERC 3/Di

/* Delta products */
product DELTA 8139 0x1360 8139 Ethernet

/* Diamond products */
product DIAMOND VIPER 0x9001 Viper/PCI

/* D-Link Systems products */
product DLINK DL1002 0x1002 DL-1002 10/100 Ethernet
product DLINK DFE530TXPLUS 0x1300 DFE-530TXPLUS 10/100 Ethernet
product DLINK DL4000 0x4000 DL-4000 Gigabit Ethernet

/* Distributed Processing Technology products */
product DPT SC_RAID 0xa400 SmartCache/SmartRAID (EATA)
product DPT I960_PPB 0xa500 PCI-PCI Bridge
product DPT RAID_I2O 0xa501 SmartRAID (I2O)
product DPT RAID_2005S 0xa511 Zero Channel SmartRAID (I2O)
product DPT MEMCTLR 0x1012 Memory Controller

/* Dolphin products */
product DOLPHIN PCISCI 0x0658 PCI-SCI Bridge

/* Domex products */
product DOMEX PCISCSI 0x0001 DMX-3191D

/* Dynalink products */
product DYNALINK IS64PH 0x1702 Dynalink IS64PH ISDN Adapter

/* ELSA products */
product ELSA QS1PCI 0x1000 QuickStep 1000 ISDN card

/* Emulex products */
product EMULEX LPPFC 0x10df "Light Pulse" FibreChannel adapter

/* ENE Technology, Inc. products */
product ENE CB1410 0x1410 CB1410 Cardbus Controller

/* Ensoniq products */
product ENSONIQ AUDIOPCI 0x5000 AudioPCI
product ENSONIQ AUDIOPCI97 0x1371 AudioPCI 97
product ENSONIQ CT5880 0x5880 CT5880

/* Essential Communications products */
product ESSENTIAL RR_HIPPI 0x0001 RoadRunner HIPPI Interface
product ESSENTIAL RR_GIGE 0x0005 RoadRunner Gig-E Interface

/* ESS Technology, Inc. products */
product ESSTECH MAESTRO1 0x0100 Maestro 1 PCI Audio Accelerator
product ESSTECH MAESTRO2 0x1968 Maestro 2 PCI Audio Accelerator
product ESSTECH SOLO1 0x1969 Solo-1 PCI AudioDrive
product ESSTECH MAESTRO2E 0x1978 Maestro 2E PCI Audio Accelerator
product ESSTECH ALLEGRO1 0x1988 Allegro-1 PCI Audio Accelerator
product ESSTECH MAESTRO3 0x1998 Maestro 3 PCI Audio Accelerator
product ESSTECH MAESTRO3MODEM 0x1999 Maestro 3 Modem
product ESSTECH MAESTRO3_2 0x199a Maestro 3 PCI Audio Accelerator

/* ESS Technology, Inc. products */
product ESSTECH2 MAESTRO1 0x0100 Maestro 1 PCI Audio Accelerator

/* Eumitcom products */
product EUMITCOM WL11000P 0x1100 WL11000P PCI WaveLAN/IEEE 802.11

/* O2 Micro, Inc. */
product O2MICRO OZ6729 0x6729 OZ6729 PCI-PCMCIA Bridge
product O2MICRO OZ6730 0x673A OZ6730 PCI-PCMCIA Bridge
product O2MICRO OZ6832 0x6832 OZ6832/OZ6833 PCI-CardBus Bridge
product O2MICRO OZ6836 0x6836 OZ6836/OZ6860 PCI-Cardbus Bridge
product O2MICRO OZ6872 0x6872 OZ6812/OZ6872 PCI-Cardbus Bridge
product O2MICRO OZ6922 0x6925 OZ6922 PCI-Cardbus Bridge
product O2MICRO OZ6933 0x6933 OZ6933 PCI-Cardbus Bridge
product O2MICRO OZ6972 0x6972 OZ6912/OZ6972 PCI-Cardbus Bridge

/* Evans & Sutherland products */
product ES FREEDOM 0x0001 Freedom PCI-GBus Interface

/* FORE products */
product FORE PCA200 0x0210 ATM PCA-200
product FORE PCA200E 0x0300 ATM PCA-200e

/* Forte Media products */
product FORTEMEDIA FM801 0x0801 Forte Media 801 Sound
product FORTEMEDIA PCIJOY 0x0802 PCI Gameport Joystick

/* Future Domain products */
product FUTUREDOMAIN TMC_18C30 0x0000 TMC-18C30 (36C70)

/* FZ Juelich / ZEL products */
product FZJZEL GIGALINK 0x0001 Gigabit link / STR1100
product FZJZEL PLXHOTLINK 0x0002 HOTlink interface
product FZJZEL COUNTTIME 0x0003 Counter / Timer
product FZJZEL PLXCAMAC 0x0004 CAMAC controller
product FZJZEL PROFIBUS 0x0005 PROFIBUS interface
product FZJZEL AMCCHOTLINK 0x0006 old HOTlink interface

/* Efficient Networks products */
product EFFICIENTNETS ENI155PF 0x0000 155P-MF1 ATM (FPGA)
product EFFICIENTNETS ENI155PA 0x0002 155P-MF1 ATM (ASIC)
product EFFICIENTNETS ENI25P 0x0003 SpeedStream ENI-25p
product EFFICIENTNETS SS3000 0x0005 SpeedStream 3000

/* Galileo Technology products */
product GALILEO GT64010A 0x0146 GT-64010A System Controller
product GALILEO GT64115 0x4111 GT-64115 System Controller
product GALILEO GT64011 0x4146 GT-64011 System Controller
product GALILEO GT64120 0x4620 GT-64120 System Controller
product GALILEO GT64130 0x6320 GT-64130 System Controller
product GALILEO GT64260 0x6430 GT-64260 System Controller

/* Global Sun Tech products */
product GLOBALSUN GL24110P 0x1101 GL24110P PCI IEEE 802.11b
product GLOBALSUN GL24110P02 0x1102 GL24110P PCI IEEE 802.11b

/* Guillemot products */
product GUILLEMOT MAXIRADIO 0x1001 MAXIRADIO

/* Heuricon products */
product HEURICON PMPPC 0x000e PM/PPC

/* Hewlett-Packard products */
product HP A4977A 0x1005 A4977A Visualize EG
product HP J2585A 0x1030 J2585A
product HP J2585B 0x1031 J2585B
product HP 82557B 0x1200 82557B 10/100 NIC
product HP NETRAID_4M 0x10c2 NetRaid-4M

/* Hi/Fn products */
product HIFN 7751 0x0005 7751
product HIFN 6500 0x0006 6500
product HIFN 7811 0x0007 7811
product HIFN 7951 0x0012 7951

/* HiNT products */
product HINT HB1 0x0021 HB1 PCI-PCI Bridge
product HINT HB4 0x0022 HB4 PCI-PCI Bridge

/* IBM products */
product IBM MCABRIDGE 0x0002 MCA Bridge
product IBM ALTALITE 0x0005 CPU Bridge - Alta Lite
product IBM ALTAMP 0x0007 CPU Bridge - Alta MP
product IBM ISABRIDGE 0x000a ISA Bridge w/PnP
product IBM CPUBRIDGE 0x0017 CPU Bridge
product IBM LANSTREAMER 0x0018 Auto LANStreamer
product IBM GXT150P 0x001b GXT-150P 2D Accelerator
product IBM MCABRIDGE2 0x0020 MCA Bridge
product IBM 82351 0x0022 82351 PCI-PCI Bridge
product IBM SERVERAID 0x002e ServeRAID
product IBM OLYMPIC 0x003e Token Ring
product IBM MIAMI 0x0036 Miami/PCI
product IBM 82660 0x0037 82660 PowerPC to PCI Bridge and Memory Controller
product IBM MPIC 0x0046 MPIC
product IBM TURBOWAYS25 0x0053 Turboways 25 ATM
product IBM GXT800P 0x005e GXT-800P
product IBM 405GP 0x0156 PPC 405GP PCI Bridge
product IBM 133PCIX 0x01a7 133 PCI-X Bridge
product IBM MPIC2 0xffff MPIC-II

/* Conexant (iCompression, GlobeSpan) products */
product ICOMPRESSION ITVC15 0x0803 iTVC15 MPEG2 codec

/* IDT products */
product IDT 77201 0x0001 77201/77211 ATM ("NICStAR")
product IDT RC32334 0x0204 RC32334 System Controller
product IDT RC32332 0x0205 RC32332 System Controller

/* Industrial Computer Source */
product INDCOMPSRC WDT50x 0x22c0 PCI-WDT50x Watchdog Timer

/* Initio products */
product INITIO I920 0x0002 INIC-920 SCSI
product INITIO I850 0x0850 INIC-850 SCSI
product INITIO I1060 0x1060 INIC-1060 SCSI
product INITIO I940 0x9400 INIC-940 SCSI
product INITIO I935 0x9401 INIC-935 SCSI
product INITIO I950 0x9500 INIC-950 SCSI

/* Integraphics Systems products */
product INTEGRAPHICS IGA1680 0x1680 IGA 1680
product INTEGRAPHICS IGA1682 0x1682 IGA 1682
product INTEGRAPHICS CYBERPRO2000 0x2000 CyberPro 2000
product INTEGRAPHICS CYBERPRO2010 0x2010 CyberPro 2010

/* Integrated Micro Solutions products */
product IMS 8849 0x8849 8849
product IMS TT128M 0x9128 TwinTurbo 128M

/* Intel products */
product INTEL 80312 0x030d 80312 I/O Companion Chip
product INTEL 80321 0x0319 80321 I/O Processor
product INTEL PCEB 0x0482 82375EB/SB PCI-EISA Bridge (PCEB)
product INTEL CDC 0x0483 82424ZX Cache and DRAM controller (CDC)
product INTEL SIO 0x0484 82378ZB System I/O (SIO)
product INTEL 82426EX 0x0486 82426EX PCI-to-ISA Bridge (PCIB)
product INTEL PCMC 0x04a3 82434LX/NX PCI, Cache and Memory Controller (PCMC)
product INTEL GDT_RAID1 0x0600 GDT RAID
product INTEL GDT_RAID2 0x061f GDT RAID
product INTEL 80960RM 0x0962 i960 RM PCI-PCI
product INTEL 80960RN 0x0964 i960 RN PCI-PCI
product INTEL 82542 0x1000 i82542 Gigabit Ethernet
product INTEL 82543GC_FIBER 0x1001 i82453GC Gigabit Ethernet (1000BASE-X)
product INTEL 82543GC_COPPER 0x1004 i82543GC Gigabit Ethernet (1000BASE-T)
product INTEL 82544EI_COPPER 0x1008 i82544EI Gigabit Ethernet (1000BASE-T)
product INTEL 82544EI_FIBER 0x1009 i82544EI Gigabit Ethernet (1000BASE-X)
product INTEL 82544GC_COPPER 0x100c i82544GC Gigabit Ethernet (1000BASE-T)
product INTEL 82544GC_LOM 0x100d i82544GC (LOM) Gigabit Ethernet
product INTEL 82540EM 0x100e i82540EM Gigabit Ethernet (1000BASE-T)
product INTEL 82545EM_COPPER 0x100f i82545EM Gigabit Ethernet (1000BASE-T)
product INTEL 82546EB_COPPER 0x1010 i82546EB Gigabit Ethernet (1000BASE-T)
product INTEL 82545EM_FIBER 0x1011 i82545EM Gigabit Ethernet (1000BASE-X)
product INTEL 82546EB_FIBER 0x1012 i82546EB Gigabit Ethernet (1000BASE-X)
product INTEL 82540EM_LOM 0x1015 i82540EM (LOM) Gigabit Ethernet
product INTEL 82540EP_LOM 0x1016 i82540EP (LOM) Gigabit Ethernet
product INTEL 82540EP 0x1017 i82540EP Gigabit Ethernet
product INTEL 82540EP_LP 0x101e i82540EP Gigabit Ethernet
product INTEL IN_BUSINESS 0x1030 InBusiness Fast Ethernet LAN Controller
product INTEL PRO_100_VE_0 0x1031 PRO/100 VE Network Controller
product INTEL PRO_100_VE_1 0x1032 PRO/100 VE Network Controller
product INTEL PRO_100_VM_0 0x1033 PRO/100 VM Network Controller
product INTEL PRO_100_VM_1 0x1034 PRO/100 VM Network Controller
product INTEL 82562EH_HPNA_0 0x1035 82562EH HomePNA Network Controller
product INTEL 82562EH_HPNA_1 0x1036 82562EH HomePNA Network Controller
product INTEL 82562EH_HPNA_2 0x1037 82562EH HomePNA Network Controller
product INTEL PRO_100_VM_2 0x1038 PRO/100 VM Network Controller
product INTEL PRO_100_VE_2 0x1039 PRO/100 VE Network Controller with 82562ET/EZ PHY
product INTEL PRO_100_VE_3 0x103a PRO/100 VE Network Controller with 82562ET/EZ (CNR) PHY
product INTEL PRO_100_VM_3 0x103b PRO/100 VM Network Controller with 82562EM/EX PHY
product INTEL PRO_100_VM_4 0x103c PRO/100 VM Network Controller with 82562EM/EX (CNR) PHY
product INTEL PRO_100_VE_4 0x103d PRO/100 VE (MOB) Network Controller
product INTEL PRO_100_VM_5 0x103e PRO/100 VM (MOB) Network Controller
product INTEL PRO_100_M 0x1059 PRO/100 M Network Controller
product INTEL 82815_DC100_HUB 0x1100 82815 Hub
product INTEL 82815_DC100_AGP 0x1101 82815 AGP
product INTEL 82815_DC100_GRAPH 0x1102 82815 Graphics
product INTEL 82815_NOAGP_HUB 0x1110 82815 Hub
product INTEL 82815_NOAGP_GRAPH 0x1112 82815 Graphics
product INTEL 82815_NOGRAPH_HUB 0x1120 82815 Hub
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product INTEL 82815_FULL_GRAPH 0x1132 82815 Graphics
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product INTEL ADI_BECC 0x1162 ADI i80200 Big Endian Companion Chip
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product INTEL 82801E_SMB 0x2453 82801E SMBus Controller
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product INTEL 82860_HB 0x2531 82860 Host
product INTEL 82850_AGP 0x2532 82850/82860 AGP
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product INTEL 82860_PCI4 0x2536 82860 PCI-PCI
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product INTEL E7500_HI_D2 0x2548 E7500 MCH HI_C vppb 2
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product INTEL 82845G_AGP 0x2561 82845G/GL Host-to-AGP Bridge
product INTEL 82845G_IGD 0x2562 82845G/GL Integrated Graphics Device
product INTEL 31244 0x3200 31244 Serial ATA Controller
product INTEL 82830MP_IO_1 0x3575 82830MP CPU to I/O Bridge 1
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product INTEL 82830MP_IV 0x3577 82830MP Integrated Video
product INTEL 82830MP_IO_2 0x3578 82830MP CPU to I/O Bridge 2
product INTEL 80312_ATU 0x530d 80310 ATU
product INTEL 82371SB_ISA 0x7000 82371SB PCI-to-ISA Bridge (PIIX3)
product INTEL 82371SB_IDE 0x7010 82371SB IDE Interface (PIIX3)
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product INTEL 82437VX 0x7030 82437VX System Controller (TVX)
product INTEL 82439TX 0x7100 82439TX System Controller (MTXC)
product INTEL 82371AB_ISA 0x7110 82371AB PCI-to-ISA Bridge (PIIX4)
product INTEL 82371AB_IDE 0x7111 82371AB IDE controller (PIIX4)
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product INTEL 82371AB_PMC 0x7113 82371AB Power Management Controller (PIIX4)
product INTEL 82810_MCH 0x7120 82810 Memory Controller Hub
product INTEL 82810_GC 0x7121 82810 Graphics Controller
product INTEL 82810_DC100_MCH 0x7122 82810-DC100 Memory Controller Hub
product INTEL 82810_DC100_GC 0x7123 82810-DC100 Graphics Controller
product INTEL 82810E_MCH 0x7124 82810E Memory Controller Hub
product INTEL 82810E_GC 0x7125 82810E Graphics Controller
product INTEL 82443LX 0x7180 82443LX PCI AGP Controller (PAC)
product INTEL 82443LX_AGP 0x7181 82443LX AGP Interface (PAC)
product INTEL 82443BX 0x7190 82443BX Host Bridge/Controller
product INTEL 82443BX_AGP 0x7191 82443BX AGP Interface
product INTEL 82443BX_NOAGP 0x7192 82443BX Host Bridge/Controller (AGP disabled)
product INTEL 82440MX 0x7194 82443MX Host Bridge/Controller
product INTEL 82440MX_ACA 0x7195 82443MX AC-97 Audio Controller
product INTEL 82440MX_ISA 0x7198 82443MX PCI-to-ISA Bridge
product INTEL 82440MX_IDE 0x7199 82443MX IDE Controller
product INTEL 82440MX_USB 0x719a 82443MX USB Host Controller
product INTEL 82440MX_PMC 0x719b 82443MX Power Management Controller
product INTEL 82443GX 0x71a0 82443GX Host Bridge/Controller
product INTEL 82443GX_AGP 0x71a1 82443GX AGP Interface
product INTEL 82443GX_NOAGP 0x71a2 82443GX Host Bridge/Controller (AGP disabled)
product INTEL I740 0x7800 i740 Graphics Accelerator
product INTEL PCI450_PB 0x84c4 82454KX/GX PCI Bridge (PB)
product INTEL PCI450_MC 0x84c5 82451KX/GX Memory Controller (MC)
product INTEL 82451NX_MIOC 0x84ca 82451NX Memory & I/O Controller (MIOC)
product INTEL 82451NX_PXB 0x84cb 82451NX PCI Expander Bridge (PXB)
product INTEL 21152 0xb152 S21152BB PCI to PCI Bridge
product INTEL 21154 0xb154 S21152BA,S21154AE/BE PCI to PCI Bridge
product INTEL 21555 0xb555 21555 Non-Transparent PCI-PCI Bridge

/* Intergraph products */
product INTERGRAPH 4D50T 0x00e4 Powerstorm 4D50T

/* Intersil products */
product INTERSIL MINI_PCI_WLAN 0x3873 Intersil PRISM2.5 Mini-PCI WLAN

/* Invertex */
product INVERTEX AEON 0x0005 AEON

/* ITE products */
product ITE IT8152 0x8152 IT8152 Host Bridge

/* I. T. T. products */
product ITT AGX016 0x0001 AGX016
product ITT ITT3204 0x0002 ITT3204 MPEG Decoder

/* KTI products - XXX better descriptions */
product KTI NE2KETHER 0x3000 Ethernet

/* LAN Media Corporation */
product LMC HSSI 0x0003 HSSI Interface
product LMC DS3 0x0004 DS3 Interface
product LMC SSI 0x0005 SSI
product LMC DS1 0x0006 DS1

/* LeadTek Research */
product LEADTEK S3_805 0x0000 S3 805

/* Level One products */
product LEVELONE LXT1001 0x0001 LXT-1001 10/100/1000 Ethernet

/* Linear Systems / CompuModules */
product LINEARSYS DVB_TX 0x7629 DVB Transmitter
product LINEARSYS DVB_RX 0x7630 DVB Receiver

/* Lite-On products */
product LITEON 82C168 0x0002 82C168/82C169 (PNIC) 10/100 Ethernet
product LITEON 82C115 0xc115 82C115 (PNIC II) 10/100 Ethernet

/* Lucent Technologies products */
product LUCENT LTMODEM_0440 0x0440 K56flex DSVD LTMODEM
product LUCENT LTMODEM_0441 0x0441 LTMODEM
product LUCENT LTMODEM_0442 0x0442 LTMODEM
product LUCENT LTMODEM_0443 0x0443 LTMODEM
product LUCENT LTMODEM_0444 0x0444 LTMODEM
product LUCENT LTMODEM_0445 0x0445 LTMODEM
product LUCENT LTMODEM_0446 0x0446 LTMODEM
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product LUCENT LTMODEM_0448 0x0448 LTMODEM
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product LUCENT LTMODEM_044a 0x044a LTMODEM
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product LUCENT LTMODEM_0451 0x0451 LTMODEM
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product LUCENT LTMODEM_0459 0x0459 LTMODEM
product LUCENT LTMODEM_045a 0x045a LTMODEM
product LUCENT OR3LP26 0x5400 Lucent ORCA FPGA w/32-bit PCI ASIC core
product LUCENT OR3TP12 0x5401 Lucent ORCA FPGA w/64-bit PCI ASIC core
product LUCENT USBHC 0x5801 USB Host Controller
product LUCENT FW322_323 0x5811 FW322/323 IEEE 1394 OHCI Controller

/* Macronix */
product MACRONIX MX98713 0x0512 MX98713 (PMAC) 10/100 Ethernet
product MACRONIX MX987x5 0x0531 MX987x5 (PMAC) 10/100 Ethernet

/* Madge Networks products */
product MADGE SMARTRN2 0x0002 Smart 16/4 PCI Ringnode Mk2
product MADGE COLLAGE25 0x1000 Collage 25 ATM adapter
product MADGE COLLAGE155 0x1001 Collage 155 ATM adapter

/* Matrox products */
product MATROX ATLAS 0x0518 MGA PX2085 ("Atlas")
product MATROX MILLENNIUM 0x0519 MGA Millennium 2064W ("Storm")
product MATROX MYSTIQUE 0x051a MGA Mystique 1064SG
product MATROX MILLENNIUM2 0x051b MGA Millennium II 2164W
product MATROX MILLENNIUM2_AGP 0x051f MGA Millennium II 2164WA-B AGP
product MATROX G200_PCI 0x0520 MGA G200 PCI
product MATROX G200_AGP 0x0521 MGA G200 AGP
product MATROX G400_AGP 0x0525 MGA G400 AGP
product MATROX IMPRESSION 0x0d10 MGA Impression
product MATROX G100_PCI 0x1000 MGA G100 PCI
product MATROX G100_AGP 0x1001 MGA G100 AGP

/* MediaQ, Inc. products */
product MEDIAQ MQ200 0x0200 MQ200

/* Middle Digital, Inc. products */
product MIDDLE_DIGITAL WEASEL_VGA 0x9050 Weasel Virtual VGA
product MIDDLE_DIGITAL WEASEL_SERIAL 0x9051 Weasel Serial Port
product MIDDLE_DIGITAL WEASEL_CONTROL 0x9052 Weasel Control

/* Motorola products */
product MOT MPC105 0x0001 MPC105 "Eagle" Host Bridge
product MOT MPC106 0x0002 MPC106 "Grackle" Host Bridge
product MOT MPC8240 0x0003 MPC8240 "Kahlua" Host Bridge
product MOT MPC107 0x0004 MPC107 "Chaparral" Host Bridge
product MOT MPC8245 0x0006 MPC8245 "Kahlua II" Host Bridge
product MOT RAVEN 0x4801 Raven Host Bridge & Multi-Processor Interrupt Controller
product MOT FALCON 0x4802 Falcon ECC Memory Controller Chip Set
product MOT HAWK 0x4803 Hawk System Memory Controller & PCI Host Bridge

/* Mylex products */
product MYLEX RAID_V2 0x0001 DAC960 RAID (v2 interface)
product MYLEX RAID_V3 0x0002 DAC960 RAID (v3 interface)
product MYLEX RAID_V4 0x0010 DAC960 RAID (v4 interface)
product MYLEX RAID_V5 0x0020 DAC960 RAID (v5 interface)
product MYLEX ACCELERAID 0x0050 AcceleRAID (i960)
product MYLEX EXTREMERAID 0xba56 eXtremeRAID (StrongARM)

/* Mylex subsystem IDs */
product MYLEX ACCELERAID_352 0x0050 AcceleRAID 352
product MYLEX ACCELERAID_170 0x0052 AcceleRAID 170
product MYLEX ACCELERAID_160 0x0054 AcceleRAID 160
product MYLEX EXTREMERAID_2000 0x0040 eXtremeRAID 2000
product MYLEX EXTREMERAID_3000 0x0030 eXtremeRAID 3000

/* Mutech products */
product MUTECH MV1000 0x0001 MV1000

/* Myson-Century Technology products */
product MYSON MTD803 0x0803 MTD803 3-in-1 Fast Ethernet Controller

/* National Datacomm Corp. products */
product NDC NCP130 0x0130 NCP130 Wireless NIC
product NDC NCP130A2 0x0131 NCP130 rev A2 Wireless NIC

/* NetVin products - XXX better descriptions */
product NETVIN 5000 0x5000 5000 Ethernet

/* Newbridge / Tundra products */
product NEWBRIDGE CA91CX42 0x0000 Universe VME bridge
product NEWBRIDGE CA91L826A 0x0826 QSpan II PCI bridge
product NEWBRIDGE CA91L8260 0x8260 PowerSpan PCI bridge
product NEWBRIDGE CA91L8261 0x8261 PowerSpan II PCI bridge

/* National Instruments products */
product NATIONALINST MXI3 0x2c30 MXI-3 PCI extender

/* National Semiconductor products */
product NS DP83810 0x0001 DP83810 10/100 Ethernet
product NS DP83815 0x0020 DP83815 10/100 Ethernet
product NS DP83820 0x0022 DP83820 10/100/1000 Ethernet
product NS NS87410 0xd001 NS87410

/* NCR/Symbios Logic products */
product SYMBIOS 810 0x0001 53c810
product SYMBIOS 820 0x0002 53c820
product SYMBIOS 825 0x0003 53c825
product SYMBIOS 815 0x0004 53c815
product SYMBIOS 810AP 0x0005 53c810AP
product SYMBIOS 860 0x0006 53c860
product SYMBIOS 1510D 0x000a 53c1510D
product SYMBIOS 896 0x000b 53c896
product SYMBIOS 895 0x000c 53c895
product SYMBIOS 885 0x000d 53c885
product SYMBIOS 875 0x000f 53c875/876
product SYMBIOS 1510 0x0010 53c1510
product SYMBIOS 895A 0x0012 53c895A
product SYMBIOS 875A 0x0013 53c875A
product SYMBIOS 1010 0x0020 53c1010
product SYMBIOS 1010_2 0x0021 53c1010 (66MHz)
product SYMBIOS 1030 0x0030 53c1030
product SYMBIOS 1030R 0x1030 53c1030R
product SYMBIOS 875J 0x008f 53c875J
product SYMBIOS FC909 0x0620 FC909
product SYMBIOS FC909A 0x0621 FC909A
product SYMBIOS FC929 0x0622 FC929
product SYMBIOS FC929_1 0x0623 FC929
product SYMBIOS FC919 0x0624 FC919
product SYMBIOS FC919_1 0x0625 FC919

/* Packet Engines products */
product SYMBIOS PE_GNIC 0x0702 Packet Engines G-NIC Ethernet

/* NEC products */
product NEC USB 0x0035 USB Host Controller
product NEC VRC4173_CARDU 0x003e VRC4173 PC-Card Unit
product NEC POWERVR2 0x0046 PowerVR PCX2
product NEC PD72872 0x0063 uPD72872 IEEE 1394 OHCI Host Controller
product NEC VRC4173_BCU 0x00a5 VRC4173 Bus Control Unit
product NEC VRC4173_AC97U 0x00a6 VRC4173 AC97 Unit
product NEC PD72870 0x00cd uPD72870 IEEE 1394 OHCI Host Controller
product NEC PD72871 0x00ce uPD72871 IEEE 1394 OHCI Host Controller
product NEC PD720100A 0x00e0 USB Host Controller
product NEC VA26D 0x803c NEC Versa Pro LX VA26D
product NEC VERSALX 0x8058 NEC Versa LX

/* Neomagic products */
product NEOMAGIC NMMG2070 0x0001 MagicGraph NM2070
product NEOMAGIC NMMG128V 0x0002 MagicGraph 128V
product NEOMAGIC NMMG128ZV 0x0003 MagicGraph 128ZV
product NEOMAGIC NMMG2160 0x0004 MagicGraph 128XD
product NEOMAGIC NMMM256AV_VGA 0x0005 MagicMedia 256AV VGA
product NEOMAGIC NMMM256ZX_VGA 0x0006 MagicMedia 256ZX VGA
product NEOMAGIC NMMM256XLP_AU 0x0016 MagicMedia 256XL+ Audio
product NEOMAGIC NMMM256AV_AU 0x8005 MagicMedia 256AV Audio
product NEOMAGIC NMMM256ZX_AU 0x8006 MagicMedia 256ZX Audio

/* Netgear products */
product NETGEAR GA620 0x620a GA620 1000baseSX Gigabit Ethernet
product NETGEAR GA620T 0x630a GA620 1000baseT Gigabit Ethernet
product NETGEAR MA301 0x4100 MA301 PCI IEEE 802.11b

/* Netmos products */
product NETMOS NM9835 0x9835 Dual UART and 1284 Printer port
product NETMOS NM9845 0x9845 Quad UART and 1284 Printer port

/* Network Security Technologies, Inc. */
product NETSEC 7751 0x7751 7751

/* NexGen products */
product NEXGEN NX82C501 0x4e78 NX82C501 Host-PCI Bridge

/* NKK products */
product NKK NDR4600 0xa001 NDR4600 Host-PCI Bridge

/* Number Nine products */
product NUMBER9 I128 0x2309 Imagine-128
product NUMBER9 I128_2 0x2339 Imagine-128 II

/* Nvidia Corporationn products */
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product NVIDIA RIVATNT2 0x0028 RIVA TNT2
product NVIDIA RIVATNT2U 0x0029 RIVA TNT2 Ultra
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product NVIDIA RIVATNT2M64 0x002d RIVA TNT2 Model 64
product NVIDIA NFORCE2_ATA133 0x0065 nForce2 ATA133 IDE
product NVIDIA NFORCE2_MCPT_AC 0x006a nForce2 MCP-T AC-97
product NVIDIA ALADDINTNT2 0x00a0 Aladdin TNT2
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product NVIDIA QUADRO 0x0103 Quadro
product NVIDIA GEFORCE2MX 0x0110 GeForce2 MX
product NVIDIA GEFORCE2MX200 0x0111 GeForce2 MX 100/200
product NVIDIA GEFORCE2GO 0x0112 GeForce2 Go
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product NVIDIA GEFORCE2 0x0150 GeForce2 GTS
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product NVIDIA QUADRO2 0x0153 Quadro2
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product NVIDIA QUADRO4_500XGL 0x0178 Quadro4 500XGL
product NVIDIA QUADRO4_200NVS 0x017a Quadro4 200/400NVS
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product NVIDIA GF4_MX440_SE_8X 0x0182 GeForce4 MX 440 SE (AGP8X)
product NVIDIA GF4_MX420_8X 0x0183 GeForce4 MX 420 (AGP8X)
product NVIDIA QUADRO4_580XGL 0x0188 Quadro4 580 XGL
product NVIDIA QUADRO4_280NVS 0x018a Quadro4 280 NVS
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product NVIDIA GF4_MX_IGP 0x01f0 GeForce4 MX Integrated GPU
product NVIDIA GEFORCE3 0x0200 GeForce3
product NVIDIA GEFORCE3_TI200 0x0201 GeForce3 Ti 200
product NVIDIA GEFORCE3_TI500 0x0202 GeForce3 Ti 500
product NVIDIA QUADRO_DCC 0x0203 Quadro DCC
product NVIDIA GEFORCE4_TI4600 0x0250 GeForce4 Ti 4600
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product NVIDIA GEFORCE4_TI4200 0x0253 GeForce4 Ti 4200
product NVIDIA QUADRO4_900XGL 0x0258 Quadro4 900XGL
product NVIDIA QUADRO4_750XGL 0x0259 Quadro4 750XGL
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product NVIDIA GF4_TI_4800 0x0280 GeForce4 Ti 4800
product NVIDIA GF4_TI_4200_8X 0x0281 GeForce4 Ti 4200 (AGP8X)
product NVIDIA GF4_TI_4800_SE 0x0282 GeForce4 Ti 4800 SE
product NVIDIA QUADRO4_980_XGL 0x0288 Quadro4 980 XGL
product NVIDIA QUADRO4_780_XGL 0x0289 Quadro4 780 XGL
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product NVIDIA GEFORCE_FX5800 0x0302 GeForce FX 5800
product NVIDIA QUADRO_FX_2000 0x0308 Quadro FX 2000
product NVIDIA QUADRO_FX_1000 0x0309 Quadro FX 1000

/* Nvidia Corporation & SGS Thomson Microelectric */
product NVIDIA_SGS RIVA128 0x0018 Riva 128

/* Oak Technologies products */
product OAKTECH OTI1007 0x0107 OTI107

/* Olicom products */
product OLICOM OC2183 0x0013 Olicom OC-2183/2185 Ethernet
product OLICOM OC2325 0x0012 Olicom OC-2325 Ethernet
product OLICOM OC2326 0x0014 Olicom OC-2326 10/100-TX Ethernet

/* Opti products */
product OPTI 82C557 0xc557 82C557
product OPTI 82C558 0xc558 82C558
product OPTI 82C568 0xc568 82C568
product OPTI 82D568 0xd568 82D568
product OPTI 82C621 0xc621 82C621
product OPTI 82C822 0xc822 82C822
product OPTI RM861HA 0xc861 RM861HA
product OPTI 82C700 0xc700 82C700
product OPTI 82C701 0xc701 82C701

/* PC Tech products */
product PCTECH RZ1000 0x1000 RZ1000

/* Peak System Technik products */
product PEAK PCAN 0x0001 PCAN CAN controller

/* PLX Technology products */
product PLX 9060ES 0x906e 9060ES PCI bus controller
product PLX 9656 0x9656 9656 I/O Accelerator

/* Powerhouse Systems products */
product POWERHOUSE POWERTOP 0x6037 PowerTop PowerPC system controller
product POWERHOUSE POWERPRO 0x6073 PowerPro PowerPC system controller

/* ProLAN products - XXX better descriptions */
product PROLAN NE2KETHER 0x1980 Ethernet

/* Promise products */
product PROMISE ULTRA100X 0x0d30 Ultra100X/ATA Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE ULTRA66_0 0x0d38 Ultra66/ATA Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE MBULTRA133 0x1275 Ultra133/ATA Bus Master IDE Accelerator (MB)
product PROMISE SATA150TX2PLUSO 0x3375 Serial ATA/150 TX2 Controller plus one parallel IDE bus
product PROMISE SATA150TX2PLUS 0x3376 Serial ATA/150 TX2plus Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE SATA150TX4 0x3318 Serial ATA/150 TX4 Controller
product PROMISE ULTRA100 0x4d30 Ultra100/ATA Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE ULTRA33 0x4d33 Ultra33/ATA Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE ULTRA66 0x4d38 Ultra66/ATA Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE ULTRA100TX2 0x4d68 Ultra100TX2/ATA Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE ULTRA133 0x4d69 Ultra133/ATA Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE ULTRA133TX2 0x5275 Ultra133TX2/ATA Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE DC5030 0x5300 DC5030
product PROMISE ULTRA100TX2v2 0x6268 Ultra100TX2v2/ATA Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE ULTRA133TX2v2 0x6269 Ultra133TX2v2/ATA Bus Master IDE Accelerator
product PROMISE FASTTRAK133LITE 0x7275 Fasttrak133 Lite Bus Master IDE Accelerator

/* QLogic products */
product QLOGIC ISP1020 0x1020 ISP1020
product QLOGIC ISP1022 0x1022 ISP1022
product QLOGIC ISP1080 0x1080 ISP1080
product QLOGIC ISP1240 0x1240 ISP1240
product QLOGIC ISP2100 0x2100 ISP2100

/* Quantum Designs products */
product QUANTUMDESIGNS 8500 0x0001 8500
product QUANTUMDESIGNS 8580 0x0002 8580

/* Rainbow Technologies products */
product RAINBOW CS200 0x0200 CryptoSwift 200 PKI Accelerator

/* RATOC Systems products */
product RATOC REXPCI31 0x0853 REX PCI-31/33 SCSI

/* Realtek (Creative Labs?) products */
product REALTEK RT8029 0x8029 8029 Ethernet
product REALTEK RT8129 0x8129 8129 10/100 Ethernet
product REALTEK RT8139B 0x8138 8139B 10/100 Ethernet
product REALTEK RT8139 0x8139 8139 10/100 Ethernet

/* RICOH products */
product RICOH Rx5C465 0x0465 5C465 PCI-CardBus bridge
product RICOH Rx5C466 0x0466 5C466 PCI-CardBus bridge
product RICOH Rx5C475 0x0475 5C475 PCI-CardBus bridge
product RICOH RL5C476 0x0476 5C476 PCI-CardBus bridge
product RICOH Rx5C477 0x0477 5C477 PCI-CardBus bridge
product RICOH Rx5C478 0x0478 5C478 PCI-CardBus bridge
product RICOH Rx5C552 0x0552 5C552 PCI-CardBus bridge/Firewire

/* RISCom (SDL Communications, Inc?) products */
product RISCOM N2 0x5568 N2

/* RNS products */
product RNS FDDI 0x2200 2200 FDDI

/* S3 products */
product S3 VIRGE 0x5631 ViRGE
product S3 TRIO32 0x8810 Trio32
product S3 TRIO64 0x8811 Trio32/64
product S3 AURORA64P 0x8812 Aurora64V+
product S3 TRIO64UVP 0x8814 Trio64UV+
product S3 VIRGE_VX 0x883d ViRGE/VX
product S3 868 0x8880 868
product S3 928 0x88b0 86C928
product S3 864_0 0x88c0 86C864-0 ("Vision864")
product S3 864_1 0x88c1 86C864-1 ("Vision864")
product S3 864_2 0x88c2 86C864-2 ("Vision864")
product S3 864_3 0x88c3 86C864-3 ("Vision864")
product S3 964_0 0x88d0 86C964-0 ("Vision964")
product S3 964_1 0x88d1 86C964-1 ("Vision964")
product S3 964_2 0x88d2 86C964-2 ("Vision964")
product S3 964_3 0x88d3 86C964-3 ("Vision964")
product S3 968_0 0x88f0 86C968-0 ("Vision968")
product S3 968_1 0x88f1 86C968-1 ("Vision968")
product S3 968_2 0x88f2 86C968-2 ("Vision968")
product S3 968_3 0x88f3 86C968-3 ("Vision968")
product S3 TRIO64V2_DX 0x8901 Trio64V2/DX
product S3 PLATO_PX 0x8901 Plato/PX
product S3 TRIO3D 0x8904 86C365 Trio3D
product S3 VIRGE_DX 0x8a01 ViRGE/DX
product S3 VIRGE_GX2 0x8a10 ViRGE/GX2
product S3 TRIO3D2X 0x8a13 Trio3D/2X
product S3 SAVAGE3D 0x8a20 Savage3D
product S3 SAVAGE3D_MV 0x8a21 Savage3D+MV
product S3 SAVAGE4 0x8a22 Savage4
product S3 VIRGE_MX 0x8c01 ViRGE/MX
product S3 VIRGE_MXP 0x8c03 ViRGE/MXP
product S3 SAVAGE_MX_MV 0x8c10 Savage/MX+MV
product S3 SAVAGE_MX 0x8c11 Savage/MX
product S3 SAVAGE_IX_MV 0x8c12 Savage/IX+MV
product S3 SAVAGE_IX 0x8c13 Savage/IX
product S3 SAVAGE2000 0x9102 Savage2000
product S3 SONICVIBES 0xca00 SonicVibes

/* Samsung Semiconductor products */
product SAMSUNGSEMI KS8920 0x8920 KS8920 10/100 Ethernet

/* Sandburst products */
product SANDBURST QE1000 0x0180 QE1000
product SANDBURST FE1000 0x0200 FE1000
/*product SANDBURST SE1600 0x0100 SE1600*/

/* SEGA Enterprises products */
product SEGA BROADBAND 0x1234 Broadband Adapter

/* ServerWorks products */
product SERVERWORKS OSB4 0x0200 OSB4 SouthBridge
product SERVERWORKS CSB5 0x0201 CSB5 SouthBridge
product SERVERWORKS XX5 0x0005 PCIHB5
product SERVERWORKS CIOB20 0x0006 I/O Bridge
product SERVERWORKS XX7 0x0007 PCIHB7
product SERVERWORKS CNB20HE 0x0008 CNB20HE Host
product SERVERWORKS CNB20LE 0x0009 CNB20LE Host
product SERVERWORKS CIOB30 0x0010 CIOB30
product SERVERWORKS CIOBX2 0x0101 CIOB-X2
product SERVERWORKS CMIC_HE 0x0011 CMIC_HE Host
product SERVERWORKS CMIC_LE 0x0012 CMIC_LE Host
product SERVERWORKS CMIC_SL 0x0017 CMIC_SL Host
product SERVERWORKS OSB4_IDE 0x0211 OSB4 IDE
product SERVERWORKS CSB5_IDE 0x0212 CSB5 IDE
product SERVERWORKS CSB6_IDE 0x0213 CSB6 RAID/IDE
product SERVERWORKS USB 0x0220 OSB4/CSB5 USB

/* SGI products */
product SGI IOC3 0x0003 IOC3
product SGI RAD1 0x0005 PsiTech RAD1
product SGI TIGON 0x0009 Tigon Gigabit Ethernet

/* SGS Thomson products */
product SGSTHOMSON 2000 0x0008 STG 2000X
product SGSTHOMSON 1764 0x1746 STG 1764X

/* Broadcom Corp. (SiByte) products */
product SIBYTE BCM1250_PCIHB 0x0001 BCM1250 PCI Host Bridge
product SIBYTE BCM1250_LDTHB 0x0002 BCM1250 LDT Host Bridge

/* Sigma Designs products */
product SIGMA HOLLYWOODPLUS 0x8300 REALmagic Hollywood-Plus MPEG-2 Decoder

/* SIIG Inc products */
product SIIG CYBER10_S550 0x1000 Cyber10x Serial 16550 PCI
product SIIG CYBER10_S650 0x1001 Cyber10x Serial 16650 PCI
product SIIG CYBER10_S850 0x1002 Cyber10x Serial 16850 PCI
product SIIG CYBER10_IO550 0x1010 Cyber10x I/O 16550 PCI
product SIIG CYBER10_IO650 0x1011 Cyber10x I/O 16650 PCI
product SIIG CYBER10_IO850 0x1010 Cyber10x I/O 16850 PCI
product SIIG CYBER10_P 0x1020 Cyber10x Parallel PCI
product SIIG CYBER10_2P 0x1021 Cyber10x Parallel Dual PCI
product SIIG CYBER10_2S550 0x1030 Cyber10x Serial Dual 16550 PCI
product SIIG CYBER10_2S650 0x1031 Cyber10x Serial Dual 16650 PCI
product SIIG CYBER10_2S850 0x1032 Cyber10x Serial Dual 16850 PCI
product SIIG CYBER10_2S1P550 0x1034 Cyber10x 2S1P 16550 PCI
product SIIG CYBER10_2S1P650 0x1035 Cyber10x 2S1P 16650 PCI
product SIIG CYBER10_2S1P850 0x1036 Cyber10x 2S1P 16850 PCI
product SIIG CYBER10_4S550 0x1050 Cyber10x 4S 16550 PCI
product SIIG CYBER10_4S650 0x1051 Cyber10x 4S 16650 PCI
product SIIG CYBER10_4S850 0x1052 Cyber10x 4S 16850 PCI
product SIIG CYBER20_S550 0x2000 Cyber20x Serial 16550 PCI
product SIIG CYBER20_S650 0x2001 Cyber20x Serial 16650 PCI
product SIIG CYBER20_S850 0x2002 Cyber20x Serial 16850 PCI
product SIIG CYBER20_IO550 0x2010 Cyber20x I/O 16550 PCI
product SIIG CYBER20_IO650 0x2011 Cyber20x I/O 16650 PCI
product SIIG CYBER20_IO850 0x2010 Cyber20x I/O 16850 PCI
product SIIG CYBER20_P 0x2020 Cyber20x Parallel PCI
product SIIG CYBER20_2P 0x2021 Cyber20x Parallel Dual PCI
product SIIG CYBER20_2S550 0x2030 Cyber20x Serial Dual 16550 PCI
product SIIG CYBER20_2S650 0x2031 Cyber20x Serial Dual 16650 PCI
product SIIG CYBER20_2S850 0x2032 Cyber20x Serial Dual 16850 PCI
product SIIG CYBER20_2P1S550 0x2040 Cyber20x 2P1S 16550 PCI
product SIIG CYBER20_2P1S650 0x2041 Cyber20x 2P1S 16650 PCI
product SIIG CYBER20_2P1S850 0x2042 Cyber20x 2P1S 16850 PCI
product SIIG CYBER20_4S550 0x2050 Cyber20x 4S 16550 PCI
product SIIG CYBER20_4S650 0x2051 Cyber20x 4S 16650 PCI
product SIIG CYBER20_4S850 0x2052 Cyber20x 4S 16850 PCI
product SIIG CYBER20_2S1P550 0x2060 Cyber20x 2S1P 16550 PCI
product SIIG CYBER20_2S1P650 0x2061 Cyber20x 2S1P 16650 PCI
product SIIG CYBER20_2S1P850 0x2062 Cyber20x 2S1P 16850 PCI

/* Silicon Integrated System products */
product SIS 86C201 0x0001 86C201
product SIS 86C202 0x0002 86C202
product SIS 86C205 0x0005 86C205
product SIS 85C503 0x0008 85C503 or 5597/5598 ISA bridge
product SIS 600PMC 0x0009 600 Power Mngmt Controller
product SIS 5597_VGA 0x0200 5597/5598 integrated VGA
product SIS 85C501 0x0406 85C501
product SIS 85C496 0x0496 85C496
product SIS 530HB 0x0530 530 Host to PCI Bridge
product SIS 540HB 0x0540 540 Host to PCI Bridge
product SIS 550HB 0x0550 550 Host to PCI Bridge
product SIS 85C601 0x0601 85C601
product SIS 620 0x0620 SiS 620 Host Bridge
product SIS 630 0x0630 SiS 630 Host Bridge
product SIS 633 0x0633 SiS 633 Host Bridge
product SIS 635 0x0635 SiS 635 Host Bridge
product SIS 640 0x0640 SiS 640 Host Bridge
product SIS 645 0x0645 SiS 645 Host Bridge
product SIS 646 0x0646 SiS 646 Host Bridge
product SIS 648 0x0648 SiS 648 Host Bridge
product SIS 650 0x0650 SiS 650 Host Bridge
product SIS 651 0x0651 SiS 651 Host Bridge
product SIS 652 0x0652 SiS 652 Host Bridge
product SIS 655 0x0655 SiS 655 Host Bridge
product SIS 658 0x0658 SiS 658 Host Bridge
product SIS 730 0x0730 SiS 730 Host Bridge
product SIS 733 0x0733 SiS 733 Host Bridge
product SIS 735 0x0735 SiS 735 Host Bridge
product SIS 740 0x0740 SiS 740 Host Bridge
product SIS 745 0x0745 SiS 745 Host Bridge
product SIS 746 0x0746 SiS 746 Host Bridge
product SIS 748 0x0748 SiS 748 Host Bridge
product SIS 750 0x0750 SiS 750 Host Bridge
product SIS 751 0x0751 SiS 751 Host Bridge
product SIS 752 0x0752 SiS 752 Host Bridge
product SIS 755 0x0755 SiS 755 Host Bridge
product SIS 900 0x0900 SiS 900 10/100 Ethernet
product SIS 961 0x0961 SiS 961 Host Bridge
product SIS 962 0x0962 SiS 962 Host Bridge
product SIS 963 0x0963 SiS 963 Host Bridge
product SIS 5597_IDE 0x5513 5597/5598 IDE controller
product SIS 5597_HB 0x5597 5597/5598 host bridge
product SIS 530VGA 0x6306 530 GUI Accelerator+3D
product SIS 6325 0x6325 6325 AGP VGA
product SIS 6326 0x6326 6326 AGP VGA
product SIS 5597_USB 0x7001 5597/5598 USB host controller
product SIS 7002 0x7002 7002 USB 2.0 host controller
product SIS 7012_AC 0x7012 SiS 7012 AC-97 Sound
product SIS 7016 0x7016 SiS 7016 10/100 Ethernet
product SIS 7018 0x7018 SiS 7018 Sound

/* Silicon Motion, Inc. products */
product SILMOTION SM710 0x0710 LynxEM
product SILMOTION SM712 0x0712 LynxEM+
product SILMOTION SM720 0x0720 Lynx3DM
product SILMOTION SM810 0x0810 LynxE
product SILMOTION SM811 0x0811 LynxE
product SILMOTION SM820 0x0820 Lynx3D
product SILMOTION SM910 0x0910 Lynx

/* SMC products */
product SMC 37C665 0x1000 FDC 37C665
product SMC 37C922 0x1001 FDC 37C922
product SMC 83C170 0x0005 83C170 ("EPIC/100") Fast Ethernet
product SMC 83C175 0x0006 83C175 ("EPIC/100") Fast Ethernet

/* Solidum Systems Corporation */
product SOLIDUM AMD971 0x2000 SNP8023: AMD 971
product SOLIDUM CLASS802 0x8023 SNP8023: Classifier Engine
product SOLIDUM PAXWARE1100 0x1100 PAX.ware 1100 dual Gb Classifier Engine

/* Sony products */
product SONY CXD1947A 0x8009 CXD1947A IEEE 1394 Host Controller
product SONY CXD3222 0x8039 CXD3222 OHCI IEEE 1394 Host Controller
product SONY MEMSTICK 0x808a Memory Stick I/F Controller

/* Sun Microsystems, Inc. products */
product SUN EBUS 0x1000 PCIO Ebus2
product SUN HMENETWORK 0x1001 PCIO Happy Meal Ethernet
product SUN EBUSIII 0x1100 PCIO Ebus2 (US III)
product SUN ERINETWORK 0x1101 ERI Ethernet
product SUN FIREWIRE 0x1102 FireWire controller
product SUN USB 0x1103 USB controller
product SUN GEMNETWORK 0x2bad GEM Gigabit Ethernet
product SUN SIMBA 0x5000 Simba PCI bridge
product SUN PSYCHO 0x8000 psycho PCI controller
product SUN MS_IIep 0x9000 microSPARC IIep PCI
product SUN US_IIi 0xa000 UltraSPARC IIi PCI
product SUN US_IIe 0xa001 UltraSPARC IIe PCI

/* Sundance Technology products */
product SUNDANCETI ST201 0x0201 ST201 10/100 Ethernet
product SUNDANCETI ST2021 0x2021 ST2021 Gigabit Ethernet

/* Surecom Technology products */
product SURECOM NE34 0x0e34 NE-34 Ethernet

/* Symphony Labs products */
product SYMPHONY 82C101 0x0001 82C101
product SYMPHONY 82C103 0x0103 82C103
product SYMPHONY 82C105 0x0105 82C105
product SYMPHONY2 82C101 0x0001 82C101
product SYMPHONY 83C553 0x0565 83C553 PCI-ISA Bridge

/* Schneider & Koch (really SysKonnect) products */
product SCHNEIDERKOCH SKNET_FDDI 0x4000 SK-NET FDDI-xP
product SCHNEIDERKOCH SKNET_GE 0x4300 SK-NET GE
product SCHNEIDERKOCH SK_9DX1 0x4400 SK-NET SK-9DX1 Gigabit Ethernet
/* These next two are are really subsystem IDs */
product SCHNEIDERKOCH SK_9D21 0x4421 SK-9D21 1000BASE-T
product SCHNEIDERKOCH SK_9D41 0x4441 SK-9D41 1000BASE-X

/* Tamarack Microelectronics, Inc. */
product TAMARACK TC9021 0x1021 Tamarack TC9021 Gigabit Ethernet
product TAMARACK TC9021_ALT 0x9021 Tamarack TC9021 Gigabit Ethernet (alt ID)

/* Tekram Technology products (1st PCI Vendor ID)*/
product TEKRAM DC290 0xdc29 DC-290(M)

/* Tekram Technology products (2nd PCI Vendor ID) */
product TEKRAM2 DC690C 0x690c DC-690C
product TEKRAM2 DC315 0x0391 DC-315/DC-395

/* Texas Instruments products */
product TI TLAN 0x0500 TLAN
product TI TVP4020 0x3d07 TVP4020 Permedia 2
product TI TSB12LV21 0x8000 TSB12LV21 IEEE 1394 Host Controller
product TI TSB12LV22 0x8009 TSB12LV22 OHCI IEEE 1394 Host Controller
product TI PCI4450LYNX 0x8011 PCI4450 OHCI IEEE 1394 HOST Controller w/ PCI-CardBus Bridge
product TI PCI4410LYNX 0x8017 PCI4410 OHCI IEEE 1394 HOST Controller w/ PCI-CardBus Bridge
product TI TSB12LV23 0x8019 TSB12LV23 OHCI IEEE 1394 Host Controller
product TI TSB12LV26 0x8020 TSB12LV26 OHCI IEEE 1394 Host Controller
product TI TSB43AA22 0x8021 TSB43AA22 OHCI IEEE 1394 Host Controller
product TI TSB43AA22A 0x8023 TSB43AA22/A OHCI IEEE 1394 Host Controller
product TI TSB43AA23 0x8024 TSB43AA23 OHCI IEEE 1394 Host Controller
product TI TSB43AB21 0x8026 TSB43AA21 OHCI IEEE 1394 Host Controller
product TI PCI4451LYNX 0x8027 PCI4451 OHCI IEEE 1394 HOST Controller w/ PCI-CardBus Bridge
product TI PCI4510LYNX 0x8029 PCI4510 OHCI IEEE 1394 HOST Controller w/ PCI-CardBus Bridge
product TI PCI4520LYNX 0x802A PCI4520 OHCI IEEE 1394 HOST Controller w/ PCI-CardBus Bridge
product TI PCI7410LYNX 0x802B PCI7[4-6]10 OHCI IEEE 1394 HOST Controller w/ PCI-CardBus Bridge
product TI ACX100 0x8400 ACX100 802.11b
product TI PCI1130 0xac12 PCI1130 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1031 0xac13 PCI1031 PCI-PCMCIA Bridge
product TI PCI1131 0xac15 PCI1131 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1250 0xac16 PCI1250 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1220 0xac17 PCI1220 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1221 0xac19 PCI1221 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1210 0xac1a PCI1210 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1450 0xac1b PCI1450 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1225 0xac1c PCI1225 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1251 0xac1d PCI1251 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1211 0xac1e PCI1211 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1251B 0xac1f PCI1251B PCI-CardBus Bridge
product TI PCI2030 0xac20 PCI2030 PCI-PCI Bridge
product TI PCI2050 0xac28 PCI2050 PCI-PCI Bridge
product TI PCI4450YENTA 0xac40 PCI4450 PCI-CardBus Bridge w/ OHCI IEEE 1394 Controller
product TI PCI4410YENTA 0xac41 PCI4410 PCI-CardBus Bridge w/ OHCI IEEE 1394 Controller
product TI PCI4451YENTA 0xac42 PCI4451 PCI-CardBus Bridge w/ OHCI IEEE 1394 Controller
product TI PCI4510YENTA 0xac44 PCI4510 PCI-CardBus Bridge w/ OHCI IEEE 1394 Controller
product TI PCI4520YENTA 0xac46 PCI4520 PCI-CardBus Bridge w/ OHCI IEEE 1394 Controller
product TI PCI7510YENTA 0xac47 PCI7510 PCI-CardBus Bridge w/ OHCI IEEE 1394 Controller
product TI PCI7610YENTA 0xac48 PCI7610 PCI-CardBus Bridge w/ OHCI IEEE 1394 Controller
product TI PCI7410YENTA 0xac49 PCI7410 PCI-CardBus Bridge w/ OHCI IEEE 1394 Controller
product TI PCI7610SM 0xac4A PCI7610 PCI-CardBus Bridge (Smart Card mode)
product TI PCI7410SD 0xac4B PCI7[46]10 PCI-CardBus Bridge (SD/MMC mode)
product TI PCI7410MS 0xac4C PCI7[46]10 PCI-CardBus Bridge (Memory stick mode)
product TI PCI1410 0xac50 PCI1410 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1420 0xac51 PCI1420 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1451 0xac52 PCI1451 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1421 0xac53 PCI1421 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1620 0xac54 PCI1620 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1520 0xac55 PCI1520 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1510 0xac56 PCI1510 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1530 0xac57 PCI1530 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI1515 0xac58 PCI1515 PCI-CardBus Bridge
product TI PCI2040 0xac60 PCI2040 PCI-to-DSP Bridge

/* Titan Electronics products */
product TITAN PCI800L 0x8080 PCI-800L
product TITAN PCI800H 0xa003 PCI-800H
product TITAN PCI100H 0xa001 PCI-100H

/* Toshiba America products */
product TOSHIBA R4X00 0x0009 R4x00 Host-PCI Bridge
product TOSHIBA TC35856F 0x0020 TC35856F ATM ("Meteor")

/* Toshiba products */
product TOSHIBA2 PORTEGE 0x0001 Portege Notebook
product TOSHIBA2 HOST 0x0601 Host Bridge/Controller
product TOSHIBA2 ISA 0x0602 ISA Bridge
product TOSHIBA2 ToPIC95 0x0603 ToPIC95 CardBus-PCI Bridge
product TOSHIBA2 ToPIC95B 0x060a ToPIC95B CardBus-PCI Bridge
product TOSHIBA2 ToPIC97 0x060f ToPIC97 CardBus-PCI Bridge
product TOSHIBA2 ToPIC100 0x0617 ToPIC100 CardBus-PCI Bridge
product TOSHIBA2 OBOE 0x0701 Fast Infrared Type O
product TOSHIBA2 DONAUOBOE 0x0d01 Fast Infrared Type DO

/* Transmeta products */
product TRANSMETA NORTHBRIDGE 0x0295 Virtual Northbridge
product TRANSMETA LONGRUN 0x0395 LongRun Northbridge
product TRANSMETA SDRAM 0x0396 SDRAM Controller
product TRANSMETA BIOS_SCRATCH 0x0397 BIOS Scratchpad

/* Trident products */
product TRIDENT 4DWAVE_DX 0x2000 4DWAVE DX
product TRIDENT 4DWAVE_NX 0x2001 4DWAVE NX
product TRIDENT CYBERBLADE_I7 0x8420 CyberBlade i7
product TRIDENT TGUI_9320 0x9320 TGUI 9320
product TRIDENT TGUI_9350 0x9350 TGUI 9350
product TRIDENT TGUI_9360 0x9360 TGUI 9360
product TRIDENT CYBER_9397 0x9397 CYBER 9397
product TRIDENT CYBER_9397DVD 0x939a CYBER 9397DVD
product TRIDENT CYBER_9525 0x9525 CYBER 9525
product TRIDENT TGUI_9420 0x9420 TGUI 9420
product TRIDENT TGUI_9440 0x9440 TGUI 9440
product TRIDENT TGUI_9660 0x9660 TGUI 9660
product TRIDENT TGUI_9680 0x9680 TGUI 9680
product TRIDENT TGUI_9682 0x9682 TGUI 9682
product TRIDENT CYBERBLADE 0x9910 CyberBlade

/* Triones Technologies products */
/* The 366 and 370 controllers have the same product ID */
product TRIONES HPT366 0x0004 HPT366/370 IDE Controller
product TRIONES HPT372 0x0005 HPT372 IDE Controller
product TRIONES HPT374 0x0008 HPT374 IDE Controller

/* TriTech Microelectronics products*/
product TRITECH TR25202 0xfc02 Pyramid3D TR25202

/* Tseng Labs products */
product TSENG ET4000_W32P_A 0x3202 ET4000w32p rev A
product TSENG ET4000_W32P_B 0x3205 ET4000w32p rev B
product TSENG ET4000_W32P_C 0x3206 ET4000w32p rev C
product TSENG ET4000_W32P_D 0x3207 ET4000w32p rev D
product TSENG ET6000 0x3208 ET6000

/* UMC products */
product UMC UM82C881 0x0001 UM82C881 486 Chipset
product UMC UM82C886 0x0002 UM82C886 ISA Bridge
product UMC UM8673F 0x0101 UM8673F EIDE Controller
product UMC UM8881 0x0881 UM8881 HB4 486 PCI Chipset
product UMC UM82C891 0x0891 UM82C891
product UMC UM886A 0x1001 UM886A
product UMC UM8886BF 0x673a UM8886BF
product UMC UM8710 0x8710 UM8710
product UMC UM8886 0x886a UM8886
product UMC UM8881F 0x8881 UM8881F PCI-Host bridge
product UMC UM8886F 0x8886 UM8886F PCI-ISA bridge
product UMC UM8886A 0x888a UM8886A
product UMC UM8891A 0x8891 UM8891A
product UMC UM9017F 0x9017 UM9017F
product UMC UM8886N 0xe88a UM8886N
product UMC UM8891N 0xe891 UM8891N

/* ULSI Systems products */
product ULSI US201 0x0201 US201

/* US Robotics products */
product USR 3C2884A 0x1007 56K Voice Internal PCI Modem (WinModem)
product USR 3CP5609 0x1008 3CP5609 PCI 16550 Modem
product USR2 2415 0x3685 Wireless PCI-PCMCIA adapter

/* V3 Semiconductor products */
product V3 V292PBC 0x0292 V292PBC AMD290x0 Host-PCI Bridge
product V3 V960PBC 0x0960 V960PBC i960 Host-PCI Bridge
product V3 V96DPC 0xc960 V96DPC i960 (Dual) Host-PCI Bridge

/* VIA Technologies products, from http://www.via.com.tw/ */
product VIATECH VT6305 0x0130 VT6305 OHCI IEEE 1394 Controller
product VIATECH VT8363_HB 0x0305 VT8363 KT133 System Controller
product VIATECH VT8371_HB 0x0391 VT8371 (Apollo KX133) Host Bridge
product VIATECH VT8501_MVP4 0x0501 VT8501 MVP4 System Controller
product VIATECH VT82C505 0x0505 VT82C505 (Pluto)
product VIATECH VT82C561 0x0561 VT82C561
product VIATECH VT82C586A_IDE 0x0571 VT82C586A IDE Controller
product VIATECH VT82C576 0x0576 VT82C576 3V
product VIATECH VT82C580VP 0x0585 VT82C580 (Apollo VP) Host-PCI Bridge
product VIATECH VT82C586_ISA 0x0586 VT82C586 (Apollo VP) PCI-ISA Bridge
product VIATECH VT82C595 0x0595 VT82C595 (Apollo VP2) Host-PCI Bridge
product VIATECH VT82C596A 0x0596 VT82C596A (Apollo Pro) PCI-ISA Bridge
product VIATECH VT82C597 0x0597 VT82C597 (Apollo VP3) Host-PCI Bridge
product VIATECH VT82C598PCI 0x0598 VT82C598 (Apollo MVP3) Host-PCI Bridge
product VIATECH VT8605PCI 0x0605 VT8605 (Apollo ProMedia 133) Host-PCI Bridge
product VIATECH VT82C686A_ISA 0x0686 VT82C686A (Apollo KX133) PCI-ISA Bridge
product VIATECH VT82C691 0x0691 VT82C691 (Apollo Pro) Host-PCI
product VIATECH VT82C693 0x0693 VT82C693 (Apollo Pro Plus) Host-PCI
product VIATECH VT86C926 0x0926 VT86C926 Amazon PCI-Ethernet Controller
product VIATECH VT82C570M 0x1000 VT82C570M (Apollo) Host-PCI Bridge
product VIATECH VT82C570MV 0x1006 VT82C570M (Apollo) PCI-ISA Bridge
product VIATECH VT82C586_IDE 0x1571 VT82C586 (Apollo VP) IDE Controller
product VIATECH VT82C595_2 0x1595 VT82C595 (Apollo VP2) Host-PCI Bridge
product VIATECH VT83C572 0x3038 VT83C572 USB Controller
product VIATECH VT82C586_PWR 0x3040 VT82C586 (Apollo VP) Power Management Controller
product VIATECH VT3043 0x3043 VT3043 (Rhine) 10/100 Ethernet
product VIATECH VT6306 0x3044 VT3606 OHCI IEEE 1394 Controller
product VIATECH VT82C686A_SMB 0x3057 VT82C686A SMBus Controller
product VIATECH VT82C686A_AC97 0x3058 VT82C686A AC-97 Audio Controller
product VIATECH VT8233_AC97 0x3059 VT8233/VT8235 AC-97 Audio Controller
product VIATECH VT6102 0x3065 VT6102 (Rhine II) 10/100 Ethernet
product VIATECH VT82C686A_MC97 0x3068 VT82C686A MC-97 Modem Controller
product VIATECH VT8233 0x3074 VT8233 PCI-ISA Bridge
product VIATECH VT8366 0x3099 VT8366 (Apollo KT266) CPU-PCI Bridge
product VIATECH VT8653 0x3101 VT8653 (Apollo Pro 266T) CPU-PCI Bridge
product VIATECH VT8233A 0x3147 VT8233A PCI-ISA Bridge
product VIATECH VT8235 0x3177 VT8235 (Apollo KT400) PCI-ISA Bridge
product VIATECH VT8377 0x3189 VT8377 Apollo KT400 CPU to PCI Bridge
product VIATECH VT86C100A 0x6100 VT86C100A (Rhine-II) 10/100 Ethernet
product VIATECH VT8231 0x8231 VT8231 IDE Controller
product VIATECH VT8363_PPB 0x8305 VT8363 KT133 PCI to AGP Bridge
product VIATECH VT8371_PPB 0x8391 VT8371 (Apollo KX133) PCI-PCI Bridge
product VIATECH VT8501AGP 0x8501 VT8501 CPU-AGP Bridge
product VIATECH VT82C597AGP 0x8597 VT82C597 (Apollo VP3) CPU-AGP Bridge
product VIATECH VT82C598AGP 0x8598 VT82C598 (Apollo MVP3) CPU-AGP Bridge
product VIATECH VT8605AGP 0x8605 VT8605 (Apollo ProMedia 133) Host-AGP Bridge
product VIATECH VT8633AGP 0xb091 VT8633 (Apollo Pro 266) CPU-AGP Bridge
product VIATECH VT8366AGP 0xb099 VT8366 CPU-AGP Bridge
product VIATECH VT8377AGP 0xb168 VT8377 CPU-AGP Bridge

/* Vortex Computer Systems products */
product VORTEX GDT_60x0 0x0000 GDT6000/6020/6050
product VORTEX GDT_6000B 0x0001 GDT6000B/6010
product VORTEX GDT_6x10 0x0002 GDT6110/6510
product VORTEX GDT_6x20 0x0003 GDT6120/6520
product VORTEX GDT_6530 0x0004 GDT6530
product VORTEX GDT_6550 0x0005 GDT6550
product VORTEX GDT_6x17 0x0006 GDT6117/6517
product VORTEX GDT_6x27 0x0007 GDT6127/6527
product VORTEX GDT_6537 0x0008 GDT6537
product VORTEX GDT_6557 0x0009 GDT6557/6557-ECC
product VORTEX GDT_6x15 0x000a GDT6115/6515
product VORTEX GDT_6x25 0x000b GDT6125/6525
product VORTEX GDT_6535 0x000c GDT6535
product VORTEX GDT_6555 0x000d GDT6555/6555-ECC
product VORTEX GDT_6x17RP 0x0100 GDT6[15]17RP
product VORTEX GDT_6x27RP 0x0101 GDT6[15]27RP
product VORTEX GDT_6537RP 0x0102 GDT6537RP
product VORTEX GDT_6557RP 0x0103 GDT6557RP
product VORTEX GDT_6x11RP 0x0104 GDT6[15]11RP
product VORTEX GDT_6x21RP 0x0105 GDT6[15]21RP
product VORTEX GDT_6x17RD 0x0110 GDT6[15]17RD
product VORTEX GDT_6x27RD 0x0111 GDT6[5]127RD
product VORTEX GDT_6537RD 0x0112 GDT6537RD
product VORTEX GDT_6557RD 0x0113 GDT6557RD
product VORTEX GDT_6x11RD 0x0114 GDT6[15]11RD
product VORTEX GDT_6x21RD 0x0115 GDT6[15]21RD
product VORTEX GDT_6x18RD 0x0118 GDT6[156]18RD
product VORTEX GDT_6x28RD 0x0119 GDT6[156]28RD
product VORTEX GDT_6x38RD 0x011a GDT6[56]38RD
product VORTEX GDT_6x58RD 0x011b GDT6[56]58RD
product VORTEX GDT_6x17RP2 0x0120 GDT6[15]17RP2
product VORTEX GDT_6x27RP2 0x0121 GDT6[15]27RP2
product VORTEX GDT_6537RP2 0x0123 GDT6537RP2
product VORTEX GDT_6x11RP2 0x0124 GDT6[15]11RP2
product VORTEX GDT_6x21RP2 0x0125 GDT6[15]21RP2
product VORTEX GDT_6x13RS 0x0136 GDT6513RS
product VORTEX GDT_6x23RS 0x0137 GDT6523RS
product VORTEX GDT_6518RS 0x0138 GDT6518RS
product VORTEX GDT_6x28RS 0x0139 GDT6x28RS
product VORTEX GDT_6x38RS 0x013a GDT6x38RS
product VORTEX GDT_6x58RS 0x013b GDT6x58RS
product VORTEX GDT_6x33RS 0x013c GDT6x33RS
product VORTEX GDT_6x43RS 0x013d GDT6x43RS
product VORTEX GDT_6x53RS 0x013e GDT6x53RS
product VORTEX GDT_6x63RS 0x013f GDT6x63RS
product VORTEX GDT_7x13RN 0x0166 GDT7x13RN
product VORTEX GDT_7x23RN 0x0167 GDT7x23RN
product VORTEX GDT_7x18RN 0x0168 GDT7[156]18RN
product VORTEX GDT_7x28RN 0x0169 GDT7[156]28RN
product VORTEX GDT_7x38RN 0x016a GDT7[56]38RN
product VORTEX GDT_7x58RN 0x016b GDT7[56]58RN
product VORTEX GDT_7x43RN 0x016d GDT7[56]43RN
product VORTEX GDT_7x53RN 0x016E GDT7x53RN
product VORTEX GDT_7x63RN 0x016F GDT7x63RN
product VORTEX GDT_4x13RZ 0x01D6 GDT4x13RZ
product VORTEX GDT_4x23RZ 0x01D7 GDT4x23RZ
product VORTEX GDT_8x13RZ 0x01F6 GDT8x13RZ
product VORTEX GDT_8x23RZ 0x01F7 GDT8x23RZ
product VORTEX GDT_8x33RZ 0x01FC GDT8x33RZ
product VORTEX GDT_8x43RZ 0x01FD GDT8x43RZ
product VORTEX GDT_8x53RZ 0x01FE GDT8x53RZ
product VORTEX GDT_8x63RZ 0x01FF GDT8x63RZ
product VORTEX GDT_6x19RD 0x0210 GDT6[56]19RD
product VORTEX GDT_6x29RD 0x0211 GDT6[56]29RD
product VORTEX GDT_7x19RN 0x0260 GDT7[56]19RN
product VORTEX GDT_7x29RN 0x0261 GDT7[56]29RN
product VORTEX GDT_ICP 0x0300 ICP

/* VLSI products */
product VLSI 82C592 0x0005 82C592 CPU Bridge
product VLSI 82C593 0x0006 82C593 ISA Bridge
product VLSI 82C594 0x0007 82C594 Wildcat System Controller
product VLSI 82C596597 0x0008 82C596/597 Wildcat ISA Bridge
product VLSI 82C541 0x000c 82C541
product VLSI 82C543 0x000d 82C543
product VLSI 82C532 0x0101 82C532
product VLSI 82C534 0x0102 82C534
product VLSI 82C535 0x0104 82C535
product VLSI 82C147 0x0105 82C147
product VLSI 82C975 0x0200 82C975
product VLSI 82C925 0x0280 82C925

/* Weitek products */
product WEITEK P9000 0x9001 P9000
product WEITEK P9100 0x9100 P9100

/* Western Digital products */
product WD WD33C193A 0x0193 WD33C193A
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product WD WD7193 0x3193 WD7193
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product WD 90C 0xc24a 90C

/* Winbond Electronics products */
product WINBOND W83769F 0x0001 W83769F
product WINBOND W83C553F_0 0x0565 W83C553F PCI-ISA Bridge
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product WINBOND W89C840F 0x0840 W89C840F 10/100 Ethernet
product WINBOND W89C940F 0x0940 W89C940F Ethernet
product WINBOND W89C940F_1 0x5a5a W89C940F Ethernet
product WINBOND W6692 0x6692 W6692 ISDN

/* Xircom products */
/* is the `-3' here just indicating revision 3, or is it really part
of the device name? */
product XIRCOM X3201_3 0x0002 X3201-3 Fast Ethernet Controller
/* this is the device id `indicating 21143 driver compatibility' */
product XIRCOM X3201_3_21143 0x0003 X3201-3 Fast Ethernet Controller (21143)
product XIRCOM WINGLOBAL 0x000c WinGlobal Modem

/* Yamaha products */
product YAMAHA YMF724 0x0004 724 Audio
product YAMAHA YMF740 0x000a 740 Audio
product YAMAHA YMF740C 0x000c 740C (DS-1) Audio
product YAMAHA YMF724F 0x000d 724F (DS-1) Audio
product YAMAHA YMF744B 0x0010 744 (DS-1S) Audio
product YAMAHA YMF754 0x0012 754 (DS-1E) Audio

/* Zeinet products */
product ZEINET 1221 0x0001 1221

/* Ziatech products */
product ZIATECH ZT8905 0x8905 PCI-ST32 Bridge

/* Zoran products */
product ZORAN ZR36120 0x6120 Video Controller

/* ML-RSIM products */
product MLR UIO 0x0001 UIO Device

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  1. Penis Enlargement 2009.01.20 21:32 신고

    I think you are thinking like sukrat, but I think you should cover the other side of the topic in the post too...

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